Микрополосковая нагрузка Советский патент 1988 года по МПК H01P1/26 

Описание патента на изобретение SU1437943A1

(21)4160530/24-09

(22)10.12.86

(46) 15.11.88. Бюл. № 42

(71)Новосибирский электротехнический институт

(72)Б.И.Ивлев, С.Ю.Матвеев, Л.Д.Старик и Р.Т.Сулайманов

(53)621.672.855.4 (088.8)

(56)Авторское свидетельство СССР № 433898, кл. Н 01 Р 1/24, 1982.

Патент США № 3354412, кл. 333-22, 1977.

(54)МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

(57)Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - расширение рабочего диапазона частот. СВЧ-сиг- нал, поступающий на входную контактную площадку 2, рассеивается в пленочном резистивном слое 4, Его емкостная составляющая проводимости компенсируется индуктивностью части металлического теплоотводящего корпуса 6, заключенного внутри замкнутого паза 7. Этим обеспечивается в металлическом теплоотводящем корпусе 6 совмещение ф-ций согласукяцего эл-та и теплоотвода, необходимого для работы при повышенном уровне мощности СВЧ-сигнала. Цель достигается за счет вьшолнения в металлическом теплоотводящем корпусе 6 по периметру . пленочного резистивного слоя 4 замкнутого паза 7, внешний контур которо-S го выступает за кромки диэлектрической подложки 1. 1 ил.

Похожие патенты SU1437943A1

название год авторы номер документа
Микрополосковый аттенюатор 1987
  • Насыров Рустем Габдуллович
  • Максимов Николай Михайлович
  • Брусов Сергей Леонидович
SU1434514A1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА 2010
  • Далингер Александр Генрихович
  • Шацкий Сергей Владимирович
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
RU2450388C1
МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 1992
  • Кузнецов Д.И.
  • Тюхтин М.Ф.
RU2034375C1
Мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона 2023
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Дудинов Константин Владимирович
  • Ганюшкина Нина Валентиновна
RU2817537C1
МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 2000
  • Кузнецов Д.И.
  • Овечкин Р.М.
  • Протас А.С.
RU2187866C1
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР 2000
  • Кузнецов Д.И.
  • Овечкин Р.М.
  • Тихонов Н.Н.
RU2185010C1
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР 1992
  • Кузнецов Д.И.
  • Тюхтин М.Ф.
RU2048694C1
Полосковая согласованная нагрузка (ее варианты) 1983
  • Клименков Александр Сергеевич
  • Пивоваров Иван Иванович
SU1109833A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ПЛАТ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ 2001
  • Иовдальский В.А.
RU2206187C1
Микрополосковая согласованная нагрузка 1988
  • Репин Валерий Апполонович
SU1518842A1

Реферат патента 1988 года Микрополосковая нагрузка

Формула изобретения SU 1 437 943 A1

4iib

00

«ч

CD 4ib СО

If3обретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении миниатюрных трактов повышенной мощности.

Целью изобретения является расширение рабочего диапазона частот.

На чертеже показана конструкция микрополосковой нагрузки.

Микрополосковая нагрузка содержит дизлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещены входная и выходная контактные площадки 2, 3, разделенные ппеночным резистивным слоем 4. На другой стороне дизлект- рической подложки 1-размещено заземляющее основание 5, соединенное с выходной контактной площадкой 3, которым дизлектрическая подложка прикреплена к металлическому теплоотво- дящему корпусу 6, в котором по периметру пленочного резистивного слоя 4 выполнен замкнутый Паз 7, внешний контур которого выступает за кромки диэлектрической подложки 1.

Микрополосковая нагрузка работает Iследующим образом.

СВЧ-сигнал, поступающий на входную площадку 2, рассеивается в пленочном резистивном слое 4. Его емкостная составляющая проводимости

компенсируется индуктивностью части металлического теплоотводящего корпуса 6, заключенного внутри замкнутого паза 7. Этим обеспечивается в металлическом теплоотводяЩем корпусе 6 совмещение функций согласующего злемента и теплоотвода, необходимого для работы при повышенном уровне

мощности СВЧ-сигнала.

Формула изобретения

Микрополосковая Нагрузка, содержащая дизлектрическую подложку, на одной стороне которой размещены входная и выходная контактные площадки, разделенные пленочньи резистивным слоем, а на другой стороне - заземляющее

основание, соединенное с выходной контактной площадкой, и металлический теплоотводящий корпус, к которому диэлектрическая подложка прикреплена заземляющим основанием, о т л и ч аю щ а я с я тем, что, с целью расширения рабочего диапазона частот, в металлическом тегшоотводящем корпусе по периметру пленочного резистивного слоя вьтолнен замкнутый паз, внешний

контур которого выступает за кромки диэлектрической подложки.

SU 1 437 943 A1

Авторы

Ивлев Борис Иванович

Матвеев Сергей Юрьевич

Старик Леонид Давыдович

Сулайманов Рашид Темирканович

Даты

1988-11-15Публикация

1986-12-10Подача