Блок возбуждения для доменной памяти Советский патент 1988 года по МПК G11C11/14 

со

00 00

со

4 О5

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности блока возбуждения.

На чертеже изображена принципиальная предлагаемого блока.

Блок возбуждения содержит источники 1 и 2 питания, источник магнитного поля уп- : равления в виде катушки 3 индуктивное- 10 I ти, два ключевых элемента на транзисторах 4 и 5, два демпфирующих элемента на полевых транзисторах б и 7 с изолированными затворами разной проводимости, два

где

UBX. изимкн

т - постоянная времени дифференцирующей цепи;

tn - время переключения транзисторов 4 и 5;

амплитуда напряжения на входе дифференцирующей цепи; минимальное значение напряжения на затворе полевого транзистора, при котором он находится в открытом состоянии. При выполнении этого условия обеспечивается шунтирование катушки 3 индуктив- ности транзисторами 6 и 7 на время переключения транзисторов 4 и 5, т. е. устранение помех, возникающих в катушке иннакопительных элемента на конденсаторах 8 дуктивности в момент переключения транзис- и 9 и два согласующих элемента на резисто- торов 4 и 5.

pax 10 и 11.В предлагаемом блоке возбуждения исКоллектор транзистора 4 соединен с поло- пользованы катушка «X 3 интегральной жительным полюсом источника 1 питания, микросхемы К1602РЦЗ, транзисторы КТ805Б эмиттер транзистора 4 - с коллектором 4 и 5, полевой транзистор КП909А 6 и его I транзистора 5 и первым выводом катуш- jo экспериментальный аналог 7 другой прово- ни 3 индуктивности, эмиттер транзисто- димости, конденсаторы 8 и 9 емкостью I ра 5 - с отрицательным полюсом источ- 10 пФ и резисторы 10 и 11 сопротивле- Г ника 2 питания, положительный полюс кото- нием 10 кОм любого типа, рого соединен с отрицательным полюсом ис-Предлагаемый блок возбуждения позвоточника 1 питания, и вторым выводом ка- ляет устранить помехи, возникающие в катушки 3 индуктивности. Два полевых тран- - т-ушке индуктивности в момент переключе- зистора 6 и 7 подключены стоками к пер- ния транзисторов, что дает возможность ис- вому выводу, а истоками; - к второму выводу катушки 3 индуктивности. Конденсаторы 8 и 9 включены между затвором I и стоком, а резисторы 10 и 11 - между I затвором и истоком полевых транзисторов 6 I и 7 соответственно. В исходном состоянии транзисторы 4, 5, 6, и 7 заперты, ток в катушке 3 индуктивности отсутствует.

Блок возбуждения для доменной памяти,

Блок возбуждения работает следующим 35 источники питания, источник образом.

Источники 1 и 2 питания поочередно подключаются к катушке 3 индуктивности с помощью транзисторов 4 и 5, на базы которых с устройства управления поочередно подаются управляюаше сигналы в виде пря- 40 вого транзистора - с коллектором второго моугольных импульсов положительной по- транзистора и первым выводом катушки индуктивности, эмиттер второго транзистора соединен, с отрицательным полюсом второго источника питания, положительный аолюс которого соединен с отрицательным полюсом первого источника питания и вторым выводом катушки индуктивности, отличаю- щийся тем, что, с целью повышения надежности блока возбуждения, он содержит два демпфирующих элемента в виде полецирую шие цепи , образованные конденсатора- 50 транзисторов с изолированными затво- ми 8 и 9 и резисторами 10 и 11, и пооче-Рами разной проводимости, два накопитель30

ключить вызываемые этими помехами сбои в работе запоминающего устройства и сохранить записанную в нем ранее информацию, т. е. повысить надежность блока возбуждения для доменной памяти.

Формула изобретения

магнитного поля управления в виде катушки индуктивности и два ключевых элемента на транзисторах, коллектор первого транзистора соединен с положительным полюсом первого источника питания, эмиттер перлярности, сдвинутых по фазе друг относительно друга на 180°, з результате чего в катушке 3 индуктивности формируется двунаправленный ток треугольной формы.

Положительные и отрицательные перепады импульсов, возник 1ющие в катушке 3 индуктивности в момент -переключения транзисторов 4 и 5, поступают на затворы полевых транзисторов 6 и 7 через д ифферен45

редно открывают полевые транзисторы б и 7. Постоянные времени дифференцируюш,их цепей в реальном устройстве выбираются из условия

t

ных элемента на конденсаторах и два согласующих элемента на резисторах, причем стоки полевых транзисторов подключены к первому выводу, а истоки - к второму вы- 55 воду катушки индуктивности, конденсаторы включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком соответствующих полевых транзисторов.

Цех 17 3U мин

где

UBX. изимкн

tn -

При вы тся ш ти тра чения ие пом

ляет устранить помехи, возникающие в кат-ушке индуктивности в момент переключе- ния транзисторов, что дает возможность ис-

ключить вызываемые этими помехами сбои в работе запоминающего устройства и сохранить записанную в нем ранее информацию, т. е. повысить надежность блока возбуждения для доменной памяти.

Формула изобретения

источники питания, источник

вого транзистора - с коллектором второго транзистора и первым выводом катушки индуктивности, эмиттер второго транзистора соединен, с отрицательным полюсом второго источника питания, положительный аолюс которого соединен с отрицательным полюсом первого источника питания и вторым выводом катушки индуктивности, отличаю- щийся тем, что, с целью повышения надежности блока возбуждения, он содержит два демпфирующих элемента в виде полемагнитного поля управления в виде катушки индуктивности и два ключевых элемента на транзисторах, коллектор первого транзистора соединен с положительным полюсом первого источника питания, эмиттер транзисторов с изолированными затво- Рами разной проводимости, два накопительных элемента на конденсаторах и два согласующих элемента на резисторах, причем стоки полевых транзисторов подключены к первому выводу, а истоки - к второму вы- воду катушки индуктивности, конденсаторы включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком соответствующих полевых транзисторов.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих, устройств на цилиндрических магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежнос ти блока возбуждения. Блок возбуждения содержит источники питания 1 и 2, источник ма1 нитного поля управления в виде катуш-. ки и ндуктивности 3, два ключевых элемента на транзисторах 4 и 5, два демпфируюш,их элемента на полевых транзисторах 6 и 7 с изолированными затворами разной проводимости, два накопительных элемента на конденсаторах 8 и 9 и два согласую.-. ш,их элемента на резисторах 10 и П. В блоке возбуждения коллектор транзистора 4 соединен с положительным полюсом источника питания I, эмиттер транзистора 4 - с коллектором транзистора 5 и первым выводом катушки 3 индуктивности, эмиттер транзистора 5 соединен с отрицательным полюсом источника 2 питания, положительный полюс которого соединен с отрицательным полюсом источника I питания и вторым выводом катушки 3 индуктивности, два полевых транзистора 6 и 7 подключены стоками к первому выводу, а истоками - к второму выводу катушки 3 индуктивности, конденсаторы 8 и 9 включены между затвором и стоком, а резисторы - между затвором и истоком полевых транзисторов 6 и 7 соответственно. В исходном состоянии транзисторы 4, 5, 6, 7 заперты, ток в катушке индуктивности 3 отсутствует. 1 ил. а S (Л