СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА Советский патент 1995 года по МПК H01L21/312 

Описание патента на изобретение SU1491269A1

Изобретение относится к мироэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем повышенной степени интеграции.

Целью изобретения является повышение выхода годных подложек за счет снижения дефектности слоя фоторезиста и исключения их реставрации. Подложки после гидромойки обрабатывают предложенным гидрофобизирующим раствором ПАВ, в качестве которого используют водный раствор катамина АБ алкилбензилдиметиламмонийхлорида. Кроме того, что ПАВ обеспечивает повышение адгезии фоторезиста, оно препятствует проникновению фоторезиста непосредственно к поверхности кремния в виде образующегося промежуточного монослоя катамина АБ, предотвращает их сцепление (это выявленное новое свойство). Поэтому при появлении фоторезиста происходит полное удаление его, снижается дефектность, исключено подтравление, а следовательно, уход размеров, что снижает процент возврата изделий на реставрацию.

При уменьшении концентрации раствора до ниже 0,01 мас. снижается адгезия фоторезиста к подложке, что приводит к недопустимому уходу размеров и повышению дефектности. При концентрации раствора выше 1 мас. наблюдается недопроявление фоторезиста и снижение его светочувствительности.

П р и м е р. Невысушенные кремниевые пластины (диаметр пластин 60, 76, 100 мм) после операции гидромойки подвергают обработке в растворе поверхностно-активного вещества катамина АБ концентрированном водном растворе алкилбензилдиметиламмонийхлорида. Рабочий раствор катамина АБ различных концентраций готовили следующим образом: необходимый объем катамина АБ растворяли в небольшом количестве деионизованной воды марки А, затем доводили до необходимого объема (1 л) и перемешивали.

Обработку пластин осуществляли методом полива через форсунку на центрифуге. Давление струи жидкости (катамина АБ) 0,5 кг/см2, время подачи 8 с при скорости вращения центрифуги ≈ 500 об/мин.

Установлено, что независимо от вида поверхности, будь то SiO2, выращенный термически, пиро-SiO или ФСС, обработка в катамине АБ приводит к увеличению угла смачивания, что в свою очередь при последующей фотолитографической обработке обеспечивает высокое качество за счет хорошей адгезии фоторезиста.

Затем пластины сушили на той же центрифуге, но скорость вращения при сушке составляла 4500 об/мин, а время сушки 15 с. После сушки пластины передавались на операцию нанесения фоторезиста. Если пластины и передавались на операцию нанесения фоторезиста после хранения, то ухудшение адгезии не наблюдалось. Сравнительные данные по проценту выхода для трех партий БИС и СБИС приведены в табл.1. В табл.2 приведены данные по дефектности железоокисных фотошаблонов, в процессе изготовления которых проводили обработку в соответствии с предлагаемым способом.

Как видно из таблиц, обработка поверхности подложек перед нанесением позволяет снизить дефектность, процент подложек, возвращаемых на реставрацию, и повысить выход годных.

Похожие патенты SU1491269A1

название год авторы номер документа
СОСТАВ ФОТОРЕЗИСТА 1981
  • Гунина Н.М.
  • Акимова Л.А.
  • Викулина С.А.
  • Пимкина З.А.
  • Поярков И.И.
  • Яковлев В.Д.
SU1080638A1
СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ СЛОЯ ФОТОРЕЗИСТА, НАНЕСЕННОГО НА ПОДЛОЖКУ 1991
  • Комаров В.Н.
  • Суровцев А.Н.
  • Гунина Н.М.
SU1829679A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ 1986
  • Белых Ю.Г.
  • Тимашев В.В.
  • Федорец В.Н.
  • Якименко А.Н.
RU1398641C
Способ обработки стеклянных пластин 1982
  • Гунина Нина Максимовна
  • Пимкина Зоя Анатольевна
  • Поярков Игорь Иванович
  • Яковлев Виктор Дмитриевич
SU1033466A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 1990
  • Кислякова О.В.
  • Кондратьев Ю.П.
  • Тимашев В.В.
  • Федорец В.Н.
  • Федосов В.И.
RU1762727C
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК 2005
  • Никитин Сергей Алексеевич
RU2305918C2
СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК 2007
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2367056C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО СТОЛБА МНОГОКОНТАКТНОГО ГИБРИДНОГО СОЕДИНЕНИЯ 2009
  • Новоселов Андрей Рудольфович
  • Кузьмин Николай Борисович
  • Валишева Наталья Александровна
  • Косулина Ирина Григорьевна
RU2392690C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ 2000
  • Латышева Н.Д.
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
RU2195047C2
СОСТАВ ДЛЯ ПОКРЫТИЙ С БИОЦИДНЫМИ СВОЙСТВАМИ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРНОЙ ДОБАВКИ С БИОЦИДНЫМИ СВОЙСТВАМИ 2007
  • Беклемышев Вячеслав Иванович
  • Махонин Игорь Иванович
  • Афанасьев Михаил Мефодьевич
  • Абрамян Ара Аршавирович
  • Солодовников Владимир Александрович
  • Вартанов Рафаэль Врамович
RU2338765C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 491 269 A1

Реферат патента 1995 года СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение выхода годных подложек - достигается за счет снижения дефектности слоя фоторезиста и исключения их реставрации. Поверхность подложки перед нанесением фоторезиста обрабатывают 0,01 - 1%-ным водным раствором катионоактивного ПАВ - катамином АБ - алкилбензилдиметиламмонийхлоридом общей формулы [CnH2n+1N+(CH3)2CH2C6H5]Cl-, где n = 10 - 18. Введение данной обработки позволяет повысить адгезию фоторезиста к подложке за счет образования промежуточного монослоя катамина АБ, удаляемого при последующем проявлении.

Формула изобретения SU 1 491 269 A1

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА, включающий очистку подложки и обработку ее органическим гидрофобизирующим веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных подложек за счет снижения дефектности наносимого слоя, в качестве гидрофобизирующего вещества используют 0,01 1%-ный (по массе) водный раствор катионоактивного ПАВ катамина АБ алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы
[ Cn H2n+1N+ (CH3)2 CH2C6 H5]Cl-,
где n 10 18.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1491269A1

Физика твердого тела, 1976, 22, N 5, с.89-95.

SU 1 491 269 A1

Авторы

Гунина Н.М.

Дынник А.П.

Поярков И.И.

Даты

1995-05-27Публикация

1987-06-29Подача