ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ Советский патент 1994 года по МПК G01L9/04 

Описание патента на изобретение SU1389412A1

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения давления жидких и газообразных сред.

Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования.

На чертеже изображен предлагаемый датчик.

Интегральный датчик давления содержит мембрану 1, на периферии которой размещены два p-n-p-тензотранзистора 2 и 3. Тензотранзисторы 2 и 3 размещены на кремниевой мембране так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора 2 параллельна, а у другого тензотранзистора 3 перпендикулярна кристаллографическому направлению <111>. Плоскость мембраны 1 при таком расположении тензотранзисторов 2 и 3 должна совпадать с кристаллографической плоскостью (110).

Интегральный датчик давления работает следующим образом. Измеряемое давление воздействуя на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3, следовательно изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии транзотранзисторов, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличивается.

Интегральный датчик давления характеризуется высоким значением коэффициента преобразования и возможностью его изготовления в миниатюрном исполнении.

(56) Ваганов В. И. , Поливанов П. П. Интегральный транзисторный преобразователь давления. Электронная техника. Сер. 11, в. 4, 1975, с. 82-92.

Авторское свидетельство СССР N 491059, кл. G 01 L 23/18, 1975.

Похожие патенты SU1389412A1

название год авторы номер документа
Интегральный преобразователь давления 1986
  • Бритвин Сергей Олегович
  • Ваганов Владимир Иванович
SU1471094A1
Интегральный преобразователь давления 1990
  • Гузь Владимир Николаевич
  • Бабичев Геннадий Григорьевич
  • Жадько Иван Павлович
  • Козловский Сергей Иванович
  • Романов Валентин Александрович
SU1783331A1
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ 1985
  • Бритвин С.О.
  • Ваганов В.И.
  • Эрглис И.К.
SU1387812A1
Интегральный преобразователь механического воздействия 1985
  • Беклемишев Виталий Викторович
  • Бритвин Сергей Олегович
  • Ваганов Владимир Иванович
SU1328700A1
КРЕМНИЕВЫЙ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СОКОЛОВА 2006
  • Соколов Леонид Владимирович
RU2327125C2
Датчик давления крови 1975
  • Тихонов Юрий Николаевич
  • Матвеев Александр Петрович
SU542509A1
ЧАСТОТОРЕЗОНАНСНЫЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧАСТОТОРЕЗОНАНСНЫЙ ДАТЧИК ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ 2017
  • Поляков Владимир Борисович
  • Поляков Александр Владимирович
  • Одинцов Михаил Александрович
RU2690699C1
Интегральный тензопреобразователь и способ его изготовления 1991
  • Ваганов Владимир Иванович
  • Пряхин Геннадий Дмитриевич
SU1827532A1
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 1988
  • Афанасьев М.М.
  • Бритвин С.О.
  • Ваганов В.И.
  • Червяков С.М.
SU1545877A1
Интегральный преобразователь давления 1989
  • Ульянов Владислав Викторович
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Михайлов Петр Григорьевич
SU1749731A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 389 412 A1

Реферат патента 1994 года ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Цель изобретения - увеличение коэффициента преобразования. Давление, которое измеряется, воздействует на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3 и, следовательно, изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии тензотранзисторов 2 и 3, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличится. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 389 412 A1

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).

SU 1 389 412 A1

Авторы

Беклемишев В.В.

Бритвин С.О.

Ваганов В.И.

Даты

1994-02-28Публикация

1985-12-24Подача