Устройство для контроля процесса поверхностного культивирования микроорганизмов Советский патент 1989 года по МПК C12M1/36 G01K17/00 

ktf.f

теплообменного элемента культиватора для поверхностного культивирования микроорганизмов. Оно содержит рабочий тепловой мос.т, часть которого находится в контакте с растущей культурой микроорганизмов, а другая часть - в контакте с рабочими датчиками теплового потока, и контрольный тепловой мост, часть которого находится в воздушной камере, а другая часть - в контакте с контрольными датчиками теплового потока. Противоположные стороны всех датчиков тепловых потоков, омываются термостатирующей жидкостью. Тепловой поток от растущей культуры микроорганизмов по тепловому мосту переносится к рабочим датчикам и отводится термостати- рующей жидкостью. Из суммарного сигнала рабочих датчиков вычитается суммарный сигнал контрольных датчиков. Полученная разность сигналов, пропорциональная теплопродукци и растущей культуры, фиксируется регистратором. Повышение точности контроля достигается за счет размещения устройства в месте максимальной интенсивности биосинтеза, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для контроля культивирования микроорганизмов и направлено на повышение точности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов, Устройство размещается в центре (Л

1

Изобретение относится к устройствам для контроля процесса культивирования микроорганизмов и может быть использовано в пищевой и микробиологической промышленности.

Целью изобретения является повышение точности контроля поверхностного культивирования микроорганизмов за счет размещения чувствительного элемента в месте максимальной интенсивности биосинтеза.

На фиг.1 схематично изображено предлагаемое устройствоJ на фиг.2 - расположение устройства в культиваторе..

Устройство содержит рабочие 1,2., и контрольные 3,4 кюветы с патрубками 5 для ввода и вывода те змоста- тируемой жидкости. Рабочие датчики 6 и 7 потока теплоты размещены в боковых стенках рабочих кювет 1 и 2 и находятся в контакте с тепловым моетом 8. Контрольные датчики 9 и 10 потока теплоты размещены в боковых стенках контрольных-кювет 3 и 4 и находятся в контакте со вторым тепловым мостом 11. Все элементы устройства помещены в корпус 12, имею- ший в одном торце воздушную камеру 13.- Измерительный блок: кюветы 1 и 2, датчики 6 и 7 и первый тепловой мост 8, и сравнительный блок: кюветы 3 и 4, датчики 9 и 10 потока теп .;лоты и второй тепловой мост 11, разделены стенкой из нетеплопроводного материала 14. Стенки корпуса 12 выполнены также из нетеплопроводного

0

5

0

5

0

5

материала. Не менее 2/3 длины первого теплового моста 8 находятся в тепловом контакте с двумя рабочими датчиками потока теплоты 6 и 7, а остальная часть выступает над торцовой частью корпуса 12. Не менее 2/3 длины второго теплового моста 11 находится в тепловом контакте с двумя контрольными.датчиками потока теплоты, а остальная часть второго теплового моста находится в воздушной камере 13. С помощью штанг 15 устройство помещают в теплообменньй элемент 16 культиватора 17, где находится твердая питательная среда 18.

Выходы рабочих датчиков 6 и 7 тепловых потоков и контрольных датчи- ков 9 и 10 тепловых потоков подключены к. регистратору 19 по диффере н- циальной схеме.

Устройство работает сдедуюшим образом.

Загружается твердая питательная среда 18 в теплообменные элементы 16 культиватора 17. Включается воздушная аэрация теплообменных элементов и одновременно осуществляется посев культуры на питательную среду. Устройство для контроля поверхностного культивирования микроорганизмов размещается так, чтобы выступающая часть теплового моста 8 находилась в центре теплообменного элемента 16 и контактировала с твердой питательной средой и растущей культурой микроорганизмов. Тепловой поток от растущей

31465А52

культуры по тепловому мосту 8 переносится к рабочим датчикам 6 и 7 и отводится термостатирующей жидкостью (водой) в кюветах Г и 2. Из суммарного сигнала рабочих датчиков 6 и 7 вычитается суммарный дигнал контрольных датчиков 9 и 10, контак- тирующх с тепловым мостом 11. Полученная разность сигналов, пропорцио- fo нальная теплопродукции растущей культуры в тего1.ообменнике, фиксируется регистратором 19.

Экспериментально доказано, что в центре слоя питательной среды во 15 время роста тигает

ля культуры Asp. Niger и превышает емпературу поверхности на , т.е. при толщине слоя 6 см твердой фазы 20 среды градиент температур достигает l C/см слоя питательной среды.

Такой достаточно высокий гради ент температуры может быть проконтролиован с помощью теплового моста дат- 25 ика теплового потока.

Установка теплового моста 8 в указанном месте позволяет получить максимальную разницу тепловых потоков по тепловым мостам 8 и 11, что повы- 30 шает точность контроля роста микрокультуры температура дос- максимального значение 46 С

ор ку нь

Ф

по ро ко и е то те ро ло бо пр ка ло ст не мо с д те те во да на на

организмов при их поверхностном культивировании на твердых питатель- ньпс средах.

Формула изобретения

Устройство для контроля процесса поверхностного культивирования микроорганизмов, содержащее рабочий и контрольный датчики потока тетшоты и тепловой мост, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, в него дополнительно введены второй рабочий и второй контрольный датчики потока теплоты, второй тепловой мост, две рабочие и две контрольные кюветы и примыкающая к последним воздушная камера, причем четьфе датчика тепловых потоков размещены в боковых стенках соответственно четырех кюйет не менее 2/3 дпины первого теплового моста находится в тепловом контакте с двумя рабочими датчиками потока тешт оты,не менее 2/3 длины второго теплового моста находится в тепловом контакте с двумя контрольными датчиками потока теплоты, а остальная часть второго теплового моста находится в воздушной камере.

Id