Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов Советский патент 1989 года по МПК G03G16/00 

О5

со

Изобретение относится к способу определения фотографических характеристик фототермопластических материалов, позволяет сократить длительность определения фотографических характеристик фототермопластических материалов. Формируют скрытое изображение сенситограммы посредством экспонирования ее полей двумя сходящимися когерентными световыми потоками при модулируемых значениях экспозиции. Измеряют потенциал на проэкспонированных полях сенситограммы. Далее осуществляют тепловое проявление скрытого изображения с градиентом температуры. Измеряют двумерное распределение величин светомодуляционной способности и дифракционной эффективности на проявленном изображении с регулярной или авторегулярной структурой деформации. Строят системы характеристических кривых и амплитудно-контрастной характеристики. Экспонирование полей сенситограммы производят световыми потоками с соотношением площадей сечений 0,2-0,8 в плоскости экспонирования. При этом на половине области экспонирования световым потоком с меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной, при проявлении границу раздела этой области ориентируют по направлению градиента температуры. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

1

Изобретение относится к способам определения фотографических характеристик материалов и может быть использовано для сенситометрической оценки таких материалов.

Цель изобретения - сокращение длительности определения фотографических :Характеристик фототермопластических материалов.

I

Сущность способа в следующем. Получают одну сенсигограмму путем электроразрядного очувствления материала и экспонирования сенситограммы двумя сходящими когерентными световыми потоками с различной площадью сечений в плоскости экспонирования, . создающими модуляцию экспозиции на сенситограмму, при ориентации границы

раздела таких потоков по направлению градиента температуры проявления. По такой сенситограмме определяют характеристические кривые для скрытого изображения, а после теплового проявления с градиентом температуры определяют характеристические кривые для эффективного изображения с регулярной и авторегулярной структурой деформации. Для определения амплитудно-контрастной характеристики получение сенситограммы производят посредством экспонирования ее полей аналогичными световыми потокамир причем на половине области экспонирования поля сенситограммы световым потоком с меньшей площадью сеченкя величину экспозиций поддерживают постоянной для всех полей, а при проявлении границу раздела этой области также ориентируют по направлению градиента температуры,

Выбор соотношения площадей световых потоков определяется разрешением электрометрического устройства, которым производят измерение потенциал на участках полей, экспонированных только одним световым потоком, а также площадью сечения считывающего светового потока, с помощью которого производят измерение фотографическо- |ГО эффекта на соответствующих участках каждого поля, В зависимости от используемых значений этих параметро соотношех ие площадей сечений световы потоков .в плоскости экспонирования обычно выбирают в пределах 0,2-0,8,

Пример .(известный), Способ определения фотографических характеристик фототермопластического материала состоит в получении и измерении двух видов сенситограмм: с авторегулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции и с регулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции, На фотоматериале, содержащем прозрачную пленочную основу шириной 35 мм, прозрачный электропроводящий слой и фототермопластический слой на основе поливинилкар- базола ТОЛ1ЦИНОЙ 5 мкм получают скрытое изображение сенситограммы с авторегулярной структурой посредством очувствления слоя до потенциала 600 В и экспонирования световым потоком с длиной волны 630 нм, создаю- щим модуляцию экспозицией на полях сенситограм1Ф1 в интервале 0,1-5 Дж/м

0

5

0

5

0

5

0

5

0

5

затем измеряют потенциал на каждом 7 поле сенситограммы и строят характеристическую кривую для скрытого изображения, по которой определяют электрофотографические характеристики материала.

После этого проявляет скрытое значение величин светомодуляционной способности и дифракционной эффективности или их отношения, ;; При этом значении температуры проявления строят характеристическую кривую для сенситограммы с регулярной структурой, по которой определяют соответствующие фотографические характеристики материала.

Пример 2 (известный). Получение и измерение сенситограмм производят согласно примеру на фототермопластической пленке с толщиной фототермопластического слоя 2 мкм при величине потенциала 300 В и угле схождения световых потоков 9,3,

Пример 3 (известный), Получение и измерение сенситограмм производят на пленке с тодщиной фототермо- пластического слоя 7 мкм при величине потенциала очувстления сенситограммы с авторегулярной структурой 650 В, с регулярной структурой 300 В и угле схождения световых потоков 2,5°v

Пример4, На фотоматериале, описанном в примере I, получают открытое изображение сенситограммы посредством очувствления материала до величины потенциала 600 В и экспонирования двумя сходящими под углом 3 когерентными монохроматическими световыми потоками ;..одинаковой ин- |тенсивности с соотношением площадей сечений в плоскости экспонирования, равным 0,5, создающими модуляцию экспозиции на полях сенситограммы, затем производят измерение потенциала на участках полей сенситограммл, экспонированных одним световым потоком, и строят характеристическую кривую для скрытого изображения, по которой определяют электроизображение с градиентом температуры, ориентируем 1М перпендикулйрно направлению изменения экспозиций, измеряют зависимость светомодуляционной способности от температуры проявления на каждом поле сенситограм « и строят характеристическую кривую в виде зависимости светомодуляциоиной способности от

экспозиции при оптимальной светомоду- ляционной способности на каждом поле сенситограм№1. По такой кривой определяют фотографические характеристи- ки материала дпя изображения с авторегулярной структурой деформации, а при совместном анализе этой кривой и характеристической кривой для открытого изображения находят величину ю потенциала (400 В), при которой велиг- чина светомодуляционной способно сти, создаваемая -этим видом структуры, близка к фоновому уровню,

Затем получают скрытое изображе- 15 Ш1е сенситограмм 1 с регулярной структурой посредством очувствления фототермопластического слоя до потенциала 400 В и экспонирования полей сенситограммы двумя когерентными свето- 20 выми потоками одинаковой интенсивности и с длиной волны 630 нм, сходящимися под углом 3,5 и создающими модуляцию экспозиций на полях сенсито- граммы, проводят тепловое проявление 25 скрытого изображения в течение 1 с IB интервале температур 80-120 С с градиентом температуры 2 град/мм, орнентируеьым перпендикулярно изменению экспозиций, измеряют зависимости зо светомодуляционной способности и (или)дифракционной эффективности по- . лученного изображения от температуры |на каждом поле сенситограммы.

кие характеристики фотоматериапа. Получение минимального уровня светомодуляционной способности для авторегулярной структуры достигается посредством выбора температуры проявления сенситограммы с регулярной структурой деформации,

П р и м е р 5, На фотоматериале, описанном в примере 2, получают сенситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 300 В и угле схождения световых потоков 9,3 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериапа согласно примеру 4,

П р и м е р 6, На фотоматериале, описанном в примере 3, получают сенситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 650 В и угле

о

схождения световых потоков 2,5 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериала согласно примеру 4,

Пример 7, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при соотношении площадей сечений световых потоков, равном 0,2, и проводят измерение электрофотографических характеристик согласно примеру 5,

П р и м е р 8, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при

Из анализа таких зависимостей, по- „ соотношении площадей сечений световых

45

лученных на сенситограммах с авторе-, гулярной и регулярной структурой деформации, определяют оптимальное значение температуры проявления записи с регулярной структурой, при ко- о РУ торой реализуется максимальное фотографические характеристики материа- ла

После этого проявляют скрытое изображение согласно примеру с градиентом температуры, ориентированным параллельно границе раздела световых потоков, производят измерение величин фотографических эффектов и их отношения для областей, экспонированных двумя и одним световыми потоками затем строят характеристические кривые для температур проявления, соответствующих температур проявления, соот- ветствукхцих максимальным значениям указанных величин для записи с регулярной и авторегулярной структурой де формации, и по таким кривым определяют соответствугацие фотографичес

50

55

потоков в плоскости экспонирования равном 0,8, и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик согласно приме5,

П р и м е р 9 (известный). Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов состоит в получении и измерении трех видов сенситограмм: с авторегулярной структурой и с регулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции и контраста,

На фотоматериале, описанном в примере 1, проводят получение сенситограмм и определение электрофотографических и фотографических характеристик согласно примеру 1, По сенситограмме с регулярной структурой определяют оптимальную величину экспозиции 2-Дж/м, соответствующую максимальной величине дифракционной эффективности, для получения сенситограмм при варьируемых значениях

кие характеристики фотоматериапа. Получение минимального уровня светомодуляционной способности для авторегулярной структуры достигается посредством выбора температуры проявления сенситограммы с регулярной структурой деформации,

П р и м е р 5, На фотоматериале, описанном в примере 2, получают сенситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 300 В и угле схождения световых потоков 9,3 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериапа согласно примеру 4

П р и м е р 6, На фотоматериале, описанном в примере 3, получают сенситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 650 В и угле

о

схождения световых потоков 2,5 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериала согласно примеру 4

Пример 7, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при соотношении площадей сечений световых потоков, равном 0,2, и проводят измерение электрофотографических характеристик согласно примеру 5,

П р и м е р 8, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при

5

о РУ

0

5

потоков в плоскости экспонирования равном 0,8, и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик согласно приме5,

П р и м е р 9 (известный). Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов состоит в получении и измерении трех видов сенситограмм: с авторегулярной структурой и с регулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции и контраста,

На фотоматериале, описанном в примере 1, проводят получение сенситограмм и определение электрофотографических и фотографических характеристик согласно примеру 1, По сенситограмме с регулярной структурой определяют оптимальную величину экспозиции 2-Дж/м, соответствующую максимальной величине дифракционной эффективности, для получения сенситограмм при варьируемых значениях

контраста. Очувствление и экспонирование сенситограмм проводят согласно примеру 1 с градиентом температуры, ориентируемым перпендикулярно направлению изменения контрастов, измеряют зависимость дифракционной эффективности от температуры проявления и дп оптимального значения последней строят амгшитудно-контрастную характе- ристику, по которой определяют соответствующие фотографические характеристики материала,

Пример 10, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенси- тограмму согласно примеру 5, однако на половине области экспонирования поля сенситограммы световым потоком с. меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной на всех полях сенситограмьй, а при проявлении границу раздела этой области также ориентируют по направлению градиента температуры. После измерения электрофотографических и фо- тографических характеристик, проводимых согласно примеру 5, определяют величину экспозиции для получения амгшитудно- конт1эастной характеристики, равную 2 Дж/м,. затем производят нов- торное получение такой сенситограмь при выбранном значении максимальной экпозидии. После проявления пр-оизво- дят измерение дифракционной эффективности на участках полей, экспонированных при постоянной величине экспозиции световым потоком с меньшей площадью сечения, находят оптимальное значение температуры проявления, для которой строят амплитудно-контрастную характеристику материала, и определяют соответствующие фотографические характеристики материала.

В таблице приведены численные характеристики, показывакщие сокращение длительности процессов получения и измерения сенситограмм при проведении сенситометрических испытаний, согласно примерам. . л Таким образом, как следует из

.сравнения примеров 1-3 и 4-8, 9 и 10,

предложенный способ определения фо-

-тографических характеристик позволяет

увеличить оперативность процесса

сенситометрических испытаний за счет

-сокращения более чем в 2 раза дли-

тельности получения сенситограмм и

их измерения,

Ю

15 20 25 ЗО

5

0

Формула изобретения , Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов, включающий очувствление материала путем нанесения заряда на его поверхность, формирование скрытого изображения сенситограммы путем экспонирования ее полей двумя сходящимися когерентными световыми потоками при модулируемых значениях экспозиции, измерение потенциала на про- экспонированных полях сенситограммы, тепловое проявление скрытого изображения с градиентом температуры, из- .мерение двумерного распределения величин светомодуляционной способности и/или дифракционной эффективности проявленного изображения сенситограм- №1 с регулярной или авторегулярной структурой деформации и последующее построение системы характеристических кривых, отличающийся тем, что,, с целью сокращения .длительности определения, экспонирование полей сенситограммы осуществляют световыми потоками при соотношении их площадей в плоскости экспонирования, равном 0,2-0,8 с, ориентацией границы раздела их по направлению градиента температуры проявления,

риер

2

Толщина

слоя, мкм

Кол-во сенсито го амм

Соотношениеплощадейсветовых потоков

Длительность получения и измерения сенситограмм, мин

2 2 2 1 1 1 1 1

3 2

1 1 1

0,5 0,5 0,5 0,2 0,8 1 0,5

20-40

20-40

20-40

5-10

5-ю

5-10

5-10

5-10

30-40

10-20