СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/28

Похожие патенты SU1459539A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ	1993	Минеева М.А. Муракаева Г.А.	RU2084988C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЗЕРКАЛОМ	2016	Блохин Сергей Анатольевич Малеев Николай Анатольевич Кузьменков Александр Георгиевич Васильев Алексей Петрович Задиранов Юрий Михайлович Кулагина Марина Михайловна Устинов Виктор Михайлович	RU2703938C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ	2007	Самсоненко Борис Николаевич Разувайло Николай Сергеевич Вельганенко Людмила Вячеславовна	RU2357326C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА С НИЗКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ К ПАССИВИРОВАННОЙ НИТРИД-ГАЛЛИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ	2020	Беспалов Владимир Александрович Переверзев Алексей Леонидович Егоркин Владимир Ильич Журавлёв Максим Николаевич Земляков Валерий Евгеньевич Неженцев Алексей Викторович Якимова Лариса Валентиновна	RU2748300C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЗА-СТРУКТУРЫ ПОЛОСКОВОГО ЛАЗЕРА	2016	Одноблюдов Максим Анатольевич Соловьев Юрий Владимирович Михайловский Григорий Александрович Полухин Иван Сергеевич	RU2647565C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ	1992	Кипарисов С.Я.	RU2068211C1
Способ изготовления фотопреобразователя	2019	Вагапова Наргиза Тухтамышевна Наумова Анастасия Александровна Лебедев Андрей Александрович Жалнин Борис Викторович Обручева Елена Владимировна Шаров Сергей Константинович Генали Марина Александровна Николаева Татьяна Владимировна Пушко Сергей Вячеславович Каган Марлен Борисович	RU2730050C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ	1987	Белохвостикова Л.С. Дединец В.Е. Дубровская Л.А. Филатов А.Л.	SU1491262A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РАЗВОДКИ	1992	Самсоненко Б.Н. Стрельцов В.С.	RU2054745C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ	1993	Самсоненко Борис Николаевич Стрельцов Вадим Станиславович	RU2061278C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем фоторезистивной маски, перед напылением металлического слоя формируют в слое полиимида приповерхностную пленку полиамидокарбоновой кислоты последовательной обработкой в растворе щелочи и в растворе кислоты, а одновременно с вжиганием металлизации проводят отверждение приповерхностной пленки полиамидокарбоновой кислоты в полиимид.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку в растворе щелочи проводят в едином технологическом цикле с удалением фоторезистивной маски.

SU 1 459 539 A1

Авторы

Гурский Л.И.

Снитовский Ю.П.

Сенько С.Ф.

Даты

2012-05-10—Публикация

1987-01-05—Подача