1 . ,
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к микроэлектронным преобразователям механических воздействий.
Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования,
На фиг.1 представлено топологическое размещение и ориентация р-п-р-тензотранзисторо в горизонтальной структуры на кремниевой пластине с упругим элементом в виде прямоугольной мембраны; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1; на фиг.З - тензотран- зистор.
Пары р-п-р-тензотранзисторов 1 и 2, обладающие противоположными знаками чувствительности, содержащие каждый базовую область 3 и контакт к ней 4, эмиттернуто область 5 и объединенные вместе коллекторные области
I2
6 и 7, ориентация которых определяется осью 8,-проходящей от эмиттера к коллектору, на упругом элементе в виде прямоугольной профилированной мембраны 9 плоскость которых совпадает с плоскостью (ЮО), расположены в центре и на периферии мембраны в середине ее длинной стороны .так, что оси 8, проходящие от эмиттера к коллектору, у обоих тензотранзисторов J и 2 параллельны, эта ось параллельна близлежащему краю мембраны и параллельна направлению «СПО.
Преобразователь работает следующим образом.
При воздействии на преобразователь измеряемого давления происходит .деформация.упругого элемента преобразователя, при этом в местах расположения тензотранзисторов 1 и 2
со
4
возникают механические напряжения, приводящие к деформационным изменениям ИХ-.характеристик. Форма упругого элемента, расположение и ориентация на нем тензотранзисторов выбраны таким образом, что в области обоих тензотранзисторов создается напряженное-, состояние, близкое к одноосному, для одного тензотранзистора - растя- женив, для другого - сжатие, при это сами тензотранзисторы .ориентированы относительно возниканяцих механических напряжений одинаковым образом (параллельно либо перпендикулярно..
Использование в преобразователе интегральных р-п-р-тензотранзисторов горизонтальной структуры позволяет получить высокий коэффициент преобразования .
Формула изобретения
Интегральный преобразователь давления, содержащий кремниевую пластиQ5
С
5
ну с плоскостью ориентации. (100) с профилированной в ней прямоугольной мембраной, содержащей два жестких выступа, расположенных симметрично по обе стороны от продольной оси мембраны и симметрично расположенных на ее поперечной оси, и сформированные на мембране тензочувствительные элементы, один из которых.расположен в центре между выступами, а другой между выстзшом и краем мембраны . симметрично на ее поперечной оси, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, в нем тензочувстви- тельные элементы выполнены в виде jp-n-p-тензотранзисторов, противоположных знаков тензочувствительности, |оси которых, ..проходящие от эмиттера к коллектору, совпадают с кристаллографическим направлением :ПО, причем оси обоих тензотранзисторов параллельны между собой и перпендикулярны поперечной оси мембраны.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Интегральный преобразователь давления | 1990 |
|
SU1783331A1 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ | 1985 |
|
SU1387812A1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1985 |
|
SU1389412A1 |
Интегральный преобразователь механического воздействия | 1985 |
|
SU1328700A1 |
Интегральный тензопреобразователь механического воздействия и способ его изготовления | 1991 |
|
SU1778571A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2316743C2 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1988 |
|
SU1545877A1 |
Интегральный тензопреобразователь и способ его изготовления | 1991 |
|
SU1827532A1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1987 |
|
SU1482480A1 |
Интегральный тензопреобразователь и способ его изготовления | 1991 |
|
SU1827531A1 |
Интегральный преобразователь давления предназначен для измерения давлений посредством преобразования деформации мембраны в электрический сигнал с повышенным коэффициентом преобразования. Форма мембраны, расположение и ориентация на ней тензотранзисторов выбраны таким образом, что в области обоих тензотранзисторов создается напряженное состояние, близкое к одноосному, для одного тензотранзистора - растяжение, для другого - сжатие. Оси тензотранзисторов противоположных знаков тензочувствительности, проходящие от эмиттера к коллектору, совпадают с кристаллографическим направлением *98110*98, причем оси тензотранзисторов параллельны между собой и перпендикулярны поперечной оси мембраны. 3 ил.
г
i
т
(100)
2П Jin
а-114 ио
1д
А-А
Фи.г.1
Фаг. 2
..x-ESi a
4
А-А
3
Микроэлектронный преобразователь давления | 1973 |
|
SU491059A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Элек трони са, 1980, т, 53, № 24 |
Авторы
Даты
1989-04-07—Публикация
1986-12-29—Подача