Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов типа БИС, СБИС, СВЧ-приборов и других аналогичных приборов различного назначения.
Цель изобретения повышение надежности.
На фиг. 1 изображена микросхема в разрезе; на фиг.2 модификация выполнения предлагаемой микросхемы.
Микросхема содержит полупроводниковый кристалл 1 с контактными площадками 2, электрически соединенными пленочными проводниками 3 с токоведущими участками 4 металлических выводов 5, наружные участки 6, 7 которых огибают соответственно боковую поверхность корпуса 8 и периферийную часть тыльной поверхности корпуса 8, а их концы 9 загнуты и размещены в углублениях 10.
Углубления 10 выполнены в виде усеченного конуса, меньшее основание которого ограничено наружной поверхностью отогнутого конца 11 крепежной части 12 металлического вывода 5 запрессованной в отверстии в полимерном материале корпуса 8. Пленочные проводники 3 размещены на защитном буртике 13, выполненном по периметру лицевой поверхности кристалла 1 в зоне его контактных площадок 2 и на части стенки корпуса 8 между боковыми гранями кристалла 1 и крепежными участками 12 выводов. Для интегральных схем с генератором смещения отогнутые концы 11 могут быть соединены с обратной поверхностью кристалла 1, выполнены перфорированными, а зазор между ними заполнен контактолом 14.
Интегральная микросхема работает в составе радиоэлектронной аппаратуры, собранной на плате преимущественно методом автоматизированного монтажа на поверхность, в соответствии с назначением кристалла интегральной микросхемы.
Использование микросхемы позволяет обеспечивать автоматический поверхностный монтаж интегральных схем с большим числом выводов и малым шагом между ними, увеличивает надежность, обеспечивает более высокую миниатюризацию, снижает стоимость, увеличивает надежность приборов при монтаже на печатные платы, возможность проведения зондового контроля электрических параметров после монтажа микросхем на плату.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ | 1990 |
|
RU2023329C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БЕЗВЫХОДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | 1993 |
|
RU2083024C1 |
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА | 2010 |
|
RU2450388C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО МОДУЛЯ НА ГИБКОЙ ПЛАТЕ | 2017 |
|
RU2657092C1 |
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ | 1996 |
|
RU2148874C1 |
МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА | 1996 |
|
RU2161346C2 |
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ | 1992 |
|
RU2088057C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО МИКРОМОДУЛЯ | 2005 |
|
RU2299497C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ | 1997 |
|
RU2133522C1 |
СПОСОБ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО КОРПУСИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПАМЯТИ | 2019 |
|
RU2705229C1 |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности. Интегральная микросхема содержит кристалл 1, площадки 2, проводники 3, 4, 5 с наружными участками 6 и 7, корпус 8 с углублениями 10. Использование микросхемы позволяет обеспечить ее автоматизированный монтаж. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Зарубежная электронная техника | |||
ЦНИ "Электроника", 9(328), М.: 1988, с.57. |
Авторы
Даты
1995-06-27—Публикация
1990-03-23—Подача