Способ жидкостного травления полупроводниковых пластин Советский патент 1990 года по МПК H01L21/306 

со Од Ч

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к нланарной (групповой) технологии из- гогоштёпия интегральных схем на подложках - полупроводниковых пласти- нах.й может быть .использовано для уменьшения толщин полупроводниковых пластин путем травления их нера-- бочих сторон.

Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения подгравливания рабочих сторон пластин.;

В предлагаемом способе полупроводниковые пластины совмещают попарно рабочими поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованной воды. Благодаря наличию слоя льда между совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа- : нию температуры жидкого травителя ниже при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты от проникновения мезкду ними жидкого травителя, а экзотермическая, реакция, возникающая после окунания полупроводниковых пластин в жидкий травитель, не приводит- к Таянию слоя льда В результате этого Жидкий травитель не -воздействует на рабочие стороны полупроводниковых пластин- со сформированными- интегральными схемами, а следовательно j исключается растравливание кристаллов, за счет чего увеличивается процент выхода годных кристаллов интегральных схем.

Пример. По предлагаемому способу изготавливают кристаллы интегральной схемы серии 580. Подложками служат полупроводниковые кремниевые пластины длиной 100 мм, толщиной 0,5 мм в количестве 50 шт.

Для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы ре-зкой алмазным диском и удобства монтажа кристаллов в корпус необходимо стравить слой кремния с обратных сторон полупроводниковых пластин толщиной 0,2 мм. 50 шт. полупроводниковых пластин сЬ сформированными на рабочей стороне кристаллами складывают попарно, совмещая при этом в каждой паре полупроводниковые пластины рабочими сторонами. Каждую пару полупроводниковых пластин устанавливают в гнезда кассеты, предназначенной для ббработки пластин. Кассету с 25 парами полу- проводш1ковых пластин кратковременно погружают в деионизованную воду, в результате чего в зазор между- полупроводниковыми пластинами каждой пары проникает деноиизованная вода.

После этого кассету с полупроводниковыми пластинами подвергают обдуву теплым воздухом в течение 1 мин до спарения деионизов.анной воды с открытых поверхностей полупроводниковых пластин и кассеты, при этом деиони- зованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, сохраняется там и после обдува. Затем

кассету с полупроводниковыми пластинами устанавливают в морозильную камеру при температуре камеры - . В течение 3 мин деионизованная вода, находящаяся между полупроводниковыми пластинами, превращается в лед.

После этого кассету с полупроводниковыми пластинами окунают в жидкий травитель, составленный на основе азотной и плавиковой кислот и ох- лажденньй до - . Во время травления осуществляется экзотермическая реакция с вьщелением тепла. Во избежание, таяния слоя льда, образованного между каждой парой полупроводниковых пластин, температуру жидкого травителя поддерживают не вьше - 5С. Травление осуществляют в течение - 30 мин, в результате чего с одной . требующей травления обратной стороны каждой полупроводниковой пластины . удален слой толщиной 0,2 мм.

После травления полупроводниковые пластины окунают в деионизоваиную - воду на 5 мин и просушивают. Для оценки качества травления производят контроль Кристаллов, рформированных на планарной стороне полупроводнике- . вых пластин, по внешнему .виду с поно- щью микроскопа. Выход годных кристаллов составил ,100%.

Формула изобрете ни я

Способ жидкостного тр1авле ния полупроводниковых пластин с нерабочей стороны, включающий заполнеш1е деионизованной водой зазоров меяЕДу полупроввдниковы1«1 пластинами, совмещенными попарно своими рабочими сто-.

3-1436775

ронами, на которых сформированы инте-полупронодниковые пластины после загральные схемы, обработку пластинполнения зйзоров деионизованной

жидким травителем, отличаю-водой охлаждают до ее замерза1тя, а

щ и и с я тем, что, с целью повы-обработку проводят в жидком травите. шения выхода годньтх за счет искл че-ле, поддерживая тe mepaтypy ниже

ния подтравливания рабочих сторон, ,.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к планерной (групповой) технологии изготовления интегральных схем на подложках - полупроводниковых пластинах, и может быть использовано для ;t уменьшения толщин полупроводниковых . пластин путем травления их нерабочих сторон. Цель - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключения подтрав- ливания рабочих сторон пластин. В данном способе полупроводниковые пластины совмещают попарно рабочи- ми поверхностями, на которых сформированы интегральные схемы. Зазор:а между пластинами заполняют деионизо- ванной водой и охлаждают пластины до температурызамерзания воды. Обработку пластин производят в жидком трави- теле, температура которого ниже . Наличие слоя льда между совмещенные ми попарно пластинами препятствует проникновению в зазоры жидкого трави- теля в процессе обработки, в результате чего исключается подтравливание рабочих сторон пластин, увеличивается процент выхода годных кристаллов .интегральных схем. (Л