Способ изготовления МДП-транзисторов Советский патент 1992 года по МПК H01L21/8232 

1

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов МДП-интегральных схем.

Целью изобретения является повышение выхода годных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков.

На фиг.1 показана структура МДП- транзистора интегральной схемы, вид сверху; на фиг.2 - разрез А-А на фиг,-1 ; на фиг,3 - разрез на . фиг.1.

П р и м е р. На кремниевой подложке 1 КЭФ 7,5 (100) формируют первый слой 2 оксида кремния толщиной 50 нм в потоке сухого кислорода при 1000°С (фиг.1-3). Затем осаждают слой нитрида кремния толщиной 130 нм при пониженном давлении и формируют методами фотолитографии маску 3 из нитрида кремния с окнами, в которых выращивают области 4 полевого оксида кремния толщиной 1200 нм в парах воды на 1000°С. На области полевого оксида кремния и маску из нитпн

-Ч

СО О

ОО

оэ

А.

кремния осаждают слой 5 диэлектрика из оксида кремния толщиной 300 им, полученного реакцией моносилана с закисьч азота при 800° С в реакторе пониженного давления. Затем с помощью операций фотолитографии и диффузии бора формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при 1070°С в течение 40 мин до его кон- центрации в областях 6 на уровне 10го- К)11 см Далее на областях стоков, истоков формируют второй слой 7 оксида кремния при 900бС толщи ной 0,6 мкм После чего слой 5 ди- электрика, маску 3 из нитрида кремния и первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции Формирования МДП -транэис торов.

Б качестве слоя 5 днжлектрика можно использовать слой поликремния толщиной 50 нм, получаемый осаждени- ем п реакторе пониженного давления путем пиролиза моносилана при 630 С с последующим его окислением в парах воды при 900°С в течение 1 ч. Диапазоны температуры и времени формирования слоя 5 диэлектрики зависят от требуемой его толщины, минимальное значение которой определяется темпе- ратурой и длительностью диффузионной загонки примеси в области стоков и истоков при формировании МДП-транзис торов«

Использование данного способа из- готовления МДП-транзисторов в микросхемах 558РР1 позволяет повысить выход годных кристаллов на операции

контроля функционирования с 2,6 до 4,3%.

Формула изобретения

1.Способ изготовления МДП-транэис- торов, включающий формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование м аски из нитрида кремния, формирование областей полевого оксида кремния, формирование областей истоков и стоков, формирование на этих областях второго слоя оксида кремния, удаление маски из нитрида кремния и первого слоя оксида кремния, о тличающий- с я тем, что, с целью повышения выхода годных МДП-транзисторов за счёт устранения токовых утечек между областями истоков и стоков, перед формированием областей истоков и стоков на областях полевого оксида кремния и маске из нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлежтрика, который удаляют после формирования второго слоя оксида кремния,

2.Способ по п., отличающийся тем что слой диэлектрика формируют осаждением поликремния путем пиролиза моносилана при пониженном давлении с последующим прокис лением слоя поликремния,

3.Способ по п.), отличающийся тем, что слой диэлектрика формируют пиролитическим синтезом из смеси моносилана и закиси азота при пониженном давлении.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. Цель изобретения - повышение выхода- годных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, фор- мирование областей полевого оксида кремния, после чего на областях поле- вого оксида кремния и маске из нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлектрика. Затем с помощью фотолитографии и диффузии бора формируют области истока и стока. Далее на областях стоков, истоков формируют второй слой оксида кремния. После чего дополнительный слой диэлектрика маску из нитрида , кремния и первый слой оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции формирования МДП-транзисторов. В качестве дополнительного слоя диэлектрика можно использовать слой поликремния, осажденного путем пиролиза моносилана при пониженном давлении с последующим его прокислением. Слой диэлектрика может быть также сформирован пироли- тическим синтезом из смеси моносила- на и закиси азота при пониженном давлении о 2 з.п. ф-лы, 3 ил. С S

А А

фиг.2

6-6

325

bkz±

Л

/

г

фи&.3