Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для измерения полного содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах, изготовленных из перекомпенсированного полупроводникового материала.
Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения.
П р и м е р. В полупроводниковую пластину p-типа проводимости осуществляют загонку мелкой донорной примеси и формирование фотосопротивления. В результате измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) при одной полярности напряжения смещения определено заполнение ловушек V(+) = 16,8 В. Затем проводят измерение ВАХ при другой полярности напряжения смещения и определяют напряжение предельного заполнения ловушек V(-) = 4,14 В. По значению высокочастотной емкости С = 21 пф определяют толщину компенсированной области l = 
5 ˙10-4см, где κ - диэлектрическая проницаемость полупроводника; l - толщина активной области фоторезиста; e - абсолютная величина заряда электрона.
Полное содержание мелкой примеси в активной области находят по формуле
М = 
(V(+) + V(-)) и полученное значение М = 2,3˙1011 см-2. (56) Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу, М. : Мир, 1975, с. 213.
Ламперт М. , Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М. : Мир, 1973, с. 93.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| МДП-ТРАНЗИСТОР | 1986 |
|
SU1355061A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАДИОНУКЛИДА ТАЛЛИЙ-199 | 1990 |
|
SU1814425A1 |
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК | 2018 |
|
RU2706197C1 |
| СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 1991 |
|
RU2010004C1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕМРИСТОРА, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ | 2015 |
|
RU2585963C1 |
| Преобразователь механического давления в электрический сигнал | 1981 |
|
SU979923A1 |
| Способ контроля качества и надежностипОлупРОВОдНиКОВыХ СТРуКТуР C P-п пЕ-РЕХОдАМи | 1978 |
|
SU805213A1 |
| Способ определения параметров электронных состояний на поверхности полупроводниковых автокатодов | 1982 |
|
SU1072144A1 |
| СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ | 2007 |
|
RU2356128C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПОЛЕВОГО КАТОДА | 2003 |
|
RU2248066C1 |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. Согласно изобретению на фоторезисторе измеряют дважды вольтамперную характеристику при подаче на фоторезистор напряжений смещения противоположных полярностей и определяют напряжения, соответствующие резкому возрастанию токов. Эти напряжения соответствуют напряжениям предельного заполнения ловушек. Полное содержание мелкой примеси в активной области находят расчетным путем.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмуле
M = 
N(x)dx = 
(V(+)+V(-)),
где V+, V- - напряжения, соответствующие резкому возрастанию тока на вольтамперной характеристике фоторезистора при разных полярностях напряжения смещения;
Nx - локальная концентрация мелкой примеси, где x - координат точки в направлении, перпендикулярном плоскости контакта фоторезиста;
l - толщина активной области фоторезистора;
e - абсолютная величина заряда электрона;
κ - диэлектрическая проницаемость полупроводника.
