Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для контроля подвижности неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах, используемых для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Цель изобретения упрощение и обеспечение определения подвижности в образцах большей толщины.
На чертеже приведена схема устройства для реализации способа.
Устройство содержит зеркало 1, магнит или электромагнит с полюсами 2, источник света 3, блок 4 измерения фототока.
П р и м е р. Определена подвижность неосновных носителей заряда в кремниевой пластине n-типа с удельным сопротивлением 300 Ом˙см. Выпрямляющий контакт получают в виде р+-области на поверхности образца путем локальной диффузии. Омический контакт располагают с противоположной стороны полупроводниковой пластины, где имеется n+-слой. Образец помещают в зазор между полюсами 2 электромагнита постоянного тока, и при отсутствии магнитного поля измеряют напряжение Uф на нагрузочном сопротивлении (R=51 кОм), освещая образец монохроматическим светом длиной волны 0,55 мкм. Полученное таким путем значение напряжения составляло Uф=1,0273 мВ. Затем измеряют напряжение Uф при включенном электромагните, вектор индукции В которого (В=1,53 Т) перпендикулярен поверхности образца. Измеренное напряжение имело значение Uф= 1,0252 мВ. После этого определяют подвижность μ неосновных носителей заряда по формуле
μ 
1
= 418
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано для контроля подвижности неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах, используемых для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является упрощение и обеспечение определения подвижности в образцах большей толщины. На поверхности образца в виде полупроводниковой пластины изготавливают выпрямляющий контакт. Освещая поверхность образца со стороны выпрямляющего контакта, измеряют фототок при отсутствии и наличии магнитного поля, направленного перпендикулярно поверхности образца. По полученным значениям фототоков вычисляют значение подвижности неосновных носителей заряда, инжектированных освещением. Измерение фототока данным способом может производиться у образцов большей толщины, чем способами, основанными на измерении фотолюминесценции на противоположной освещаемой поверхности образца. Способ более прост, так как не требует изготовления образцов в виде тонких пластин. 1 ил.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формуле
где B индукция магнитного поля;
Iф фототоки через выпрямляющий контакт при отсутствии и
Iфв при наличии магнитного полей соответственно.
| Способ определения подвижности неосновных носителей заряда | 1982 |
|
SU1056316A1 |
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
