Способ изготовления транспарентных фотошаблонов Советский патент 1977 года по МПК G03C5/00 H05K3/06 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНСПАРЕНТНЫХ ФОТОШАБЛОНОВ

1

Изобретение относится к области микроэлектроники, a именно к цветным фотошаблонам, используемым в фотографии для производства тонкопленочных интегральных; микросхем методами планерной технологии.

Известен способ изготовления транспаренных фотошаблонов, включаюший нанесение на стеклянную подложку маскирующего слоя с последующим формированием заданного геометрического рельефа методом фотоли тографии.

Однако при изготовлении фотошаблонов известным способом появляются дифракционные искажения; и дефекты, a также Небольшой диапазон рабочих экспозиций.

Цель изобретения - устранение дифракционных искажений и дефектов и расширение диапазона рабочих экспозиций.

Это достигается тем, что формирование заданного геометрического рельефа проводят путем локального послойного удаления материала со стороны маскирующего слоя с одновременным изменением оптической разности фаз Между лучами актиНичного света, проходящими Через маскирующий и прозрачный

участки фотошаблона, до получения глубины рельефа, обеспечивающей упомянутую оптическую разность фаз, кратную 2 Г .

На фиг. 1 показан процесс контактной печати с применением цветного фотошаблона, изготовленногсг согласно предложенному способу; на фиг. 2 - распределение освещенности на слое фоторезиста в процессе переноса изображения.

Устройство для контактной печати содержит прозрачную основу 1 фотошаблона с маскирующим слоем 2 и подложку 3 с нанесенным на нее слоем 4 фоторезиста, на который переносится изображение. Падающий пучок А света, проходя через фотошаблон, претерпевает дифракцию на границе маскирующего слоя 2 и прозрачного участка а. Дифрагировавшие лучи Б, попадая в область тени под маскирующим слоем 2, интерферируют на поверхности слоя 4 фоторезиста с прошедшими сквозь маскирующий слой 2 лучами В; В результате распределение освещенности на слое 4 фоторезиста приобретаге т вид, показанный на фиг. 2. Наличие макоиктумов интенсивности в области Тени и, минимумов в зоне света приводит к тому, что для получения бездефектных пропечатков экспозиция должна находиться в определенном интервале. Если экспозиция слишком мала, то в зоне света ок ло минимума освещенности б (см. фиг 2) останется валик неудаленного фоторезиста двойной край в области света. Если же экспозиоию завысить, то резист будет удален даже в зоне тени вблизи максимума освеШенности в - двойной край в области тени Из теории дифракции , что высота максимума в исследователь но, величин рабочеро интервала освещенностидЗаа зависит от разности фаз лучей В и Г (см; i|Mr. 1). Мощность интерферениионных максик-iyMoB наименьшая, а величина рабочего интервала наибольшая при разности фаз , кратной 2 7Г , т. е. в случае Ч О, Р , (f 2- 23Г . Ч 323Г и т, д. Так как на разность фаз f влияет главным образом глуйяна травлений li (см. фиг. 1), необходимо прп локальном удалении маскирующего слоя :созаавать( такую глубину рельефа щсунка, которая обеспечивает необходимую разность фаз Ч K.all , где К О, 1, 2, 3 и т. и. Необходимую травления можно установить путем послойЯого удаления маскирующеЗго слоями, если необходимо, прозрачной основы шаблона с одновременным измерением разности фаз, например, с номошью рефратомеТра Жамена.

/,

/ /

/

// //, //////

///,/ /, - , Выполнение в ({ эгошаблоне глубины геометрического рельефа в каждом конгкретном случае О1 ределенного размера, обеспечивяк щего оптическую разнпсть фаз между лучами актиничного света, прошедшими через маскирующий и прозрачный участки шаблона кратную 2«/Г , по- оляет устранить указанные недостатки Необходимую глубину травления можно контролировать в процессе изготовления фотошаблона, например, с помощью рефрактометра Жамена, Формула изобретения Способ изготовления транспарентных фотоишблонов, включающий нанесение на стекнянрук,подложку маскирующего слоя с последующим формированием заданного геометрического ч рельефа, методом фотолитографии, отличающийся тем, что,с целью устранения дифракционных искажейий и дефектов и расширения диапазона рабоиих экспозиций, формирование заданного геометрического рельефа проводят путем локального послойного удаления материала со сто РОНЫ маскируЮ1цего слоя с одновременным измерением ;оптической ;разности фаз Между лучами актинйчного света, проходящими через маскируюпдай и прозрачный участки фотошаблона, до получения глубины рельефа, обеспечивающей упомянутую оптическую разность фаз, кратную 23Г .

io

9Л 0.60,

лг о

0t/t.l