Способ получения изображения Советский патент 1992 года по МПК G03F7/26 

(46) ,92, Бюл, Э 13

(21)4048580/21

(22)03.04.86

(71)Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе

(72)А.В.Колобов и В.М.Любин

(53)621.382,002(088,8)

(56)Несеребряные фотографические процессы под рел. А.П.Картужанского. Л., Химия, 1984, с. 221-222.

Патент ГЛР 215878, кл. G 03 С 1/72. 1984.

(54)СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

(57)Изобретение относится к микро электронике и может быть использовано при изготовлении объектов интегральной оптики и голографии. Цель изобретения - увеличение произподи- тельности. В качестге зкспонируемого халькогенидного стеклообразного полупроводникового материала используется пленка с шириной запрещенной зоны Eg 2,4 эВ. Интенсипность облучения белого света составляет на поверхности экспонируемого слоя 150 мВт/см при парциальном дяп.ириии кислорода -7- . Проявления изображения осуществля1 тся путег испарения цинка или кадмия. 1 тлбл.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изгртоплении объектов HHterpanbHoft оптики и голографии.

Целью мзобретеняя является увели- производительности за счет уве личеиия .скорости осаждения кядмия или цинка при экспонировании халькогенид- ного стеклообразного полупроводника в кйслородосодержащей атмосфере. При экспонировании при парциальном давлении: кислорода менее фотости fyлйpoвaкнoгo изменения скорости осаждения не происходит.

Пример,В качестве экспонируе МОГ0 халькогекидного стеклообразного полупроводникового материала использовалась пленка с за™ гфещениой зоны Ej; 2,Д эВ Облучение проводилось стандартным проектором Свитязь расстояние между проектором; и зкспонируемым слоем составляло 15 м. Интенсивность белого света сос | а0ляла при этих условиях на по вер1(нрсти экспонируемого слоя 150 мВт/см . Разные участки слоя экспонировались в течение разного времени. Облучение проводилось на воздухе, т.е. при содержании кислорода 21%:лри Р 1 атм, что соответствует парциальному давлению кислорода

0,2-105 Па.

Проявление изображения осуществля лось .путем испарения цинка в вакууме, Лля испарения использовалась вакуум- ная установка типа АВП-О.З, В качестве испарителя использовалась танта- ловая лодочка, изготовленная из фоль ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки длина А см, высота 0,5 см. Лодочка под1а1гочалась к контактам, через кото- рые на испаритель подается напряже ние, В лодочку помещались испаряе№ е гранулы цинка. Проэкспонированный слой помещался на стеклянном стакане над испарителем на расстоянии 16 см от лодочки. После размещения слоя производилась откачка до давле ния остаточных газов 3,99 10 Пс1,3а тем через испаритель пропускался ток 12 А, обеспечивающий нанесение

цинка на неэксгюиирояянную гюперх- ность AsjSjCO скоростью 80 Л/с.Скорость нанесения слоя цинка рег-нг.три- ровалась с помощью кварцевого измерителя толщины КИТ-1. Цинк напьшялся на пленку ASjSj в течение времени 20 с, толщина слоя цинка на необлученных участках слоя составила при этом d 1600 А,

Кроме того, облучение AsjS проводилось тем Же светоМр но в атмосферах с равным парциальным давлением кислорода. Полученные результаты приведены в таблице.

Формула изобретения

Способ получения изображения, включающий селективное экспонирование слоя халькогенидного стеклообразного полупроводника электромагнитным излучением и проявление изображения путем селективного осаждения цинка или кадмия на неэкспонированные участки слояа отличающийся TeMj что, с целью повьпвения производительности способа, зкспонирование осуществляют в кйслородосодержащей атмосфере при парциальном давлении кислорода з-х 10 Па,