СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ДИОДА Советский патент 1972 года по МПК H01L21/283 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых переключателей с S-образной симметричной вольт-амперной характеристикой на основе стеклообразных полупроводников.

Известен способ изготовления переключающего диода на стеклообразном полупроводнике, при котором полупроводник наносят на графитовую подложку термическим вакуумным распылением.

Многокомпонентный стеклообразный полупроводник при вакуумнол распылении частично разлагается на составляющие элементы с .резко различным давлением паров при температуре напыления, что нарущает в пленке стекла количественное соотношение компонентов, имеющееся в исходном веществе. Кроме того, высоковольтные переключатели на толстых пленках полупроводникового стекла об-ладают нестабильными вольт-амперными характеристиками из-за плохой адгезии полупроводникового стекла к графиту.

По предлагаемому способу изготовления переключающего диода активные слои полупроводникового стекла получают методом анафореза-электроосаждением частиц полупроводникового стекла из суспензии на положительно заряженный электрод под действием постоянного электрического тока. Дисперсионной средой для суспензии служит ацетон, Б котором полупроводниковое стекло находится во взвещенном состоянии в виде частиц меньще 1 мк. Это позволяет сохранить исходный химический состав стеклообразного полупроводника и увеличить адгезию.

Технология изготовления переключателей состоит в следующем:

навеску полупроводникового стекла измельчают на вибромельнице и из полученной пасты готовят суспензию плотностью 1,34

на омический контакт прибора осаждают с помощью электричества из суспензии каплевидный слой полупроводникового стекла, толщина которого зависит от величины и времени прохоладения тока;

электрод со слоем полупроводникового стекла помещают в стеклянный корпус и запаивают в атмосфере аргона;

активный слой полупроводникового стекла оплавляют в каплю внещним нагревом и пропусканием импульсов тока.

Напряжение срыва изготовленных таким способом переключателей 100-300 е в зависимости от толщины слоя полупроводника.

Применение описанной технологии для изготовления переключателей на стеклообразных полупроводниках создает следующие преимущества:3 возможность структурирования капли полупроводникового стекла в процессе оплавления подбором теплового и электрического режимов для улучшения временной стабильности параметров переключателей. Предмет изобретения Способ изготовления переключающего диода на основе стеклообразных полупроводни4ков путем нанесения слоя полупроводникового стекла на омический электрод, отличающийся тем, что, с целью сохранения исходного химического состава стеклообразного полупроводника и увеличения адгезии, слой папосят из суспензии исходного материала под действием постоянного тока с последующей термической обработкой,