Электрофотографический носитель информации Советский патент 1991 года по МПК G03G5/85 G03G5/08 

Изобретение относится к электрофотографическим носителям информации и может быть использовано в копировально-множительной технике и выводных устройствах к ЭВМ. .

Целью изобретения является улучшение качества носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400-800 нм.

Пример. Электрофотографический носитель информации изготовляют вакуумным напылением на электропроводящую подложку. На первом этапе в фотопроводниковый слой из аморфного селена вводят висмут путем соиспарения. Температура расплава селена составляет 300°С, а температуру висмута изменяют в диапазоне 600 -700°С. Это позволяет достигнуть градиентного распределения висмута в селене 0.-05-5.0 ат. %. Затем испаряют только селен и получают слой аморфного селена. Температура подложки в процессе получения слоев селена составляет 70°С. Толщина легированного висмутом слоя селена 70 мкм, слоя селена 1-5 мкм.

Основные электрофотографические характеристики приведены в таблице.

Как видно из результатов, приведенных в табице, скорость темнового спада в 2,5/ раза ниже, а величина экспозиции, необходимая для регистрации информации, почти в 300 раз меньше по сравнению с известным носителем информации.

Формула изобретения Элеткрофотографический носитель информации, состоящий из электропроводящей подложки и нанесенных на нее двух фотопроводниковых слоев на основе аморфного селена, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувстви(Л

С

о ел

д

ю о сь

тельности в диапазоне длин волн 400- 800 нм носителя, фотопроводниковый слой, прилегающий к подложке, легирован висмутом с возрастающей концентрацией от 0,05 ат.% у подложки до 5,0 ат.% у поверхностного слоя.

Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400- 800 нм. На электропроводящую подложку сначала наносят слой аморфного селена, легированного висмутом с возрастающей кон-, центрацией от 0,05 ат.% у п одложки до 5,0 ат,% у поверхностного слоя. Затем на данный слой наносят аморфный селен. 1 табл,