Способ Л.В.Гловацкого записи информации в доменное запоминающее устройство и доменное запоминающее устройство Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

И,п Ч Ч

8 SN-1 с

ел

INS

О СП

со

оо

DCKi длину канала и в отделении путем подачи тока в разрядную шину от него информационного домена, который помещают в запоминающую ячейку. Предлагаемый способ записи и доменное запоминающее устройство обеспечивают

высокое быстродействие, так как время записи в основном определяется длительностью быстродействующего процесса расширения доменов. 2 с. и 2 з.п, ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании доменных запоминающих устройств. Целью изобретения является увеличение быстродействия доменного запоминающего устройства. Доменное запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, над которой расположена токопроводящая пленка 2 с перфорациями 3. Перфорации вместе с ферромагнитными аппликациями 4 образуют матрицу запоминающих ячеек. Вдоль столбцов матрицы расположены разрядные шины 5 и датчики 6. Вдоль строк матрицы расположены адресные каналы продвижения магнитных доменов в виде петель адресной шины 7. На входах адресных каналов размещены источники магнитных доменов в виде ферромагнитных аппликаций 8. Расширитель магнитных доменов 9 в виде петли токопроводящей шины осуществляет растяжение домена в датчике. Способ записи информации заключается в подаче на вход адресного канала зародышевого домена из источника магнитных доменов, в расширении его на всю длину канала и в отделении путем подачи тока в разрядную шину от него информационного домена, который помещают в запоминающую ячейку. Предлагаемый способ записи и доменное запоминающее устройство обеспечивают высокое быстродействие, так как время записи в основном определяется длительностью быстродействующего процесса расширения доменов. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании магнитных устройств хранения дискретной информации на основе сред с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД).

Целью изобретения является увеличение быстродействия доменного запоминающего устройства.

На чертеже показано доменное запоминающее устройство, запись в котором осуществляется предлагаемым способом. I

Доменное запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 , на которой расположена токо- проводящая пленка 2, Перфорации 3 в токопроводящей пленке образуют матрицу запоминающих ячеек. Для фиксации положения ШМД внутри перфораций размеоцены ферромагнитные аппликации 4. Вдоль столбцов запоминающих ячеек расположены разрядные шины 5 и гальваномагнитные (магниторезистивные) датчики 6. Вдоль строк матрицы расположены адресные каналы продвижения магнитных доменов в виде петель ад- ресной шины 7. На входе каждого адресного канала размещены источники магнитных доменов в виде ферромагнитных аппликаций 8, под которыми постоянно находятся зародышевые магнитные домены. Растяжение считываемого домена под датчиком 6 осуществляется с помощью расширителя 9 маг нитных доменов, выполненного в виде петли токопроводящей шины. Все токопроводящи шины отдалены друг от друга и токо- п роводящей пленки диэлектрическими слоями.

Запись информации в запоминающее устройство осуществляют следующим разом.

Пусть необходимо записать единицы (т.е. занести ЦМД)в п и п-1 разряды числовой линейки (т.е. по адресу) с размером N-1. Для этого в адресную

5

0

5

0

5

0

5

0

5

шину с номером N-1 подают ток, достаточный для расширения зародышевого , локализованного под ферромагнитной аппликацией 8, в адресном канале с номером N-I. Форма расширен- .ного магнитного домена в адресном канале соответствует форме петли адресной шины 7. После окончания расширения НМД в адресном канале подают ток в разрядные шины 5 с номерами п и п-1. При подаче тока достаточной величины в шине 5 с номерами п и п-1 происходит деление магнитного домена в адресном канале с номером N-1 и, после прекращения подачи тока в шину 7, полосовой домен в адресном канале сжимается под аппликацию 8 до размеров стабильного зародышевого ЦМД, а в магнитостатических ловушках в петлях 10 разрядных шин с номерами п и п-1 образуются два стабильных ЦМД. Далее подают ток в токопроводящую пленку 2, например, в направлении стрелки А, достаточный для образования под правыми краями перфорации 3 магнитостатических ловушек. После этого прекращают подачу тока в разрядные шины и ЦМД перемещается в запоминающую ячейку (под правые края перфораций 3), а после пре- кращения протекания тока в пленке 2 домен перемещается под ферромагнитные аппликации 4, где может храниться без потребления энергии. В режиме записи источник магнитных доменов, адресные каналы и разрядные шины выполняют роль управляемого генератора пачки доменов.

Процесс считывания протекает следующим образом.

Подают в направлении стрелки В ток в пленку 2 и переводят НМД под левые края перфораций 3, После этого повторяют все операции процесса записи вплоть до образования в петлях разрядных шин новых ЦМД. Далее подают ток в щины 9. В результате ЦМД из запоминан щих 11ере:мо1ц.:1ется в ра-лрядные расширители, г дк преобразуются в полосовые домены, и регистрируются с помощью гальваномагнитных датчиков 5. ЦМД в петлях 10 разрядных шин, которые необходимы для выталкивания НМД из ячеек, подвергают аннигиляции путем подачи в разрядные шины 5 импульсов тока достаточной амплитуды и нужной полярности. Домены в датчиках также подвергают аннигиляции. На этом процесс считьшания с разрушением заканчивается. Если необходимо восстановить

информацию, то ЦМД в петлях разрядных 5 е с я тем, что, с целью увеличения

шин не подвергают аннигиляции, а, как в процессе записи, переводят в минающие ячейки.

Предлагаемый способ записи и доменное запоминающее устройство обеспечивают высокое быстродействие, так как время записи в основном определяется длительностью быстродействующего процесса расширения доменов.

Формула изобретения

35

иены в виде пересечений разрядных шин с петлями токопроводящих шин расширителей адресных каналов продвижения магнитных доменов.

на поверхности которой расположены матрица запоминающих ячеек , адресные каналы продвижения магнитных доменов разрядные шины, расположенные вдоль столбцов матрицы, и гальваномагнитные датчики, причем каждая запоминающая ячейка магнитосвязана с одним адресным каналом продвижения магнитных доменов в строке матрицы запоминающих ячеек и с одним гальваномагнитным датчиком и разрядной шиной в строке матрицы запоминающих ячеек, о тличающебыстродействия доменного запоминающего устройства, оно содержит в адресных Каналах продвижений магнитных доменов расширители магнитнык доменов на всю длину канала и репликаторы магнитных доменов, установленные в цепях магнитной связи запоминающих ячеек и адресных каналов продвижения магнитных доменов.

репликаторы магнитных доменов выпол-

иены в виде пересечений разрядных шин с петлями токопроводящих шин расширителей адресных каналов продвижения магнитных доменов.

4. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, запоминающие ячейки выполнены в виде перфораций в токопроводящей пленке, расположен