Полупроводниковый диод Советский патент 1962 года по МПК H01L29/06 

Известные полупроводниковые диоды, выполненные на базе монокристаллической пластины из полупроводникового материала, например германия, с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, не обеспечивают получения большой мощности.

Для увеличения мощности в предлагаемом диоде применены профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт без увеличения периметра полупроводниковой пластины.

На чертеже изображена схема конструктивного -выполнения описываемого диода.

На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала,- выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски / или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.

При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным. Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок имеющих прямоугольный профиль.

Описанная конструкция электронно-дырочного перехода может найти применение в производстве мощных полупроводниковых диодов.

№150938

- 2 - Предмет изобретения

Полупроводниковый диод, выполненный на базе монокристаллической пластины из полупроводникового материала с электронно-дырочным переходом и омическим контактом, отличающийся тем, что., с целью увеличения мощности диода, в нем применен профилированный электронно-дырочный переход и профилированный омический контакт без увеличения периметра полупроводниковой пластины.