Эллипсометрический способ контроля качества полирования образца Советский патент 1990 года по МПК G01B11/30 

Из Сретечие относится к измерительной техник , в частности к методам Hepa3pvi ткжтего контро гя п технолсгии обр i и, и быть иопоттьзочано на npt ti риятичх гпгической и эле трон- нон ipoN smi теннсп ти при тении, nanpi р, з писмнчющих видеок i iep. Це mofipk - г L гыгаение чувс j Hi i с ги кг нтр° тя качества полир i1 ii ТЦГР из tJtppiiTa за счет п ) -ei ения этот of p в мтг- нитНОЕ клс с TL упним врчиением.

f пек с утес р гякт сче ующим об- pa3ON

О , т i vif1 ррн i юмстшт в маг- ни гно( п t i , чт 1ттр 1тируемая плоек i и i тг И), IT тем пер- пендик i , н i с i p i приятности магнитно сi , i -i р к и (или) магнитноо поле вр пи in т отин относите ь- но другого, сохраняя нх ivto ориентацию, а оценку качества т inp i i- ния произвотят равнением с ьн - ноп IL эллипс ометрп1 оским парт -етртм (мимимальн Я эл типтргчн сть) , изм( рен- ным фи один iKoi оц - риент п ии осртз- ца и эталоь.а относитсльж внетнето маг ни i or п in .

I Исподний BHtiiHe о мтнитного поля Hi обртзс i из фе р. п з и меняется состс яние полярштции от иного от по верх но с и бр м i in Jt,)i)HT:i первснач j Ьl пик i - ji t и J винного срета вслетстгпе i яния нтмичи- ченьости. Этс mroi i MI tijcjем Керрз,

ПТЛ 5Ю111ИИ ГОЦ I 3( П 1П1СН1 0- П ТЯрИ ванныи свет гiнобргг IT после трт- женит (.т nontpNii и I 11ЛН1ПНСП

СО О5

CJD СО

чоскую поляризацию и изменяет свою интенсивность.

Известный эффект использован для контроля нарушений в поверхностном глое ферритов после мехобработки, т.е. на основе эффекта Керра в описываемом способе количественно анализируется совершенство структуры полированной поверхности феррита. Чем вы те совершенство магнитной структуры, теп условия отражения ближе к отражению от образца с идеальной поверхностью. Этот магнитно-оптический эффект обладает высокой чувствительно- стью.

Контроль качества полированной поверхности производят бесконтактным эллипсометрическим методом. Схема (lie показана) включает ртутно-квар- цевую лампу, поляризатор, устанавливаемый последовательно под азимутами Ц1 0 и 90 относительно плоскости падения, образец из феррита, анализатор, ориентированный под фиксиро- панным азимутом tp 25 , и монохро- матор, выделяющий ртутную линию. В способе использовано свойство ферри1- тов намагничиваться в магнитном поло, и в поверхностном слое частицы

получают преимущественную ориентацию магнитной структуры, зависящую в свою очередь от наличия нарушений на поверхности.

Формула изобретения

Эллипсометрический способ контроля качества полирования образца, заключающийся в том, что устанавливают угол падения света и азимут поляризатора и анализатора эллипсометра, измеряют эллипосометрические параметры сравнением с эталоном и оценивают качество полирования образца, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности контроля качества полирования образцов из феррита, помещают в магнитное поле контролируемой плоскостью параллельно и перпендикулярно вектору напряженности магнитного поля,каждый раз производят относительное вращение образца и магнитного РОЛЯ , сохраняя их взаимную ориентацию, а опенку качества полирования производят сравнением с эталоном по эллипсометрическим параметрам, измеренным при одинаковой ориентации образца и -эталона относительно магнитного поля.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к методам неразрушающего контроля в технологии обработки ферритов на предприятиях оптической и электронной промышленности. Цель изобретения - повышение чувствительности контроля качества полирования образцов из феррита. Способ заключается в том, что устанавливают угол падения света и азимут поляризатора и анализатора эллипсометра. Помещают контролируемый образец из феррита в магнитное поле так, что контролируемая плоскость параллельна, а затем перпендикулярна вектору напряженности магнитного поля. Образец и /или/ магнитное поле вращают относительно друг друга, сохраняя их взаимную ориентацию, а оценку качества полирования производят сравнением с эталоном по эллипсометрическим параметрам, измеренным при одинаковой ориентации образца и эталона относительно внешнего магнитного поля.