Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитных пленок с плоскими магнитными доменами.
Целью изобретения является расширение области устойчивой работы носителя информации.
,На фиг. 1 изображен предлагаемый носитель информации, на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.
Носитель информации содержит диэлектрическую подложку 1, на которой расположены колонки последовательно соединенных тонкопленочных магнитных элементов 2 памяти стреловидной формы, высококоэрцитивный магнитньй слой 3, расположенный на участках тонкой магнитной пленки между элементами 2 па- памяти и управляющие шины 4 и 5.
Носитель информации изготавливают следующим образом.
На диэлектрическую подложку 1 наносят известным методом магнитн то пленку пермаллоя с коэрцитивной силой Н„ 23. Затем с помощью фотоV
литографии формирут из пленки пермаллоя колонки неразделенных друг от друга тонкопленочных однослойных магнитных запоминающих элементов 2. После этого наносят слой фоторезиста, освобождают от фоторезиста поверхность
СО СП
а
315
участков магнитной пленки в колонках между магнитными запоминающими элементами и HairoCHT магнитньш слой 3 толщиной 50 нм с коэрцитивной силой Hj 100Э, после чего полностью удаляют фоторезист.
Носитель информации работает сле- дутощим образом.
При записи О в отдельный элемент 2 по шине 4, расположенной над элементом перпендикулярно к колонке, и по шине 5, расположенной вдоль колонки, пропускают электрический ток. Маг нитные поля, созданные этими токами, складываются и переводят намагниченность элемента в состояние, соответствующее О. , записи 1 использу ют тот же метод, но необходимы токи обратного направления. Дпя считывания информации через колонку запоминающих элементов пропускают электрический ток и регистрируют изменение сопротивления при действии на выбранньш элемент магнитного поля от проводника с током, расположенного над элементом
Нанесение высококоэрцитивного магнитного слоя приводит к увеличению ко
35164
эрцитивной силы на участках пленки пбд ним. Это позволяет использовать для хранения информации, соответствую„ щей 1, более устойчивую конфигурацию намагниченности, состоящую из трех участков с разным направлением намагниченности, разделенных доменными стенками, поэтог-ту предложенный
0 носитель информации имеет более широкую область устойчивой работы.
Формула изобретения
5
Носитель информации, содержагций диэлектрическую подложку, на которой расположены колонки последовательно соединенных тонкопленочных магнитных
Ю элементов памяти стреловидной формы и управляющие шины, отличающий- с я тем, что, с целью расширения области устойчивой работы носителя информации, он содержит высококоэрци 5 тивньй магнитньш слой, расположенный на участках тонкой магнитной пленки между элементами памяти стреловидной формы.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ дефектоскопии тонких магнитных пленок | 1987 |
|
SU1506345A1 |
Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием инфомрации | 1989 |
|
SU1730681A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК | 1994 |
|
RU2060567C1 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ | 2007 |
|
RU2342738C1 |
Способ изготовления носителя информации с полосовыми и магнитными доменами | 1983 |
|
SU1116460A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ ФАЗОВЫЙ ДОМЕННЫЙ ВЕНТИЛЬ (ВАРИАНТЫ) | 2016 |
|
RU2620027C1 |
Термомагнитный способ записи информации | 1989 |
|
SU1661833A1 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
Магнитное запоминающее устройство | 1980 |
|
SU890439A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитных пленок с плоскими магнитными доменами. Целью изобретения является расширение области устойчивой работы носителя информации. Носитель информации содержит диэлектрическую подложку, на которой расположены колонки последовательно соединенных тонкопленочных магнитных элементов памяти стреловидной формы, высококоэрцитивный магнитный слой, расположенный на участках тонкой магнитной пленки между элементами памяти, и управляющие шины. Нанесение высококоэрцитивного магнитного слоя приводит к увеличению коэрцитивной силы на участках пленки под ним. Это позволяет использовать для хранения информации, соответствующей "1", более устойчивую конфигурацию намагниченности, состоящую из трех участков с разным направлением намагниченности, разделенных доменными стенками, поэтому носитель информации имеет более широкую область устойчивой работы. 2 ил.
и U
Фаг.}
-/i
Фи.2 .
IEEE Trans Magn, V | |||
Выбрасывающий ячеистый аппарат для рядовых сеялок | 1922 |
|
SU21A1 |
Способ оштукатуривания с употреблением бумажной массы | 1924 |
|
SU1776A1 |
Journal of Applied Physics | |||
V | |||
Веникодробильный станок | 1921 |
|
SU53A1 |
Электрический конденсатор переменной емкости | 1925 |
|
SU2762A1 |
Видоизменение прибора для получения стереоскопических впечатлений от двух изображений различного масштаба | 1919 |
|
SU54A1 |
Авторы
Даты
1989-10-07—Публикация
1987-08-03—Подача