Симметрирующее устройство Советский патент 1989 года по МПК H01P5/10 

3151

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в миниатюрных устройствах, включая монолитные.

Цель изобретения - повьшение интеграции.

На. фиг. 1 показана конструкция симме трирующего устройства; на фиг.2 расположение его основных проводни- ков по одному из его вариантов.

Симметрирующее.устройство содержит полуволновый проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками 2 и 3, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновых проводника 4 и 5, расположенные вдоль оси АА полуволнового проводника 1, - причем конец 6 первого из них и нача- ло 7 второго разделены зазором 8, расположенным против средней ч-асти полуволнового проводника 1. На внешней стороне второй дизлектрической подложки 3 расположен четвертый про- водник 9, при зтом начало 10 полуволнового проводника 1, начало 11 первого четвертьволнового проводника 4 и начало 12 четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец 6 первого четвертьволнового проводника 4 и начало 7 второго четвертьволнового проводника 5 являются симметричным выходом.

Начало 11 первого четвертьволново- го проводника 4 и конец 13 второго четвертьволнового проводника 5 закорочены по СВЧ-току. Четвертый проводник 9 выполнен в виде заземляющего основания, перекрывающего полуволно- вый проводник 1. Толщина h g второй диэлектрической подложки 3 больше толщины hj первой диэлектрической подложки 2.

Симметрирующее устройство работа- ет следующим образом.

СВЧ-сигнал, поступающий на несимметричный вход, образованный началами 10 - 12 полуволнового 1, первого 4 четвертьволнового и четвертого 9 про- водников, поступает на симметричный выход, образованный концом 6 первого четвертьволнового проводника 4 и началом 7 второго четвертьволнового проводника 5. Выбором параметров второй диэлектрической подложки (диэлектри- ческой постоянной S и толщины h) обеспечивается равенство фазовых скоростей четной и нечетной волн отрез-

ков связанных линий, образованных полуволновым проводником 1 и четвертьволновыми проводниками 4 и 5. Тем самым обеспечиваются требуемые выходные параметры в широкой полосе частот. Для выполнения этих условий необходимо толщину h второй диэлектрической подложки 3 выбрать больше толщины первой диэлектрической подложки 2.

Одновременно выполнение четвертого проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего полуволновой проводник 1, обеспечивает повышение степени интеграции, так как позволяет разместить диэлектрическую подложку 2 на проводящей плоскости.

Симметрирующее устройство может быть изготовлено как по гибридной, так и по монолитной технологии, например на полуизолирующей подложке из GaAs, являющейся второй диэлектрической подложкой 3. В качестве первой диэлектрической подложки 2 в этом случае целесообразно использовать диэлектрическую пленку, например, из SijN.

Формула изобретения

.. Симметрирующее устройство, содержащее полуволновый проводник, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками, на внешней стороне первой из которых размещены два четвертьволновых проводника, расположенных вдоль оси полуволнового проводника, причем конец первого из них и начало второго разделены зазором, расположенным против средней части полуволнового проводника, а на внешней стороне второй диэлектрической подложки расположен четвертый проводник, при этом начала полуволнового проводника, первого четвертьволнового проводника и четвертого проводника являются несимметричным входом, а конец первого четвертьволнового проводника и начало ,второго четвертьволнового проводника :являются симметричным выходом и началом первого четвертьволнового проводника и конец второго четвертьволнового проводника закорочены по СВЧ-току, отличающееся тем, что, с целью повышения интеграции, четвертый проводник выполнен в виде заземляющего основания, перекрывающего

515107266

полуволновый проводник, а толщина деляющей их, больше толщины первой второй диэлектрической подложки, раз- диэлектрической подложки.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах, включая монолитные. Цель изобретения - повышение интеграции. Устройство содержит полуволновый проводник 1, разомкнутый на конце и расположенный между двумя диэлектрическими подложками (ДП) 2 и 3. На внешней стороне ДП 2 размещены два четвертьволновых проводника 4, 5, причем конец 6 первого из них и начало 7 второго разделены зазором 8. На внешней стороне ДП 3 расположен проводник 9. Толщина H₂ ДП 3 больше толщины H₁ ДП 2. Одновременно выполнение проводника 9 в виде заземляющего основания, перекрывающего проводник 1 обеспечивает повышение степени интеграции, т.к. позволяет разместить ДП 2 на проводящей плоскости. 2 ил.

фик.2