Устройство для измерения магнитных полей Советский патент 1988 года по МПК G01R33/32 

(Л

с

V3

.

ю

о

СП

сл

со

Изобретение относится к магнитным измерениям, а именно к способам измерения магнитного поля, основанным на регистрации смещения доменных стенок (ДС) в чувствительном элементе при введении его в исследуемое поле.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем измерения также и составляющей магнитного поля, лежащей в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит источник 1 света, поляризатор 2, феррит-гранатовую планку 3 с полосовой доменной структурой, маску 4, анализатор 5, фотоприемник 6, блок 7 усиления и индикации и катушки 8 поля смещения.

Работа устройства осуществляется следующим образом.

Выбирают источ.ник 1 света (лазер, све- тодиод), имеющий длину волны в области окна прозрачности и достаточно высокой магнитооптической добротности кристаллов ферритов-гранатов (0,5-5 мкм). Контактным или любым другим методом в поляризованном свете изготавливают маску 4 (например, на фотопленке типа микрат), представляющую собой негативный отпечаток доменной структуры выбранной эпитаксиаль- ной феррит-гранатовой пленки 3. Пленку с наложенной на нее маской помещают между поляризатором 2 и анализатором 5 перпендикулярно падающему потоку излучения, прошедшую часть которого регистрируют с помощью фотоприемника 6. Выходной сигнал последнего поступает на блок 7 усиления и

0

0

индикации. Для получения стабильной полосовой доменной структуры во время изготовления маски и последующих измерений к феррит-гранатовой пленке можно приложить постоянное смещающее магнитное поле под небольшим углом (1-5°) к ее плоскости. Тогда измеряемое поле приводит не только к повороту доменной структуры, но и к изменению ее периода, что также регистрируют с помощью указанной схемы. Необходимая для измерений полосовая доменная структура в пленке реализуется, когда одноосная перпендикулярная анизотропия превалирует над кубической, или при наличии наклона оси легкого намагничивания, или в присутствии поля смещения Ном. В последнем случае регулирования Нем можно варьировать чувствительность способа.

Формула изобретения

Устройство для измерения магнитных полей, содержащее оптически последовательно расположенные источник света, поляризатор, магнитоодноосную прозрачную пленку с доменной структурой, анализатор, фотоприемник, соединенный со схемой индикации, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет измерения составляющей магнитного поля, лежащей в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки, и повышения чувствительности устройства, в него дополнительно введена непрозрачная маска, выполненная в виде негативного отпечатка полосовой доменной структуры магнитоодноосной пленки и расположенная между пленкой и анализатором.

Изобретение относится к магнитным измерениям, основанным на регистрации смещения доменных стенок в чувствительном элементе при введении его в исследуемое поле. Устройство для измерения магнитных полей содержит источник 1 света, поляризатор 2, магнитоодноосную прозрачную пленку 3 с доменной структурой, анализатор 5, фотоприемник 6, непрозрачную маску 4 в виде негативного отпечатка полосовой доменной структуры магнитоодноосной пленки, блок 7 усиления и индикации и катушку 8 поля смещения. Устройство позволяет измерить также и составляющую магнитного поля, лежащую в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки. 1 ил.