Известны туннельные диоды, выиолиенные в виде спаев металл-германий-стекло-германий-металл, в которых меза-структура расположена сбоку конструкции. Известные конструкции содержат два слоя германия, что увеличивает индуктивность прибора, а выполнение меза-структуры сбоку устройства не обеспечивает ее достаточной механической прочности.
.Предложенный туннельный диод отличается от известных тем, что спаи металла, стекла и германия выполнены таким образом, что меза-структура прибора расположена внутри кольцевого спая германия со стеклом, что позволяет уменьшить емкость и индуктивность устройства, а также повысить механическую прочность меза-структуры.
На чертеже изображен предложенный туннельный диод.
На кольцевой пластине / германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт .2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4. Сплав 5, образующий р-я-переход прибора, расположен внутри германиевой нластнны / и имеет контакт с металлической пластиной 4.
Изготовить структуру можно следующим образом: на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10-60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800-900°С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с
германием. Позолотив полученный «сандвич с обеих сторон, нарезают его на отдельные кристаллы, при этом одновременно (или после этой операции) в каждом кристалле одним из известных методов прошивают отверстие до металлической пластины. В отверстие забрасывают кусочек сплава, образующего при вплавлении р-л-переход с германиевой пластиной и контакт с металлической пластиной.
Предмет изобретения
Туннельный диод на основе германия, мезаструктура которого крепится на многослойной констркуции в виде спаев металл-германнй-стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьщения емкости и индуктивности устройства и повышения механической прочности меза-структуры, диод состоит из кольцевой пластины германия, с одной стороны которой создан кольцевой омический контакт, с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку припаяна металлическая пластина, а сплав, образующий р-п-переход прибора, расположен внутри германиевого кольца и имеет контакт с металлической пластиной.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ (ВАРИАНТЫ) | 2009 |
|
RU2391745C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 2012 |
|
RU2515420C2 |
УСТРОЙСТВО СОЛНЕЧНЫХ БАТАРЕЙ | 2016 |
|
RU2625263C1 |
КРЕМНИЕВЫЙ ДИОД С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2550374C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЕДИНЕНИЯ ТОКОВВОДОВ С КОРПУСОМ ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБОРА | 2010 |
|
RU2457189C1 |
Генератор КВЧ | 1990 |
|
SU1774459A1 |
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке | 2018 |
|
RU2672760C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД | 1999 |
|
RU2179353C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ ДИОД | 1983 |
|
SU1178272A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ P-I-N ДИОДОВ ГРУППОВЫМ МЕТОДОМ (ВАРИАНТЫ) | 2009 |
|
RU2393583C1 |
Даты
1965-01-01—Публикация