Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода Советский патент 1962 года по МПК H01L29/88 

Известные способы уменьшения емкости туннельных диодов, основанные на уменьшении нлошади р-« переходов, являются малоэффективными и не могут быть нрименены для диодов малых габаритов.

Предлагаемый способ отличается тем, что вынрямляющий контакт вплавляют в полупроводниковую пластину, тонкий поверхностный слой которой имеет малое удельное сопротивление, необходимое для получения туннельного эффекта.

Это позволяет значительно увеличить эффективность способа уменьшения емкости туннельных диодов.

Описываемый способ заключается в том, что рабочую плош.адь р - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводник наносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельным сопротивлением.

Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - п перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.

Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощи диффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовой фазы и т- д.

Государственный комитет радиоэлектронной промышленности отмечает эффективность предлагаемого способа и возможность использования его при разработке новых туннельных диодов.

Ко 148143- 2

Предмет изобретения

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении Плош:ади р - л перехода, отличаюшийся тем, что, с целью увеличения эффективности способа, выпрямляющий контакт вправляют в полупроводниковую пластину, тонкий поверхностный слой которой имеет малое удельное сопротивление, необходимое для получения туннельного эффекта.