Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке Советский патент 1989 года по МПК H01L21/60 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы, связанному с установкой и фиксацией в требуемом положении на подложке полупроводниковых кристаллов, и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем, применяемых в приборостроении, аппаратуре связи и других областях.

Целью изобретения является упрощение технологии и снижение трудоемкости, а также повышение надежности и производительности.

На чертеже изображены подложка с кристаллами и вакуумный присос для посадки кристаллов.

Способ осуществляется следующим образом.

На поверхность диэлектрической подложки 1 наносят схемные соединения, имеющие контактные площадки 2,- предназначенные для присоединения полупроводниковых кристаллов.3. Каж- Д1ЛЙ из полупроводниковых кристаллов 3 помещают в углубление ячейки 4, которую выполняют из материала с магнитными свойствами. Ячейку 4 устанавливают на столик 5 горизонтального и вертикального перемещения, а кристалл удерживают в ячейке, например, с помощью вакуума.

Перемещая столик 5 в верхнее положение, осуществляют совмещение контактных площадок кристалла с контактными площадками 2 на подложке, ячейку 4 с находяпдамся в ее углублении кристаллом 3 предварительно крепят на подложке I постоянным магнитным

ел

полем, а потом отключают вакуум от столика 5.

Постоянное магнитное поле формируют следующим образом.

На поверхность диэлектрической подложки 1 устанавливают постоянные магниты 6 таким образом, что плоскость каждого последующего магнита, прилегающего к поверхности подложки ;1, имеет противоположный полюс по Отношению к плоскости предыдущего магнита, причем постоянные магниты 6 разделяют друг от друга прокладками 7, которые .создают зазор между магнитами для установки кристаллов. Зазор между магнитами определяется габаритными размерами кристаллов.

Таким образом предварительно крепят на подложке 1 последовательно один за другим все кристаллы. Жесткое присоединение всех кристаллов на подложке осуществляют путем термонагрева, после чего постоянные магниты 6 убирают. Термонагрев осуществляют инфракрасным излучением со стороны постоянных магнитов 6.

В результате кратковременного ИК-нагрева осуществляются плавление соединяемых контактных площадок кристаллов и контактов подложки и их припайка.

Нагрев подложки с кристаллами благодаря кратковременному.ИК-воздей ствию на подложку и перемещению подложки в зоне обработки исключает перегрев кристаллов.

Применение предлагаемого способа позволяет упростить процесс предварительного крепления кристаллов. При этом появляется возможность осуществлять групповое присоединение всех кристаллов, что приводит к по- вьщ1ению производительности, а использование однократного теплового возде

ствия на кристаллы при присоедине НИИ повьпчает надежность. Кроме того способ позволяет производить сов- меп;ение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг- рева, что обеспечивается простотой их отсоединения. Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или ,возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.

Формула изобретения

1 . Способ монтажа т олупроводнико- вых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность диэлектрической подложки схемных соединений и контактных площадок, предварительное крепление полупроводниковых кристаллов к контактным площадкам диэлектрической подложки, жесткое присоединение кристаллов пайкой при помощи термонагре- ва, отличающийся тем, что с целью упрощения технологии и снижения трудоемкости, перед предварительным креплением кристаллы помещают в ячейки из материала с магнитными свойствами, а предварительное крепление кристаллов к поверхности диэлектрической подложки осуществляют постоянными магнитами, закрепленными на противоположной стороне диэлектрической подложки,

2, Способ поп.1,отличаю- щ и и с я тем, что, с целью повьппе- ния надежности и производительности присоединение всех кристаллов осуществляют одновременно, а термонаг- рев ведут по всей поверхности диэлектрической подложки со стороны пластин из магнитного материала.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы. Цель изобретения - упрощение технологии и снижение трудоемкости. Монтируемые кристаллы предварительно закрепляют на диэлектрической подложке с контактными площадками и схемными соединениями, совмещая контактные площадки кристалла и подложки, после чего производят жесткое присоединение кристаллов пайкой при помощи термонагрева. Отличие заключается в том, что предварительное крепление кристаллов осуществляют постоянными магнитами, закрепленными на противоположной стороне диэлектрической подложки. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Oorft/y/