Изобретение относится к мироэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем повышенной степени интеграции.
Целью изобретения является повышение выхода годных подложек за счет снижения дефектности слоя фоторезиста и исключения их реставрации. Подложки после гидромойки обрабатывают предложенным гидрофобизирующим раствором ПАВ, в качестве которого используют водный раствор катамина АБ алкилбензилдиметиламмонийхлорида. Кроме того, что ПАВ обеспечивает повышение адгезии фоторезиста, оно препятствует проникновению фоторезиста непосредственно к поверхности кремния в виде образующегося промежуточного монослоя катамина АБ, предотвращает их сцепление (это выявленное новое свойство). Поэтому при появлении фоторезиста происходит полное удаление его, снижается дефектность, исключено подтравление, а следовательно, уход размеров, что снижает процент возврата изделий на реставрацию.
При уменьшении концентрации раствора до ниже 0,01 мас. снижается адгезия фоторезиста к подложке, что приводит к недопустимому уходу размеров и повышению дефектности. При концентрации раствора выше 1 мас. наблюдается недопроявление фоторезиста и снижение его светочувствительности.
П р и м е р. Невысушенные кремниевые пластины (диаметр пластин 60, 76, 100 мм) после операции гидромойки подвергают обработке в растворе поверхностно-активного вещества катамина АБ концентрированном водном растворе алкилбензилдиметиламмонийхлорида. Рабочий раствор катамина АБ различных концентраций готовили следующим образом: необходимый объем катамина АБ растворяли в небольшом количестве деионизованной воды марки А, затем доводили до необходимого объема (1 л) и перемешивали.
Обработку пластин осуществляли методом полива через форсунку на центрифуге. Давление струи жидкости (катамина АБ) 0,5 кг/см2, время подачи 8 с при скорости вращения центрифуги ≈ 500 об/мин.
Установлено, что независимо от вида поверхности, будь то SiO2, выращенный термически, пиро-SiO или ФСС, обработка в катамине АБ приводит к увеличению угла смачивания, что в свою очередь при последующей фотолитографической обработке обеспечивает высокое качество за счет хорошей адгезии фоторезиста.
Затем пластины сушили на той же центрифуге, но скорость вращения при сушке составляла 4500 об/мин, а время сушки 15 с. После сушки пластины передавались на операцию нанесения фоторезиста. Если пластины и передавались на операцию нанесения фоторезиста после хранения, то ухудшение адгезии не наблюдалось. Сравнительные данные по проценту выхода для трех партий БИС и СБИС приведены в табл.1. В табл.2 приведены данные по дефектности железоокисных фотошаблонов, в процессе изготовления которых проводили обработку в соответствии с предлагаемым способом.
Как видно из таблиц, обработка поверхности подложек перед нанесением позволяет снизить дефектность, процент подложек, возвращаемых на реставрацию, и повысить выход годных.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СОСТАВ ФОТОРЕЗИСТА | 1981 |
|
SU1080638A1 |
| СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА, НАНЕСЕННОГО НА ПОДЛОЖКУ | 1991 |
|
SU1829679A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ | 1986 |
|
RU1398641C |
| Способ обработки стеклянных пластин | 1982 |
|
SU1033466A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ | 1990 |
|
RU1762727C |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК | 2005 |
|
RU2305918C2 |
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК | 2007 |
|
RU2367056C2 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СТОЛБА МНОГОКОНТАКТНОГО ГИБРИДНОГО СОЕДИНЕНИЯ | 2009 |
|
RU2392690C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ | 2000 |
|
RU2195047C2 |
| СОСТАВ ДЛЯ ПОКРЫТИЙ С БИОЦИДНЫМИ СВОЙСТВАМИ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОЙ ДОБАВКИ С БИОЦИДНЫМИ СВОЙСТВАМИ | 2007 |
|
RU2338765C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение выхода годных подложек - достигается за счет снижения дефектности слоя фоторезиста и исключения их реставрации. Поверхность подложки перед нанесением фоторезиста обрабатывают 0,01 - 1%-ным водным раствором катионоактивного ПАВ - катамином АБ - алкилбензилдиметиламмонийхлоридом общей формулы [CnH2n+1N+(CH3)2CH2C6H5]Cl-, где n = 10 - 18. Введение данной обработки позволяет повысить адгезию фоторезиста к подложке за счет образования промежуточного монослоя катамина АБ, удаляемого при последующем проявлении.
СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА, включающий очистку подложки и обработку ее органическим гидрофобизирующим веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных подложек за счет снижения дефектности наносимого слоя, в качестве гидрофобизирующего вещества используют 0,01 1%-ный (по массе) водный раствор катионоактивного ПАВ катамина АБ алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы
[ Cn H2n+1N+ (CH3)2 CH2C6 H5]Cl-,
где n 10 18.
| Физика твердого тела, 1976, 22, N 5, с.89-95. |
