Стабилизатор постоянного напряжения Советский патент 1988 года по МПК G05F1/56 

аr ii м-мчч ьие n liiiM MTT i к niiv-K rpoT J-- :. ч МОЖРТ OhlTb iCIIO lb- sriBaHO H ИГ Г :1 :i 1, . I :. 1 Г ОрИЧИОГ С: 1 I j e КТрОПИТН И11Я ; I ; Ii( 1 : i. Г if ll I. Vi :l ч |-| ;5 l-vphl ,

I:, i:i i4,iiip.rr.Hii i ii iBMiiieuHe тенге pa r . i;.ic и (rju-n i .нсгти 1гы ;одио1 о на(ГПЯЖСЧПГ Г ,

lin : пч-:ь,- 11, rvi;roo иредла nerioi-л гтп или ;гп -)а .

Ст;1Р1(лизаТ I J -JO : гпя}|;)ог : пдпряже г м, ( pniTi t 1 11 второй 2 МОИТрЛ и J,li Г :1р, :-,) ВГ тр )Ч ll -U КЛИа :1М,,

;т(;11ит 1Т1, 1-ihiXf);: ист о иапряжс- ыя, третий МГ111--траизигтор -1, П 5ць-р м сток тралзлстора I подклычен к входной ши1К S. .чN ; 1 ;(i; ihi I Ijiitu/ h И К

.i.y ,; iir o I .-i I, -и дип; , иоприжен -)я

ВЬПчОД .)IlOTO ;оеДИ:11 И с ЗаТВО11ОМ

rpj i -: ; . с roi; кото ; ;го под--

i - 4rii :, aij)o.;y rjia зи ггорл ис- fi ji li ;i,, I n.iiJ.oro тран/шстора 2

Orvhcpdlioi: ; , л -ОЩИЙ UbI}J : II .Ч.еЛИТбЛЯ 3

;п,:, -ri о iMiiji ; МИНОЙ; К тнертый 7

1 i : ,: :- lO l T ). in И1Г ГОРЬ l pOl i14OlIO- -,ii: I i i tII-1 11роИ.;,ГМ01 1 и , И)ИЧ:: М 1-IX :и: Гм1 Ч ,,O ,t ,,li) . И ; и КШКЛЮЧ НЫ к

t Xvjaii.v. aiHiK; 3, jaTBOpbi опъедилены

и ио,,к чючины к ст1 )к;1м транзисторов 2

и о, i jMK тр,чн- ИС гора 7 соединен со

i.TOI-uK i-pti HTlir-riijl/t ч SlJiiJh Kciroporo

p; 1ДК i j i; г к мО;|11/й I истоку тран. ;. i,-ii|,.;;i;:uii; ( Vr;:;

:;i, -1 I , ,, 1 ,4ili 1; - Ч - Одна

Ti i,, :,.i ii; :i;i. :;./; м/лл шсиру i,:;i,M 1-, j. л j... 1 ri., jiii;xa ока

..; :;иакм l aiuaiCT- . ;v.Mi ... I i p H / и i оПс спечи- :i:bT(4:u ; ;aeti -I oixa содержаще- . -л-.ы n 8..

I. : :;,i;; ипритная I lnrj -. и ста- ;, - -i ) ..1 ; I i 11, )i irisjU o6 P r ,.;, iiM i Hui 110 a;. I iir-.либо -i 1 Mj ia шччодс С 1 Пбили- | р1 11. Ч k 1 :р;ал л:г: (ра тра)зисто л М

т:

Т./

5

д

5

О

5

0

5

ра 4 увеличивается, а потенциал его пока уменьшается. Это приводит к сни- ж(ли1к) потенциала -затвора транзистора 1, уменьшению его проводимости и :-нижению выходного напряжения.

Таким образом, предлагаемый стаби- aii saTop по сравнению с известным имеет более высокую температурную ста- fiHo4b}iocTb выходного напряжения за счет реализации источника опорного напряжения и усилителя сигнала рассогласования в едином функциональном узле, компенсации температурного дрейфа напряжения U МОП-транзистора с индуцированным каналом дрейфом напря- же1П1я V МОП-транзистора с встроенным каналом.

Формула изобретения Стаб15лизатор постоянного напряжения, содержаиц1й первый и второй МОП- траняисторы с встроенным каналом, третий МОП-транзистор с индуцированным гсаналом, делитель выходного напряжения, причем сток первого транзистора подключен к входной шине, исток - к выходной шине и к входу делителя выход,иого напряжения, выход которого соединен с затвором третьего транзистора, сток которого подключен к затвору первого транзистора, исток и за- тти.р второго транзистора объединены, а общий вывод делителя выходного напряжения соединен с общей шиной, о т- .;i и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повьшения температурной стабильности выходного напряжения, введены четвертьй и пятый МОП-транзисторы противоположного типа проводимости, iipuntJM их истоки объединены и подключены к входной шине, затворы объеди- 11(:шы и подключены к стокам пятого и игорого транзисторов, сток четвертого транзистора соединен со стоком чре - ьего транзистора, исток которого подключен к общей шине и истоку второго транзистора.

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в устр-вах вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Цель изобретения - повышение температурной стабильности выходного напряжения. Устр-во содержит первый 1 и второй 2 МОП-транзисторы с встроенным каналом, третий МОП-транзистор 4 с индуцированным каналом, делитель 3 выходного напряжения, четвертый 7 и пятый 8 МОП-транзисторы противоположного типа проводимости. Цепь достигается за счет реализации источника опорного напряжения и усилителя сигнала рассогласования в едином функциональном узле, а также компенсации температурного дрейфа напряжения между истоком и затвором МОП-транзистора 4 с индуцированным каналом дрейфом напряжения МОП-транзистора 2 с встроенным каналом. Это позволяет получить относительно низкое, термоком- пенсированное опорное напряжение. Целесообразно изготовление устр-ва по полупроводниковой интегральной технологии, что позволяет минимизировать его габариты и массу. 1 ил. с € (Л