Изобретение относится к фотозаписи на слое аморфного полупроводника, измеряющего оптическую плотность, коэффициент отражения и преломления света под непосредственным действием активного света в процессе создания изображения, и может быть использовано в устройствах записи-считывания оптической информации, голографии; технической фотографии.
Целью изобретения является повышение контрастности изображения.
По предлагаемому способу одноступенчатой фотозаписи на слое аморфного полупроводника путем облучения оптическим излучением с энергией кванта, большей или равной ширине запрещенной зоны полупроводникового материала, процесс напыления которого проводится в темноте, запись проводят непосредственно во время напыления слоя полупроводника.
Способ основан на явлении нелинейного поглощения в халькогенидных стеклах (ХС) при свеохслойной интенсивности оптического излучения.
Способ поясняется следующим примером.
Получали слои ХС типа As-Se на стеклянных подложках методом напыления в вакууме (10 мм рт.ст„),толщина получаемого слоя ХС по 3 мкм„ Напыление проводили в обычном режиме путем распыления из нагреваемого танталового держателя, время напыления 45-60°С. Напыление проводили в темной камере. Для записи изображения использовали белый свет интенсивностью 15-90 лк, при этом изображение проектировалось на напыляемый слой ХС во время процесса напыления в течение 50 с. После напыления образец изучали при обычном дневном освещении.
Обнаружено, что на слое ХС остается изображение, которое проектировалось на слой ХС во время напыления. Записанное изображение является
§
(Л
с
о
О
31661711л
контрастным и остается на слое ХС запись которого осуществляют путем не менее 10 сут. Чувствительность облучения оптическим излучением с ХС к записи оптического изображения энергией кванта, большей или равной оказалась не ниже 510 Дж/см2. с ширине запрещенной зоны материала,
при этом процесс напыления проводит- Формула изобретениясяв темноте, отличающийс я тем, что, с целью повышения
Способ записи и считывания опти- контрастности изображения, запись ческой информации на слое аморфного ю Па°ДЯТ непосредственно во время полупроводникового материала, полу- процесса напыления слоя аморфного ченного методом напыления в вакууме, полупроводникового материала.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ | 1990 |
|
RU2028015C1 |
| Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации | 1986 |
|
SU1418641A1 |
| Фоточувствительный материал | 1974 |
|
SU528799A1 |
| СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА ХАЛЬКОГЕНИДНОЙ ПЛЕНКЕ | 2005 |
|
RU2298839C1 |
| Носитель для записи оптических изображений и голографической информации | 1990 |
|
SU1716567A1 |
| Способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла | 1978 |
|
SU775760A1 |
| СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПРЕЛОМЛЕНИЯ В ХАЛЬКОГЕНИДНОМ СТЕКЛЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2002 |
|
RU2255362C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РИСУНКА НА ПОВЕРХНОСТИ АМОРФНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФАЗОПЕРЕМЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2022 |
|
RU2786788C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД ДЛЯ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА | 2002 |
|
RU2286618C2 |
| Способ формирования профиля показателя преломления в волоконных световодах и планарных волноводах из халькогенидных стекол | 1988 |
|
SU1753440A1 |
Изобретение относится к одноступенчатой фотозаписи на слое аморфного полупроводника, изменяющего оптическую плотность, коэффициент отражения и преломления света под непосредственным воздействием активного света в процессе создания изображения, при котором повышается контрастность изображения. Для этого халькогенидный стеклообразный полупроводник получают в темноте, а процесс записи ведут во время процесса нанесения слоя путем проецирования изображения излучением с энергией кванта H*98H*02Hд, где Eд - ширина запрещенной зоны полупроводника.
| Авторское свидетельство СССР № 1563445, кл | |||
| Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
