Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного преобразователя Советский патент 1989 года по МПК H01J45/00 

Описание патента на изобретение SU1375032A1

Изобретение относится к производству термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) и может быть использовано для улучшения эмиссионных характеристик электродов .ТЭП.

Целью изобретения является повышение эффективности ТЭП путем повышения работы .выхода его электродов.

Для .достижения указанной цели грань монокристалла Мо l Ю с раз- ориентацией от плоскости поверхности не более 2°обрабатывают ионами кислорода дозой 5 10 ион/см при ускоряющем напряжении 80-100 кВ и температуре образца 20-50 С. За счет этого получают приповерхностный слой, насыщенный растворенным в молибдене кислородом, который при рабочих температурах электродов ТЭП выходит на поверхность, образуя кислородные плен.ки,. что приводит к росту работы выхода исходной моногрисгалли- ческой грани llO.

Примером реализации способа является обработка молибденового образца с гранью на поверхности l10 ионами кислорода О дозой ион/см при ускоряющем напряжении 90 кВ. Разори- ентация грани поверхности не более 1. Температура образца при обработке ионами кислорода 30 С. Максимальное увеличение работы выхода исследуемой грани с 5.0 эв до А..35 эв. Формула изобретена.Способ обработки молибденовых электродов для термозмиссиониого образователя, включающий насыщение рабочей поверхности электрода кислоОд

сл

о

ГС

3 13750324

родом, отличающийся тем,кости поверхности fte более 2°, а начто, с целью увеличения эффективное-сыщение рабочей поверхности осущестти преобразователя за счет увеличе-вляют бомбардировкой ионами кислорония работы выхода электродов, на ра-, да дозой ЫО - 5 IO l/см при усбочую поверхность электрода выводяткоряющем напряжении 80-100 кВ и темгрань L1 101с разориентацией от плос-пературе электрода 20-50 С.

Похожие патенты SU1375032A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления молибденового эмиттера термоэмиссионного преобразователя 1990
  • Геращенко Сергей Семенович
SU1797150A1
Способ изготовления молибденового электрода термоэмиссионного преобразователя 1987
  • Геращенко С.С.
  • Гусева М.И.
  • Никольский Ю.В.
  • Степанчиков В.А.
SU1468311A1
Способ изготовления электродов термоэмиссионного преобразователя энергии 1987
  • Геращенко С.С.
  • Бахтияров Р.С.
  • Каретников Д.В.
SU1443685A1
Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии 1989
  • Гусева Мария Ильинична
  • Кайбышев Владимир Зефирович
  • Корюкин Владимир Александрович
  • Обрезумов Виктор Павлович
SU1691904A1
Способ очистки поверхности электрода термоэмиссионного преобразователя от углерода и его соединений 1987
  • Геращенко С.С.
  • Гусева М.И.
  • Корюкин В.А.
  • Степанчиков В.А.
  • Никольский Ю.В.
  • Клименко Е.В.
  • Засимович И.Н.
SU1475417A1
ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ АТОМАРНЫХ ИОНОВ 1994
  • Кудрявцев А.А.
  • Лазарюк С.Н.
  • Романенко В.А.
RU2076384C1
Способ ионной имплантации 1986
  • Арзубов Н.М.
  • Ваулин В.А.
  • Исаев Г.П.
  • Кузьмин О.С.
  • Рябчиков А.И.
SU1412517A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ 2011
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Негашев Станислав Александрович
  • Аликин Денис Олегович
RU2485222C1
Жаропрочный сплав на основе молибдена 1977
  • Ястребков Анатолий Алексеевич
  • Афанасьев Николай Григорьевич
  • Рымашевский Георгий Александрович
  • Репий Владимир Афанасьевич
  • Кошкин Леонид Евгеньевич
SU1775486A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭМИТТЕРА ЭЛЕКТРОНОВ ВАКУУМНОГО ИЛИ ГАЗОНАПОЛНЕННОГО ДИОДА 2013
  • Корюкин Владимир Александрович
RU2526541C1

Реферат патента 1989 года Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного преобразователя

Изобретение относится к производству термоэмиссионньк преобразователей и служит для повышения их эф- фективности. Грань монокристалла Мо 110j с разориентацией от плоскост поверхности не более 2 обрабатывают ионами О дозой ЫО . . .5 10 юн/см при ускоряющем напряжении 80...10G кВ и температуре образца 20...50 с. В процессе работы устройства О выхо- дит на поверхность, образуя кислородные пленки, что приводит к росту работы выхода исходной монокристаллической грани 110J .

Формула изобретения SU 1 375 032 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1989 года SU1375032A1

Менабде Н.Э
и др
ЖТФ, 48, 183, .1978
D.Lieb, Ргос
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы 1923
  • Бердников М.И.
SU12A1
Engg Conf, Washington, 1977, p
Топка с колосниковой решеткой, составленной из перемещающихся друг по другу колосниковых элементов 1924
  • Ломшаков А.С.
SU1555A1

SU 1 375 032 A1

Авторы

Геращенко С.С.

Гусева М.И.

Каретников Д.В.

Корюкин В.А.

Никольский Ю.В.

Обрезумов В.П.

Степанчиков В.А.

Даты

1989-07-23Публикация

1984-03-01Подача