СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНОГО ЗАТВОРА ЛАЗЕРА Советский патент 1999 года по МПК H01S3/11

Похожие патенты SU1409082A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНОГО ЛАЗЕРНОГО ЗАТВОРА	1990	Непомнящих А.И. Токарев А.Г. Фигура П.В. Черняго Б.П. Пензина Э.Э. Попов Л.Г.	RU2023064C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ ЩЕЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ	2013	Евстропьев Сергей Константинович Егоров Валерий Юрьевич Рейтеров Владимир Михайлович Смирнов Андрей Николаевич	RU2543876C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНО-АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ	1995	Смольская Л.П.	RU2146727C1
Способ обработки монокристаллов гранатов	1988	Анисимов Вячеслав Иванович Жеков Владимир Иванович Кислецов Александр Васильевич Мурина Тамара Михайловна Попов Александр Владимирович Федоров Евгений Андреевич	SU1638221A1
КЕРАМИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ МАТЕРИАЛ С ДВОЙНИКОВОЙ НАНОСТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ	2007	Басиев Тасолтан Тазретович Осико Вячеслав Васильевич Конюшкин Василий Андреевич Федоров Павел Павлович Кузнецов Сергей Викторович Дорошенко Максим Евгеньевич	RU2358045C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ	1981	Иванов Н.А. Михнов С.А. Хулугуров В.М. Чепурной В.А. Шкадаревич А.П. Янчук Н.Ф.	SU1064835A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ	1982	Иванов Н.А. Хулугуров В.М. Чепурной В.А. Шнейдер А.Г.	SU1102458A1
Оптическая щелочно-алюмо-боратная стеклокерамика с ионами хрома	2021	Бабкина Анастасия Николаевна Зырянова Ксения Сергеевна Никоноров Николай Валентинович Кульпина Екатерина Витальевна	RU2777297C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА	1985	Иванов Н.А. Михаленко А.А. Хулугуров В.М. Непомнящих А.И.	SU1331394A1
Способ обработки кристаллов L @ F	1990	Васев Евгений Николаевич Спицына Валентина Даниловна	SU1772223A1

Реферат патента 1999 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНОГО ЗАТВОРА ЛАЗЕРА

Способ изготовления пассивного затвора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание кристалла, легированного двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов, аддитивное его окрашивание в парах щелочного металла, закаливание при 300 - 400^oC, измерение коэффициента поглощения в максимуме F-полосы поглощения, отбор кристаллов с коэффициентом поглощения 30 - 300 см^-1, облучение отобранных кристаллов светом с длинами волн от 400 до 900 нм, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн лазера, кристаллы облучают таким образом, чтобы длительность облучения t_обл удовлетворяла соотношению

где D - оптическая плотность кристалла при длине волны излучения 2,1 мкм;
a - коэффициент пропорциональности.

SU 1 409 082 A1

Авторы

Соболев Л.М.

Лукин А.В.

Ермаков Б.А.

Брюквин В.В.

Макушев К.А.

Пензина Э.Э.

Даты

1999-08-20—Публикация

1986-05-06—Подача