Устройство для защиты МДП-интегральных схем от статического электричества Советский патент 1988 года по МПК H03K19/94 

af

3 9

: Изобретение относится к электрон- ной texникe, а именно к устройствам дл5 защиты ЩП-интегральных схем (ИС) :от статического электричества, и мо- ;жет быть использовано в полупровод- -никовом производстве при разработке и конструировании ИС на НЦП-транзис- торах.

i Цель изобретения - улучшение за- щитных свойств устройства в результанте уменьшения напряжения между общей Яшиной ИС и ее подложкой. ; На чертеже представлена схема уст- 1ройства для защиты МДП-интегральных |схем от статического электричества. Устройство содержит биполярные транзисторы 1, первый вывод 2 устрой- ;ства, соедине«ный с эмиттерами тран- :зисторов 1, второй выход 3 устройст- ;ва, соединенный с б азами транзисторов ;1, выводы 4 коллекторов соответствую- (щих транзисторов 1, дополнительный биполярный транзистор 5, эмиттер кото |рого соединен с выводом 2 устройства, а коллектор и база - с выводом 3 устройства. Устройство соединено с интегральной схемой 6. Каждый из за- шргщаемых выводов 7 ИС соединен с одними из выводов 4. Вывод 8 подложки соединен со вторым выводом 3 устройства, а общая шина 9 ИС - с первым выводом 2 устройства.

Устройство работает следующим образом.

При воздействии статического электричества между вьгоодами 7 и 9 относительно вывода 8 происходит смыкание эмиттера и коллектора транзистора 5. Ток последнего ограничивает дальнейшее возрастание напряжения между выводами 9 и 8 ИС, Благодаря этому нарастание напряжения на выводе 7 вызывает смыкание эмиттера и коллектора соответствующего транзистора 1, что ограничивает дальнейшее нарастание напряжения на выводе 7.

Поскольку падение напряжения на т|ранзисторе 5 в режиме вторичного пробоя достигается короткой базой транзистора 5, меньшей напряжения пробоя обратно смещенного р - п перехода (имеет место в известном устройстве, где отсутствует транзистор 5), достигается снижение напряжения на общей шине по отношению к подложке, что улучшает защиту от пробоя внутренних транзисторов ИС, истоки которых соединены с общей шиной. Это наряду с защитой затворов входных транзисторов улучшает качес вво защиты от воздействия статического электричества. .

Ф о р м ула изобретенияУстройство для защиты МДП-интегральных схем от статического электричества, содержащее биполярные транзисторы по числу защищаемых выводов интегральной схемы, эмиттеры которых соединены с первым выводом устройства, их базы - с вторым выводом устройства, а коллекторы соединены с остальными соответствующими выводами устройства, отличающееся тем, что, с целью улучшения защитных свойств устройства путем уменьшения напряжения между первым и вторым выводами, в него введен дополнительный биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с пер вым выводом устройства, а коллектор и база соединены с вторым выводом устройства.