Микрополосковый аттенюатор Советский патент 1988 года по МПК H01P1/22 

.4

оо

4 Сд

4

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах и трактах.

Цель изобретения - увеличение рабочей мощности,

На чертеже показана конструкция иикрополоскового аттенюатора.

Микрополосковый аттенюатор содер- |сит диэлектрическую подложку 1 j на 0ДНОЙ стороне которой размещено за- емляющее основание (не показано), k на другой стороне - входная 2, выходная 3 и заземляющая 4 контактные площадки и пленочный резистивный слой 5, Входная контактная площадка I и заземляющая контактная площадка i подключены к противоположным кром- 1сам пленочного резистивного слоя 5 ;io всей их длине, а выход ная контакт пая площадка 3 размещена на пленоч- лом резистивном слое 5.

Микрополосковьй аттенюатор работа т следующим образом.

I СВЧ-сигнал, поступающий на вход- t:iyw контактизгю площадку 2, частично рассеивается в пленочном резистивном слое 5, а его оставшаяся часть сни- нается с выходной контактной площадки 3.

i Работа микрополоскового аттенюатора аналогична работе аттенюатора, построенного по.П-образной схеме, так сак часть СВЧ-тока за счет расположения входной 2 и заземляющей 4 кон ifaKTHbix площадок, на противополож- Йых кромках пленочного резистивного

слоя 5 направляется от входной контактной площадки 2 к заземляющей контактной площадке 4, при этом линии СВЧ-тока огибают выходную контактную площадку 3. Однако расположение выходной контактной площадки 3 на пленочном резистивном слое 5 и выполнение выходной контактной площадки 2 в контакте с кромкой пленочного резистивного слоя 5 по всей ее длине обеспечивает уменьшение плотности СВЧ- тока в зоне входной контактной площадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности. Благодаря этому уменьшается перегрев пленочного резистивного слоя 5 и достигается увеличение рабочей мощности.

.Формула изобретения

Микрополосковый аттенюатор, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне - входная, выходная и заземляющая контактные площадки, подключенные к пленочному резистивному слога, причем входная и заземляющая контактные площадки подключены к . его р;вум кромкам соответственно, отличающийся тем, что, с целью увеличения рабочей мощности, выходная контактная площадка размещена на аггеночном резистивном слое, а входная и заземляющая контактные площадки подключены к его противоположным кромкам по всей их длине.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - увеличение рабочей мощности. СВЧ-сигнал, поступающий на входную контактную площадку 2, частично рассеивается в пленоч- ном резистивном слое 5, и его оставшаяся часть снимается с выходной контактной площадки 3. Часть СВЧ-тока направляется от площадки 2 к заземляющей контак тной площадке 4, при этом линии СВЧ-тока огибают площад ку 3. Однако за счет расположения гшощадки 3 на слое 5 и выполнения площадки 2 в контакте с кромкой слоя 5 по всей ее длине обеспечивается уменьшение плотности СВЧ-тока в зоне площадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности. Это § уменьшает перегрев слоя 5, что увели- - чивает рабочую мощность. 1 ил. /

Редактор А.Ревин

Составитель В.Алыбин

Техред М.Дидык Корректор В.Гирняк

Заказ 5563/55

Тираж 633

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное