ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД Советский патент 1965 года по МПК H01L29/88 

Описание патента на изобретение SU171923A1

Известны туннельные диоды, выиолиенные в виде спаев металл-германий-стекло-германий-металл, в которых меза-структура расположена сбоку конструкции. Известные конструкции содержат два слоя германия, что увеличивает индуктивность прибора, а выполнение меза-структуры сбоку устройства не обеспечивает ее достаточной механической прочности.

.Предложенный туннельный диод отличается от известных тем, что спаи металла, стекла и германия выполнены таким образом, что меза-структура прибора расположена внутри кольцевого спая германия со стеклом, что позволяет уменьшить емкость и индуктивность устройства, а также повысить механическую прочность меза-структуры.

На чертеже изображен предложенный туннельный диод.

На кольцевой пластине / германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт .2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4. Сплав 5, образующий р-я-переход прибора, расположен внутри германиевой нластнны / и имеет контакт с металлической пластиной 4.

Изготовить структуру можно следующим образом: на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10-60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800-900°С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с

германием. Позолотив полученный «сандвич с обеих сторон, нарезают его на отдельные кристаллы, при этом одновременно (или после этой операции) в каждом кристалле одним из известных методов прошивают отверстие до металлической пластины. В отверстие забрасывают кусочек сплава, образующего при вплавлении р-л-переход с германиевой пластиной и контакт с металлической пластиной.

Предмет изобретения

Туннельный диод на основе германия, мезаструктура которого крепится на многослойной констркуции в виде спаев металл-германнй-стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьщения емкости и индуктивности устройства и повышения механической прочности меза-структуры, диод состоит из кольцевой пластины германия, с одной стороны которой создан кольцевой омический контакт, с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку припаяна металлическая пластина, а сплав, образующий р-п-переход прибора, расположен внутри германиевого кольца и имеет контакт с металлической пластиной.

Похожие патенты SU171923A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ (ВАРИАНТЫ) 2009
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Калюжный Николай Александрович
  • Лантратов Владимир Михайлович
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Минтаиров Сергей Александрович
RU2391745C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 2012
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Битков Владимир Александрович
  • Василенко Анатолий Михайлович
  • Королева Наталья Александровна
RU2515420C2
УСТРОЙСТВО СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ 2016
  • Мойзель Маттиас
  • Кестлер Вольфганг
  • Фурманн Даниэль
  • Лауэрманн Томас
RU2625263C1
КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2014
  • Филатов Михаил Юрьевич
  • Дренин Андрей Сергеевич
  • Роговский Евгений Станиславович
RU2550374C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЕДИНЕНИЯ ТОКОВВОДОВ С КОРПУСОМ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА 2010
  • Петров Сергей Николаевич
  • Волков Сергей Валерьевич
RU2457189C1
Генератор КВЧ 1990
  • Мищенко Валерий Николаевич
  • Шалатонин Валерий Иванович
SU1774459A1
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке 2018
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Ханов Сергей Георгиевич
RU2672760C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД 1999
  • Вилисов А.А.
  • Карлова Г.Ф.
  • Криворотов Н.П.
  • Хан А.В.
RU2179353C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ ДИОД 1983
  • Павельев Д.Г.
SU1178272A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ P-I-N ДИОДОВ ГРУППОВЫМ МЕТОДОМ (ВАРИАНТЫ) 2009
  • Филатов Михаил Юрьевич
  • Белотелов Сергей Владимирович
  • Быкова Светлана Сергеевна
  • Абдуллаев Олег Рауфович
  • Айриян Юрий Аршакович
RU2393583C1

Иллюстрации к изобретению SU 171 923 A1

Реферат патента 1965 года ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД

Формула изобретения SU 171 923 A1

SU 171 923 A1

Даты

1965-01-01Публикация