Изобретение относится к производству термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) и может быть использовано для улучшения эмиссионных характеристик электродов .ТЭП.
Целью изобретения является повышение эффективности ТЭП путем повышения работы .выхода его электродов.
Для .достижения указанной цели грань монокристалла Мо l Ю с раз- ориентацией от плоскости поверхности не более 2°обрабатывают ионами кислорода дозой 5 10 ион/см при ускоряющем напряжении 80-100 кВ и температуре образца 20-50 С. За счет этого получают приповерхностный слой, насыщенный растворенным в молибдене кислородом, который при рабочих температурах электродов ТЭП выходит на поверхность, образуя кислородные плен.ки,. что приводит к росту работы выхода исходной моногрисгалли- ческой грани llO.
Примером реализации способа является обработка молибденового образца с гранью на поверхности l10 ионами кислорода О дозой ион/см при ускоряющем напряжении 90 кВ. Разори- ентация грани поверхности не более 1. Температура образца при обработке ионами кислорода 30 С. Максимальное увеличение работы выхода исследуемой грани с 5.0 эв до А..35 эв. Формула изобретена.Способ обработки молибденовых электродов для термозмиссиониого образователя, включающий насыщение рабочей поверхности электрода кислоОд
сл
о
ГС
3 13750324
родом, отличающийся тем,кости поверхности fte более 2°, а начто, с целью увеличения эффективное-сыщение рабочей поверхности осущестти преобразователя за счет увеличе-вляют бомбардировкой ионами кислорония работы выхода электродов, на ра-, да дозой ЫО - 5 IO l/см при усбочую поверхность электрода выводяткоряющем напряжении 80-100 кВ и темгрань L1 101с разориентацией от плос-пературе электрода 20-50 С.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления молибденового эмиттера термоэмиссионного преобразователя | 1990 |
|
SU1797150A1 |
Способ изготовления молибденового электрода термоэмиссионного преобразователя | 1987 |
|
SU1468311A1 |
Способ изготовления электродов термоэмиссионного преобразователя энергии | 1987 |
|
SU1443685A1 |
Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии | 1989 |
|
SU1691904A1 |
Способ очистки поверхности электрода термоэмиссионного преобразователя от углерода и его соединений | 1987 |
|
SU1475417A1 |
ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ АТОМАРНЫХ ИОНОВ | 1994 |
|
RU2076384C1 |
Способ ионной имплантации | 1986 |
|
SU1412517A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ | 2011 |
|
RU2485222C1 |
Жаропрочный сплав на основе молибдена | 1977 |
|
SU1775486A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ЭЛЕКТРОНОВ ВАКУУМНОГО ИЛИ ГАЗОНАПОЛНЕННОГО ДИОДА | 2013 |
|
RU2526541C1 |
Изобретение относится к производству термоэмиссионньк преобразователей и служит для повышения их эф- фективности. Грань монокристалла Мо 110j с разориентацией от плоскост поверхности не более 2 обрабатывают ионами О дозой ЫО . . .5 10 юн/см при ускоряющем напряжении 80...10G кВ и температуре образца 20...50 с. В процессе работы устройства О выхо- дит на поверхность, образуя кислородные пленки, что приводит к росту работы выхода исходной монокристаллической грани 110J .
Менабде Н.Э | |||
и др | |||
ЖТФ, 48, 183, .1978 | |||
D.Lieb, Ргос | |||
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы | 1923 |
|
SU12A1 |
Engg Conf, Washington, 1977, p | |||
Топка с колосниковой решеткой, составленной из перемещающихся друг по другу колосниковых элементов | 1924 |
|
SU1555A1 |
Авторы
Даты
1989-07-23—Публикация
1984-03-01—Подача