Способ выращивания кристаллов с периодической структурой Советский патент 1989 года по МПК C30B7/00 C30B15/20 

Описание патента на изобретение SU1474184A1

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике.

Цель изобретения - упрощение способа и повышение выхода кристаллов с периодической структурой.

На чертеже представлена схема, поясняющая сущность предлагаемого способа.

На схеме приняты следующие обозначения: 1 - стенка резонатора, 2 - излучатель ультразвука; k - волновой вектор УЗ-волны; п - направление кристаллизации, 1 - длина резонатора.

Способ осуществляется следующим образом.

В объеме раствора или расплава на расстоянии нескольких сантиметров друг от друга размещают затрав- t

ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковой резонатор, причем одной из стенок резонатора служит поверхность растущего кристалла. По мере роста кристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь, приводит к регулярным изменениям режима волны: бегущей - стоячей - бегущей - стоячей, что и приводит к модуляции концентрации примеси в кристалле и к возникновению периодической структуры. Шаг периодической структуры определяется длиной волны ультразвукового излучения. Например, при использовании ультразвука с частотой 52 МГц полученная периодическая структура имеет шаг 38 мкм, а при частоте 30,5 МГц - 112 мкм.

4

Ы Ј

оо

Ј

Форму ,л а изобретения

Способ выращивания кристаллов с периодической структурой из жидкой фазы, включающий возбуждение ультразвуковой волны в резонаторе, содержащем затравку, отличающийс я тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода годных, резонатор образуют размещением затравки напротив излучателя, а частоту возбуждения устанавливают из условия возникновения стоячих волн на первоначальной длине резонатора.

Похожие патенты SU1474184A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВОДОРАСТВОРИМЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ (KDP) 2013
  • Ершов Владимир Петрович
  • Касьянов Дмитрий Альбертович
  • Родченков Владимир Ильич
RU2550877C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1991
  • Кожемякин Геннадий Николаевич[Ua]
RU2035530C1
УСТРОЙСТВО РАСПОЗНАВАНИЯ ВНУТРЕННИХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ ОБЪЕКТА 2005
  • Меньших Олег Федорович
RU2276355C1
Волновод для ультразвуковой сварки 1990
  • Яшин Юрий Иванович
  • Апанасенко Вячеслав Федорович
  • Шибякин Сергей Николаевич
  • Семичева Лариса Георгиевна
  • Утенков Виктор Дмитриевич
SU1804987A1
КОЛЬЦЕВОЙ ЛАЗЕР С АКУСТООПТИЧЕСКОЙ СИНХРОНИЗАЦИЕЙ МОД 1991
  • Зиновьева Т.В.
  • Наний О.Е.
  • Наний Н.В.
RU2007801C1
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1995
  • Торчигин Владимир Павлович
RU2085984C1
СПОСОБ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЯ ОТЛОЖЕНИЯ ПАРАФИНА В НЕФТЯНОЙ СКВАЖИНЕ 2004
  • Савиных Ю.А.
  • Савиных Р.И.
  • Ганяев В.П.
  • Богданов В.Л.
  • Музипов Х.Н.
RU2263765C1
МНОГОЧАСТОТНОЕ ПРИЕМОИЗЛУЧАЮЩЕЕ АНТЕННОЕ УСТРОЙСТВО 2018
  • Волощенко Вадим Юрьевич
  • Тарасов Сергей Павлович
  • Плешков Антон Юрьевич
  • Волощенко Александр Петрович
  • Воронин Василий Алексеевич
  • Пивнев Петр Петрович
RU2700031C1
Способ модуляции лазерного излучения и устройство для его осуществления 2019
  • Молчанов Владимир Яковлевич
  • Юшков Константин Борисович
  • Науменко Наталья Федоровна
  • Чижиков Александр Ильич
  • Гуров Василий Викторович
  • Захаров Никита Геннадьевич
  • Павлюк Анатолий Алексеевич
RU2699947C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА ЦИНКА 2007
  • Ивлева Людмила Ивановна
  • Воронина Ирина Сергеевна
  • Березовская Людмила Юрьевна
  • Лыков Павел Андреевич
  • Осико Вячеслав Васильевич
RU2363776C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 474 184 A1

Реферат патента 1989 года Способ выращивания кристаллов с периодической структурой

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, которые могут найти применение в квантовой электронике. Цель изобретения - упростить способ получения и повысить выход кристаллов с периодической структурой. Способ реализуется путем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплава ультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлению кристаллизации, при этом поверхности растущего кристалла и источника ультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волны обеспечивает движение поверхности растущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 474 184 A1

Растущий кристалл

SU 1 474 184 A1

Авторы

Аракелян Владимир Суренович

Аветисян Ашот Геворкович

Даты

1989-04-23Публикация

1984-10-18Подача