Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков.
Цель изобретения повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности.
На фиг. 1 и 2 приведены зависимости разрядного тока I и давления Р в герметичной камере от времени откачки τ для двух образцов LiF.
П р и м е р 1. Измерение электрической гетерогенности поверхности кристалла LiF, заряженного отрицательной короной в атмосферных условиях.
Кристалл размером 1х1х0,5 см (площадь исследуемой поверхности 1 см2) размещали на держателе в герметичной камере. Измерительный электрод (зонд) площадью 1 см2 располагали параллельно поверхности кристалла на расстоянии 1 мм от нее. Затем давление в камере постепенно снижали путем откачки воздуха форвакуумным насосом. В процессе откачки наблюдались электрические разряды пробои промежутка между поверхностями заряженного кристалла и зонда. Регистрацию разрядных токов осуществляли с помощью самописца с постоянной τпр=2˙ 10-2 с. Пример записи представлен на фиг. 1. Регистрировали величину давления в камере, при котором в цепи прибора наблюдался ток разряда. Величину пробойного напряжения U1 для каждого давления Р1 определяли по закону Пашена. Затем по формулам
Si= ;
Qi=Ipi ˙τпр, где Qi заряд участка поверхности площадью Si;
Ui разность потенциалов между поверхностью образца и электродом;
τпр постоянная времени регистрирующего прибора;
d расстояние между поверхностями образца и электрода;
Ео электрическая постоянная;
Е диэлектрическая проницаемость воздуха;
Ipi ток разряда. производят расчет Si, Qi, Результаты расчетов приведены в табл. 1.
Из приведенных в таблице результатов следует, что даже при специальном униполярном заряжении поверхность кристалла LiF оказывается заряженной неоднородно, что отражает существующую физическую гетерогенность поверхности.
П р и м е р 2. Измерение электрической гетерогенности поверхности свежего скола монокристалла LiF, приобретающего электрический заряд в момент прохождения трещины при сколе.
Исследовали образцы LiF, расколотые по плоскости (100) в атмосферных условиях. Последовательность операций такая же, как в примере 1. Запись токов разряда приведена на фиг. 2. Результаты расчетов представлены в табл. 2.
Из табл. 2 и фиг. 2 видно, что заряд отдельных участков свежего скола монокристалла LiF не только отличается по абсолютной величине, но и по знаку.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2004 |
|
RU2266588C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР | 1991 |
|
RU2028697C1 |
СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПЛОТНОСТИ ЗАРЯДА И ЕГО СРЕДНЕГО ПОЛОЖЕНИЯ В ПЛОСКИХ ДИЭЛЕКТРИКАХ | 2004 |
|
RU2287835C2 |
Способ определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводников | 1982 |
|
SU1045785A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ ПОЛЯРНОЙ ОСИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ | 1990 |
|
RU2022403C1 |
Способ обнаружения радиационных дефектов в диэлектриках и устройство для его осуществления | 1980 |
|
SU927036A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ | 2008 |
|
RU2395619C1 |
Способ определения величины рН @ поверхности тонких диэлектрических пленок | 1990 |
|
SU1718100A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ | 2000 |
|
RU2187168C1 |
Устройство для определения состава газовых смесей | 2016 |
|
RU2653061C2 |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков. Цель повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности. Над поверхностью образца размещают на фиксированном расстоянии электрод. Образец и электрод помещают в герметичную камеру, в которой изменяют давление. При некотором давлении происходит электрический разряд между заряженным участком образца и электродом. Регистрируют ток разряда и давление, по которым определяют площадь заряженных участков и их заряд. 2 з. п. ф-лы, 2 ил. 2 табл.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ | 0 |
|
SU248076A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1995-08-20—Публикация
1987-04-13—Подача