Фотошаблон для контактной фотолитографии Советский патент 1992 года по МПК G03F1/00 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на операциях фотолитографии при получении элементов микронных и субмикронных размеров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Целью изобретения является повышение разрешающей способности фотошаблона.

При заполнении впадин рельефа, основания которых выполнены вогнутыми, прозрачным материалом с коэффициентом преломления выше коэффициента преломления подложки прозрачные участки фотошаблона начинают работать как собирающие оптические линзы, что позволяет при использовании стандартных источников ультрафиолетового излучения (,4 мкм) получать элементы с размерами до 0,25 мкм.

Для получения минимального размера методом контактной фотолитографии необходимо, чтобы фокальная плоскость собирающих оптических линз в процессе экспонирования находилась в слое фоторезиста. В современной технологии фотолитографии, как правилб, используются фоторезистивные пленки толщиной 0,4-1,0 мкм. Таким образом, для достижения минимального размера необходимо, чтобы фокальные плоскости собирающих оптических линз лежали на расстоянии, не превышающем 0,4 мкм от рабочей поверхности фотошаблона.

Фотошаблон согласно изобретению состоит из рельефной стеклянной подложки с расположенным на выступах маскирующим слоем. Впадины рельефа выполнены в соответствии с элементами топологии с вогнутыми основаниями. Эти элементы топологии представляют собой области в стеклянной

подложке с показателем преломления большим, чем показатель преломления стекла. Полученные таким образом оптические линзы имеют фокальную плоскость, лежащую на расстоянии 0,3 мкм от рабочей поверхности фотошаблона.

Фотошаблон изготавливают следующим образом.

Сначала формируют рисунок в слое ре- зиста на стеклянной подложке, покрытой слоем светопоглощающего материала (например, хрома). Размеры линий 1 мкм. После травления маскирующего слоя методом ионно-химического травления под защитой резистивной маски и удаления резиста проводят изотропное химические травление стекла, например, в растворе плавиковой кислоты на глубину 0,5 мкм.

Далее проводят нанесение центрифугированием полимерного покрытия с показа0

5

0

телем преломления большим, чем показатель преломления стеклянной пластины (использован оптический клей ОП-81-3), В заключение осуществляют травление клея в кислородной СВЧ-плазме для подстройки фокуса.

Формула изобретения Фотошаблон для контактной фотолитографии, содержащий рельефную подложку, прозрачную для актиничного излучения, с расположенным на выступах рельефа маскирующим слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности фотошаблона, впадины рельефа заполнены слоем прозрачного материала с коэффициентом преломления выше, чем коэффициент преломления подложки, причем основания впадин рельефа выполнены вогнутыми.

Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - повышение разрешающей способности фотошаблона. Фотошаблон содержит рельефную подложку, прозрачную для актиничного излучения. На выступах рельефа расположен маскирующий слой. Во впадинах рельефа, основания которых выполнены вогнутыми, размещен прозрачный материал с коэффициентом преломления большим, чем коэффициент преломления подложки. Благодаря этому прозрачные области фотошаблона выполняют функцию собирающих линз, что позволяет получать элементы с минимальными размерами до 0,25 мкм при экспонировании излучением с длиной волны Я 0,4 мкм.