Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензопреобразовате- лям давлений, сил и других механических воздействий.
Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования.
На фиг.. 1 представлена топология преобразователей, изготовленных на упругих элементах различной формы; на фиг. 2 - интегральный преобразователь, изготовленный на квадратном упругом элементе, общий вид.
Преобразователь содержит п-р-п-тензо- транзисторы 1 и 2 с эмиттерными 3, базовыми 4 и коллекторными 5 контактами, изготовленные в упругом элементе 6 кремние- вой пластины 7, тензорезисторы 8- 11, соединительные алюминиевые дорожки 12 и входные и выходные контакты 13-17.
Эмиттерный контакт 3тензотранзистора 1 соединен дорожкой 12 с эмиттерным контактом 3 тензотранзистора 2 и входным контак- том 13. Базовые контакты 4 тензотранзисто- ров 1 и 2 через тензорезисторы 11 и 8 соответственно соединены с входным контактом 14, коллекторные контакты 5 тензо- транзисторов 1 и 2 через тензорезисторы 9 и 10 соответстенно - с входным контактом 15, а коллекторный контакт 5 тензорезистора 2 соединен дорожкой 12 с выходным контактом 16, коллекторный контакт 5 тензотранзистора 1 - с выходным контактом 17. Вся схема изготовлена на кремниевом упру- го.м элементе 6 в теле кремниевой пластины 7.
Преобразователь работает следующим образом.
Тензочувствительность коэффициента усиления тока базы тензотранзисторов зави- сит от расположения тензотранзистора на упругом элементе, а Тензочувствительность
0
5
0 5 О
5
пассивного сопротивления его базы зависит от направления базового тока, т. е. от ориентации оси, проходящей от эмиттерного к базовому контакту относительно кристаллографической плоскости, в которой ориентирована кремниевая пластина. Для упругих элементов различных форм и ориентации в кристаллографических плоскостях одновременный выбор расположения тензотранзисторов и ориентации их осей приводит к тому, что Тензочувствительность коэффициента усиления тока базы и пассивного сопротивления базы тензотранзисторов максимальны и противоположны по знаку. Этим определяется увеличение коэффициента преобразования в целом.
Оси тензотранзисторов ориентируют, например, следующим образом. Они направле- нь вдоль кристаллографического направления 110 для упругих элементов, поверхность которых ориентирована в кристаллографической плоскости ЮО : При ориентации поверхности в кристаллографической плоскости 110 оси ориентируют в направлении 111.
Формула изобретения
Интегральный преобразователь .механического воздействия, содержащий кремниевый упругий элемент с изготовленными в нем планарными п-р-п-тензотранзисторами, расположенными в центре упругого элемента и на его периферии, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, оси периферийного и центрального тензотранзисторов, проходящие от эмиттер- ных к базовым контактам, параллельны между собой, причем у периферийного тензотранзистора эта ось перпендикулярна ближайшему краю упругого элемента.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Интегральный преобразователь давления | 1990 |
|
SU1783331A1 |
Интегральный преобразователь давления | 1986 |
|
SU1471094A1 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ | 1985 |
|
SU1387812A1 |
Интегральный тензопреобразователь механического воздействия и способ его изготовления | 1991 |
|
SU1778571A1 |
ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1986 |
|
SU1393265A1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1985 |
|
SU1389412A1 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БАЛОЧНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 1992 |
|
RU2006993C1 |
Полупроводниковый тензопреобразователь | 1983 |
|
SU1138750A1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ВАРИАНТЫ) | 2008 |
|
RU2400864C2 |
Полупроводниковый тензопреобразователь | 1985 |
|
SU1415086A2 |
Изобретение относится к тензопреоб- разователям давлений, сил и других механи/4 ческих воздействий. Цель изобретения - увеличение коэффициента преобразования. Преобразователь содержит транзисторы 1 и 2 с эмиттерными 3, базовыми 4 и коллекторными 5 контактами, изготовленными в упругом элементе 6 кремниевой пластины 7, тензорезисторы 8-11 соединительные дорожки 12 и контакты 13-17. Для упругих элементов различных форм и ориентации в кристаллографических плоскостях одновременный выбор расположения тензотранзисто- ров и ориентации их осей приводит к тому, что тензочувствительность коэффициента усиления тока базы и пассивного сопротивления базы транзисторов I и 2 максимальны и противоположны по знаку. Этим определяется увеличение коэффициента преобразования. 2 ил. 17 / В (Л W 13 со ISD 00 фиг. 2
Редактор О. Юрковецкая Заказ 3477/45
Составитель В. Шестак
Техред И. ВересКорректор Г. Решетник
Тираж 776Подписное
ВНИИПИ ГосударстЕ енно10 комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж--35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Ваганов В | |||
И., Поливанов П | |||
П | |||
Интегральный транзисторный преобразователь давления.-ЭТ, сер | |||
Походная разборная печь для варки пищи и печения хлеба | 1920 |
|
SU11A1 |
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды | 1921 |
|
SU4A1 |
Способ размножения копий рисунков, текста и т.п. | 1921 |
|
SU89A1 |
Микроэлектронный преобразователь давления | 1973 |
|
SU491059A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1987-08-07—Публикация
1985-12-24—Подача