Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и обратном направлениях и по C-V-зависимости определяют величины параметров ΔV, Cмакс, Cf, Cмин и tq, вычисляют мощность поглощенной дозы по формуле
где q - заряд электрона;
ΔV - гистерезисное изменение напряжения прямого и обратного ходов C-V-характеристики;
Смакс - максимальная емкость структуры;
Смин - минимальная емкость структуры;
Cf - равновесное значение емкости структуры в состоянии инверсии;
tq - время образования инверсионного слоя;
εs - диэлектрическая проницаемость полупроводника;
ρS - плотность проводника;
Ei - энергия, необходимая для генерации одной электрон-дырочной пары в полупроводнике под действием ионизирующего излучения.
