Датчик давления Советский патент 1989 года по МПК G01L9/04 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании полупроводниковых датчиков давления. Целью изобретения является повышение точности, стабильности и расширение диапазона рабочих температур. Дпя достижения цели между полупроводниковой мембраной 2 и полупроводниковым корпусом 8 размещены слой дизлектрика 5, поликристаллический слой полупроводника 6 и слой стекла 7, равный по толщине слою полупроводника 6. Из-за этого различие в термических коэффициентах линейного расширения стекла и полупроводника сказывается минимально. 1 ил.