Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на КМОП-структурах Советский патент 1989 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь- -зовано при создании и эксплуатации запоминающих устройств (ЗУ) на К-МОП- структурах.

Цель изобретения - повышение надежности функционирования БИС ЗУ на К-МОП-структурах за счет устранения тиристорного эффекта и повышение технологичности реализации способа.

На фиг. 1 представлено устройство, реализующее предлагаемый способ записи и офанения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах; на фиг. 2 - разрез и топология паразитной тиристорной структуры.

На фиг. 1 показаны кристалл 1 БИС ЗУ, закрепленный в корпусе 2 с выводами 3, ,С обеих сторон корпуса расположены постоянные магниты 4.-На фиг, 2 показаны шунтирующие резисторы 5 - 8, транзисторы 9 и 10, полупроводниковая подложка 11 п-типа, Ьблас- ти 12 п -типа,области 12 п-типа, об- :ласть 13 кармана.

Способ реализуется с помощью устройства (фиг. 1) следующим образом.

На корпусе 2 с выводами 3 и закрепленным в нем кристалле 1 устанавливают магниты 4, создающие магнитное поле Н, вектор которого направлен перпендикулярно поверхности кристалла 1. При подаче напряжения питания на БИС ЗУ происходит ответвление тока, протекающего через паразитную тиристор- ную структуру, и явления тиристор- ный эффект не возникает.

Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах заключается в том, что на основные носители зарядов. Создающие электрический ток, в паразитной структуре при приложении магнитного поля Н, ориентированного перпендикулярно поверхности кристалла, действует сила Лоренца, определяемая выражением

, -2- g,J ,

где q - заряд -электрона; С - скорость света;

SS

сл

ГчЭ

С©

ю

00 00

31

В - вектор магнитной индукции;

V - вектор скорости неосновных нснтелей заряда..

I Под воздействием вектора силы Ло- Ьенца,. расположенного в плоскости )срнсталла, траектория основных носит ,|1ей заряда, генерируемых в области гространственного заряда коллекторного перехода, отклоняется от прямоли- дейнон. Радиус кривизны траектории геосиозанных носителей заряда пропор дионплен величине вектора силы Лорен j,a V. Таким образом, при приложении аг.пптного поля определенной величи- ны можно достичь полного ответвления гока, создаваемого основными носите- заряда при обтекании областей объемных резисторов 5 и 6, шунтирую- цих эммитерные переходы транзисторов Э, 10, 7 и 8 прямой и обратной проводимости, что устраняет возможность ;1нжекции зарядов эммитерами состав- П яющих транзисторов. Вследствие отсутствия инжекции эммитеров устраня- ется возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирис- горную структуру, ко торое может привести к изменению коэффициентов уси- пения по току транзисторов 9 и 10. Устраняется возможность достижения суммы.коэффициентов усиления по току значения 1, при котором происхрдит включение паразитной тиристорной стр туры.

Ориентация вектора напряженности магнитного поля имеет большое значение, так как при направлении вектора И перпендикулярно поверхности кристалла происходит отклонение неосновных носителей заряда под действием силы Лоренца (F) вправо, при обратном направлении, вектора напряженности if - влево. При ориентации вектора напряженности магнитного по.ля парал

;лельно поверхности кристалла отклоне- ние неосновных носителей заряда буQ5 0 5

0

дет происходить вглубь или к поверхности кристалла, ,что увеличит расстояние прохождения неосновных носителей, т.е. величины сопротивлений 5 и 6. Это отрицательно скажется на шунтирующих .свойствах эмиттерных переходов. Таким образом, только перпендикулярная к поверхности ориентация вектора напряженности магнитного поля приводит к достижению поставленной цели.

Предположим, что в области пространственного заряда обратно смещенного коллекторного перехода произошла генерация пар носителей электрического тока. Под воздействием приложенного к БИС ЗУ напряжения питания , создающего электрическое поле в структуре, произойдет их разделение и дьфочная составляющая генерируемого тока направится в сторону контакта подвода потенциала земли в области кармана р- типа, а электронная составляющая - в сторону контакта подвода потенциала питания в области подложки п-типа. Под воздействием силы Лоренца, возникающей за счет приложения магнитного поля, произойдет отклонение вектора скорости носителей /зарядов от прямолинейного направления (см, фиг. 2). Это устранит возникновение падения напряжения на шунтирующих резисторах

5 и 6 и исключит го эффекта.

явление тиристорно

Формула изобретения Способ записи и хранения информации в БИС ЗУ на К-МОП-структурах, заключающийся в подаче напряжения питания на кристалл БИС ЗУ, отличающий с :я тем, что, с целью повьш1е- ния надежности функционирования, одновременно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании и эксплуатации ЗУ на КМОП-структурах. Цель изобретения - повышение надежности функционирования БИС ЗУ на КМОП-структурах за счет устранения тиристорного эффекта. Поставленная цель достигается за счет того, что одновременно с подачей напряжения питания к кристаллу БИС ЗУ прикладывают магнитное поле, вектор напряженности которого ориентирован перпендикулярно поверхности кристалла БИС ЗУ. 2 ил.

Фмг.1

I

И

LP±

1

.

ц.

sRKI

ч I1-Pi1

//

Составитель Л.Амусьева Редактор Е.Копча Техред Л.Олийнык

Заказ 7748/ 8

Тирв1ж 558

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, lOt

i

вмсод

4

Корректор В.Кабаций

Подписное