Электрофотографический материал Советский патент 1988 года по МПК G03G5/08 

:о

Изобретение относится к электрофотографическим материалам и может быть использовано для регистрации и хранения информации в электрофотогра- ,

фИИс

Целью изобретения является улучшение качества материала за счет повышения его интегральной фоточувствительности.10

Пример 1, Электрофотографический материал получают следующим образом.

На первом этапе получают соедице- ние Cdin GaS, легированное серой 15 0,4 . С этой целью в горизонталь- но расположенную печь сопротивления, предварительно нагретую до 900°С, вводят откачанную до Рё10 Па и запаянную кварцевую ампулу, содержа- 20 щую навеску исходных компонентов сое динения Cd In GaS в стехиометричес ком соотношении и дополнительно серу в количестве - 0,Д аТо%„ Ампулу располагают так, что треть ее длины вы- 25 ступает из печи. После- того, как часть ампулы, находяш;аяся внутри печи, нагреется до температуры печи, начинает бурно протекать реакция образования соединения, сопровождаемая ин- ЗО тенсивным свечением внутри ампулы, При этом пары серы, еще не вступившие в реакцию, конденсируются в хо. лодном оттянутом конце ампулы, снижая давление ее паров и тем самым пре- , дотвращая взрыв По мере протекания реакции ампулу слегка вдвигают внутрь печи и в реакционную часть ампулы подают новую порцию серы, реакция возобновляется с прежней интенсив- Q ностьюо Процесс ведут до тех пор, пока компоненты полностью не вступят в реакцию После полного прохождения реакции температуру в печи повышают до 1000°С (температура плавления 45 соединения CdlnGaS составляет 970°С) и происходит переплавка продукта реакции в.течение 2 ч. Затем осуществляют медленное охлаждение печи с ампулой При этом получают Q кристаллические слитки.

Чистота компонентов следующая: Cd 99,999%i In 99,999%; Ga 9,999%; S 99,9999%.

Ha втором этапе приготовления „ электрофотографического материала порошок соединения CdlnGaS45 легированного серой 0,4 ат„%, диспергируют совместно Со связующей средой в шаровой мельнице, В качестве связующей среды используют раствор поливинилбутираля марки ПШ в этиловом спирте. Полученную однородную суспензию в соотношении 5:1 ровным слоем наносят на алюминиевую подложку, обезжиренную и протравленную в 10%-ном растворе КОН Полученный слой толщиной 15 мкм сушат сначала при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем при 100 С 1 ч„

Оптимальное содержание компонентов следующее: CdlnGaS, легированный серой 0,4 ат„%, 1 г; поливинилбу тираль 0,2 г;зтиловый спирт 2,3 мл.

П р и м ер 2-6. Электрофотографический материал получают аналогично примеру 1 с той лишь разницей, что легирующего компонента - серы - содержится соответственно 0,65 0,8; 1,0; 1,2 и 1,4 ат.% в фотопроводниковом соединении Sdl.nGaS.

Основные параметры электрофотографического материала с фотопроводниковым соединением CdInGaS4, легированным серой в различном количестве, приведены в таблице

Электростатическое очувствление образцов производят в коронном разряде при положительном и отрицательном поверхностных потенциалах Экспонирование осуществляют лампой накаливания с применением нейтральных светофильтров и затвора

Как видно из таблицы, предлагаем мый электрофотографический материал превосходит :прототип в 2-3,4 раза по фоточувствительности при контрасте 500В

Формула изо.бретения

Электрофотографический материал состояшрй из низкоомной электропроводящей подложки и нанесенного на нее фоточувствительного слоя, содержащего фотоприемник на основе CdlnGaS H связующее, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества материала за счет повышения его интегральной фоточувствительности, фоточувствительвый слой содержит CdtnGaS, легированный серой, в количестве 0,4 - 1,4 ат.%.

{ едпагаемыЙ материал

1 .

2

3

4 5

6 рототип

0,4 0,6 0.8 1,0 1,2

1,4 О

820 880 930 900 900 860 750

820

:900

950

910

900870 40

75020

35 45 55 50 50

350,0200,0236555

450,026,0,0355550

550,0340,0454535

500,0320,0424535

450,0280,0375050

400,0220,0316055

200,0100,0107070

Изобретение.относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество материала за счет повьшения его интегральной фоточувствительности. На низкоомную электропроводящую подложку наносят фоточувствительный слой, Содержавши фотопроводник на основе Cd I п GaS , легированный серой в количестве 0,4-1,4 ат„%, и связующее, 1 табЛо