Способ выборки запоминающего элемента в матричном накопителе на биаксах Советский патент 1988 года по МПК G11C7/00 

Изобретение относится к вычисли- тельной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминающих устройств на би- аксах.

Цель изобретения - расширение области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД,

На фиг. 1 изображена схема прошивки биаксов в накопителе; на фиг,2 - временная диаграмма токов.

В соответствии с предложенным способом выборку запоминающего элемента в накопителе на биаксах осуществляют следующим образом.

Для выборки биакса 1,-в который надо записать ийформацию, в накопителе, состоящем из биаксов 1-16, прошитых до адресным отверстиям груп- пами взаимно ортогональных шин X - Х4 и Y1 - Y4, пр опускагот последовательность из импульсов тока одной полярности по шине XI, и другую пос- ледовательность из импульсов противоположной полярности по шине Y1. В реWK

зультате в выбранном биаксе.формируется последовательность из разнопо- лярных импульсов (фиг,2), Поскольку такая последовательность импульсов формируется лишь в выбранном биаксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах.

Формула изобретения

Способ выборки запоминающего элемента в матричном накопителе на биак- сах, прошитых по адресным отверстиям

группами взаимоортогональных шин X и Y, основанный на подаче импульсов тока по выбранным шинам X и Y, о т - личающийск тем,что, с целью расширения области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД, подачу импульсов тока в выбранные шины X и Y осуществляют последовательно пропуская импульс тока одной полярности по шине X, а затем импульс тока другой полярности по шине Y,

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении долговременных запоминаилдих устройств на- биаксах. Цель изобретения - расширение области применения способа путем выборки запоминающих элементов в накопителях системы ЗД. В соответЯ, W Ю Д4 ствии с предложенным способом выборку запоминающего элемента в накопителе на биаксах осуществляют следующим образом. Для выборки биакса 1, в который надо записать информацию, в накопителе, состоящем из биаксов 1-16, прошитых по адресным отверстиям группами взаимно ортогональных шин . XI-Х4 и YJ- 3f4, пропускают последовательность из импульсов тока одной полярности по шине XI, а другую последовательность из импульсов противоположной полярности - по шине У1 . В результате в выбранном би- аксе формируется последовательность из разнополярных импульсов. Поскольку такая последовательность импульсов формируется лишь в выбранном би- аксе, способ может быть использован в накопителях системы ЗД на биаксах. 2 ил. с $ С/; с 4 а

Д1

Yt

Выбранный

ЗианСпГ

ни U Ll. Т Л Л ГГ

БТИ U L