Способ контроля поверхностного культивирования микроорганизмов на питательной среде Советский патент 1986 года по МПК C12Q3/00 

Изобретение относится к микробиологической промышленности, в частности к контролю процесса поверхностного культивирования микроорганизмов .

Целью изобретения является повышение точности контроля.

На чертеже изображена схема устройства для осуществления способа контроля поверхностного культивирования микроорганизмов.

Устройство содержит поддон 1 с закрепленными на нем рабочей и эталонной кюветами 2 и 3 соответственна. В кюветах 2 и 3 расположены нагревательные элементы 4 и 5, соединенные с источником 6 электроэнергии. Ко дну кювет прикреплены датчики 7 и 8 тепловых потоков, установленные на теплостоке 9. Выходы дат- .чиков тепловых потоков соединены с элементом 10 сравнения и регистратором 11. Устройство также содержит элемент 12 ИЛИ и элемент 13 И, генератор 1А импульсов заданной частоты, счетчик 15 импульсов генератора 14 и два компаратора 16 и 17.

Способ осуществляют следлтощим образом,

В измерительную кювету 2 и поддон 1 производят засев культуры. По разности сигналов датчиков 7 и 8 теплового потока измерительной и эталонной кювет 2 и 3 контролируют процесс накопления биомассы, В щэоцессе роста микроорганизмов происходит изменение термического тивления питательной среды, изменение массы и структуры субстрата, содержащегося в измерительной кювет 2 и поддоне 1, что приводит к снижению точности при измерении теплового эффекта поверхностного культивирования. Чтобы повысить точность йрнтроля при помощи источника б электроэнергии и нагревательных элементов 4 и 5 на питательные сред;л измерительной и эталонной кювет 2 к 3 воздействуют во время культиРедактор Л. Ловхан

Составитель Н, Алкеев

Техред М.Ходгш. Корректор Л. Пилипенко

4687/29

Тираж 490 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москна, Л{-355, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфического предприятия, г. Ужгород, ул. Проектная54

0

вирования равными импульсами тепловых потоков. Отклик датчиков 7 и 8 тепловых потоков происходит с запаздыванием, величина которого определяется свойствами субстратов в измерительной и эталонной кюветах 2 и 3. Ввидз того, что импульс от нагревательных элементов 4 и 5 кратковременный и не более 1 раза в минуту, этот импульс не оказывает значительного влияния на условия культивирования микроорганизмов и до следующего теплового импульса полностью релаксирует. С датчиков 7 и 5 8 сигналы поступают на компараторы 16 и 17 соответственно, где формируются прямоугольные импульсы, которые поступают на элемент 12 ИЛИ и элемент 13 И. По сигналу элемента 12 ИЛИ включается генератор 14, а по сигналу элемента 13 И он выключается. Ввиду того, что частота генератора 14 строго стабильна, на счетчик 15 импульсов приходит строго определен7 нов количество импульсов и эта величина пропорциональна временному интервалу между срабатыванием элементов 16 и 17. Таким образом измеряется время запаздывания проховде- ния одного из тепловых импульсов относительно другого через среды. По величине измеренного времени запаздывания корректируют результат сравнения величин тепловых потоков от рабочей и контрольной питательных сред,

Использование данного способа контроля поверхностного культивиро,jQ вания микроорганизмов на питательной среде по сравнению с известным, основанным на измерении величин тепловых потоков от рабочей и контрольной питательных сред с последлтощим

45 их сравнением и формированием сигнала контроля по результату сравнения, позволяет повысить точность контроля в 1,5 раза, что позволяет увеличить вьгход биомассы на 1,5-2,0%,

5

0

5