Интегральная микросхема Советский патент 1990 года по МПК H05K7/00 H01L23/04 

1

(21)4437259/24-21

(22)06.06.88

(46) 30.03.90. Бюл. № 12

(72) В.И.Ботнарь и Н.А.Гречнев

(53)621.791.36 (088.8)

(56) Авторское свидетельство СССР N- 447871, кл. Н 05 К 7/00, 1972.

Ханке Х.И., Фабиан X. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. М.: Энергия, 1980, с. 111.

(54)ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

(57) Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкциям корпусов интегральных микросхем (ИМС), в которых применяется проволочное соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами. Цель изобретения - повышение надежности и технологичности конструкции достигается тем, что ИМС содержит корпус, состоящий из основания с металлическим дном 1 t

и керамической рамки 2 с выводами 3. Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса ИМС контактные площадки 4 по периметру монтажной площадки 5 для установки полупроводникового кристалла 6. Проволочные перемычки 7 подведены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4. Монтажная площадка выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси. Одинаковость длины и Аормы проволочных выводов повышает эксплуатационную надежность ИМС в условиях механических воздействий за счет сужения диапазона резонанас- ных частот выводов. Корпус обеспечивает наиболее благоприятные условия для автоматизации разварки выводов, кроме того, сокращает расход драгметаллов за счет уменьшения общей длины соединения. 2 ил.

О

SS

(Л

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкциям корпусов интегральных микросхем /ИМС/, в которых применяется проволочное соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами. Цель изобретения - повышение надежности и технологичности конструкции - достигается тем, что ИМС содержит корпус, состоящий из основания с металлическим дном и керамической рамки 2 с выводами 3. Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса ИМС контактные площадки 4 по периметру монтажной площадки 5 для установки полупроводникового кристалла 6. Проволочные перемычки 7 подведены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4. Монтажная площадка выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси. Одинаковость длины и формы проволочных выводов повышает эксплуатационную надежность ИМС в условиях механических воздействий за счет сужения диапазона резонансных частот выводов. Корпус обеспечивает наиболее блигоприятные условия для автоматизации разварки выводов, кроме того сокращается расход драгметаллов за счет уменьшения общей длины соединений. 2 ил.

)

-7

6 -«

ел

S

ел

о

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструкциям корпусов интегральных микросхем (IIMC) различных типов, в которых применяется проволочное соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами.

Цель изобретения - повышение эксплуатационной надежности ИМС и технологичности конструкции.

На фиг.1 изображена ИМС; на фиг.2 разрез А-А на фиг.1.

ИМС содержит корпус, состоящий из основания с металлическим дном 1 и керамической рамки 2 с выводами 3. Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса ИМС контактные площадки 4, расположенные по периметру монтажной площадки 5 для установки полупроводникового кристалла 6, проволочные перемычки 7 приварены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4. Монтажная площадка 5 имеет форму усеченного эллипса.

В зависимости от размеров применяемых кристаллов усеченный эллипс, учитывая необходимые требования по размещению кристаллов в корпусе, Iстроится следующим образом. Точка пересечения осей симметрии эллипса размещается в центре монтажной площадки. Вершины эллипса по малой оси и фокусы эллипса располагаются на рекомендуемом расстоянии с учетом необходимого зазора (например, 1,25 мм) от соответствующих сторон прямоугольного кристалла. Строится заданный эллипс и отсекается с двух сторон перпендикулярами к оси на фокусном расстоянии от центра.

Обеспечение одинаковой длины и однородности форм проволочных выводов, соединяющих контактные площадки кристалла и корпуса, повышает эксплуатационную надежность ИМС в условиях механических воздействий за счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводов обеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для ИМС с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона мо- жет быть смещена вверх на несколько килогерц.

Повышение технологичности конструкции корпуса ИМС определяется обеспечением наиболее благоприятных

Q условий для автоматизированной раз- варки выводов. Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования на 10-45%, сроки технологической подготовки

5 производства и затраты на усложнение сварного оборудования.

Форма монтажной площадки в виде усеченного эллипса обеспечивает снижение материалоемкости, в т.ч. рас0 хода драгметалпов (золота) за счет уменьшения длины соединений (до 11,7%) и площади золоченых поверхностей рамки выводной и монтажной площадки (до 500 г на млн корпусов),

5 Кроме того, при геометрической однородности выводов обеспечивается возможность повышения достоверности результатов измерения разрушающих и неразрушающих сил при испытании выQ водов на механическую прочность.

Формула изобретения

Интегральная микросхема, содержащая корпус, выполненный в виде герметично соединенных между собой крышки и основания с монтажной площадкой и контактными площадками, расположенными по периметру монтажной площадки, выводы, размещенные в

Q основании и электрически соединенные внутренними концами с.контактными площадками основания, закрепленный на монтажной площадке основания кристалл, контактные площадки

5 которого электрически соединены с контактными площадками основания посредством перемычек, о тличаю- щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности и технологичности

Q конструкции, монтажная площадка основания выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси.

5