Устройство для измерения ЭДС Холла в области пространственного заряда Советский патент 1988 года по МПК G01R33/07 

J 25

/ / /

а -у - Щ , i

III 11К/ХУ1/ /Y/j/ЛI

X X

/ / f

Изобретение относится к магнитным измерениям и позволяет повысить надежность и достоверность измерений. Холловские, потенциальные и токовые электроды (Э) 3, 2 и 4 расположены на изоляционной пластине 1. Потенциальный Э 7 расположен над полупроводниковой пластиной (П) 6. На токовые Э 4 подается переменное напряжение, которое наводит в П 6 высокочастотный ток, протекающий в плоскости П 6. Одновременно создают электростатическое поле, перпендикулярное плоскости П 6, путем подачи разности потенциалов между потенциальными Э 2 и 7, установленными с возможностью вертикального перемещения относительно друг друга а также постоянное магнитное поле. При этом заряды, протекающие в области пространственного заряда, под действием переменного электрического поля отклоняются к хол- ловским Э 3, где устанавливается переменная ЭДС Холла. 2 ил. S (П

(pt/г. /

Изобретение относится к магнитным измерениям и предназначено для измерения ЭДС Холла в области пространственного заряда полупроводников на стадии промежуточного контроля в процессе изготовления приборов и интегральных схем.

Цель изобретения - повьшение надежности и достоверности измерений за счет возможности использования одного и того же устройства для измерения серии образцов без нарушения целостности их и за счет использования бесконтактного метода измерений. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Устройство содержит изоляционную пластину 1, первый потенциальный электрод (резистивный) 2, холловские 3 и токовые 4 электроды, держатели 5, размещенные на пластине 1, образец 6 и второй потенциальный электрод 7, находящийся в контакте с образцом.

Образец 6 укрепляют на держателях 5 исследуемой поверхностью к потенци альному электроду 2. При этом электрды 2 и 7 расположены друг под другом и укреплены на штативе (не показан) с возможностью вертикального перемещения относительно друг друга. Металлизированный электрод 8 опускают до соприкосновения с образцом и обеспечения электрического контакта с ним. На токовые электроды 4 подается переменное напряжение, которое из-за емкостной связи наводит в образце 6

высокочастотный ток, протекающий в плоскости образца. Одновременно с переменным напряжением создают электростатическое поле, перпендикулярное плоскости образца при подаче разности потенциалов между потенциальными электродами 2 и 7, а также постоянное магнитное поле. При этом заряды, протекающие в области пространственного заряда, под действием переменного электрического поля отклоняются к холловским электродам 3, где устанавливается измеряемая ЭДС Холла.

Формула изобретения

Устройство для измерения ЭДС Хола в области пространственного заряа, содержащее полупроводниковую пластину и пары холловских, токовых потенциальных электродов, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и достоверности измерений, в него введена дополнительная изоляционная пластина, с.держателями образца, на которой расположены холловские и токовые электроды и один из потенциальных электродов, выполненный в виде резистивной пленки, находящейся в электрическом контакте с холловскими и токовыми электродами, а другой потенциальный электрод расположен над полупроводниковой пластиной с возможностью вертикального перемещения для обеспечения электрического контакта с полупроводниковой пластиной.

Л-;}

Фиг. 2