Способ оштукатуривания строительных изделий Советский патент 1989 года по МПК B28B11/00 

Изобретение относится к строительству, а именно к на1{есению штукатурного слоя на поверхность строительных изделий.

Цель изобретения - повьш1ение сцепления штукатурного раствора с изделием.

На фиг.1 показано устройство для ocyL4CCTBneHHH предложенного способа, рлзреа, )1анесение штукатурного слоя на поверхность строительных изделий; на фиг, 2 - то же, вытягивание формы и заливка гажевого штукатурного раствора.

В металлическую форму I помещают периметрическую перегородку 2. В зазор а между формой 1 и периметрической перегородкой 2 засыпают металлический порошок 3. Форму помещают в соленоид (не показан), присоединенный к сети переменного тока, и выдерживают в злектромагнитном поле. Металлический порошок при этом как бы спекается, превращаясь в монолит.Затем устанавливают изделие 4 в форму 1, наносят штукатурный раствор (жидкая смесь гажи 5) на вертикальные поверхности путем заливки его в зазор Ь образованный-изделием и формующей перегородкой 2, при нанесении штукатурного раствора перегородку 2 перемещают вверх, причем скорост перемещения перегородки равна скороеСП

f-s

О)

ти UKi), уровня штукатурного раствор);,,

Од 1сьремо11ио со схватыванием раствора гажм под действием си-ловых линий электромаг нитиого поля происходит от- жатис ястсселпого слоя штукатурки от поперхности монолита из металлического порошка и образование гладкой прочной поверхности схватываемого слоя.

При необходимости, для получения более прочного слоя штукатурки, на внешнюю поперкчость формы помещают высокоч;1стот,гй индуктор 6, работаю- щий в иеремепгюм режиме, который служит источником бег ающей струи и пршзодит к лучшему сцеплению частиц гажи, Сл Г , in i укату1)ки приобретает высокую прочность и стойкость к нов- режцениям.

Взаимодействие силовых линий электромагнитного поля и наводящих полей приводит к нагреву штукатурной смеси и равномерному ее распределению по оштукатурииаемой поверхности. Этот продесс можно регулировать, меняя напряженность электромагнит-юго поля.

После затвердевания нанесенного штукатурного слоя отключают ток.Моио

лит, играющий роль формующей поперхности, мгновенно рассыпается п порошок, дно форм1.1 1 вьщвигается и металлический порошок ссыпаетог на транса b

0

Q

5 0

5

0

портер и вновь возвращается для новой заливки, таким образом, используется многократно, I

Продесс оштукатуривания длится 7-10 мин. Напряженность электромагнитного поля составляет 80 - 100 КП/м, Толщина слоя металлического порошка в зазоре а составляет 2,0 - 3,0 см.

Формула изобретения

Способ оштукатуривания строительных изделий, включающий установку изделия в форму, нанесение штукатурного раствора на вертикальные поверхности путем заливки его в яазор, образованный изделием и формующими поверхностями, и отверждение, о т - личающийся тем, что, с делью повышения сдепления штукатурного раствора с изделием, перед нанесением штукатурного раствора предварительно в форму с зазором устанавлива- ют периметрическую перегородку,зазор заполняют металлическим порошком, а при нанесении штукатурного раствора перегородку перемещают вверх под действием электромагнитного поля,причем скорость перемещения перегородки равна скорости подъема уровня штукатурного раствора.

Изобретение относится к области строительства, а именно к нанесению штукатурного слоя на поверхность строительных изделий. Цель изобретения - повышение сцепления штукатурного раствора с изделием. Способ нанесения штукатурного слоя на строительное изделие включает установку изделия в форму, нанесение штукатурного раствора на вертикальные поверхности путем заливки его в зазор, образованный изделием и формующими поверхностями, и отверждение. Перед нанесением штукатурного раствора предварительно в форму с зазором устанавливают периметрическую перегородку, который заполняют металлическим порошком, а при нанесении штукатурного раствора перегородку перемещают вверх при воздействии электромагнитного поля, причем скорость перемещенеия перегородки равна скорости подъема уровня штукатурного раствора. 2 ил.

СГ о D D D О О О Q

V

О

иг. /

и О оо ои оисго о о о

г

о

г

faz.2