Пространственный многослойный диэлектрический фильтр для подавления боковых лепестков Советский патент 1990 года по МПК H01Q15/00 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано ь антенных системах СВЧ-дианазона для улучшения их характеристик.

Цель изобретения - повышение эффективности подавления боковых лепестков путем формировайия одной полосы прозрачности и ее сужения.

На чертеже приведена структурная схема пространственного многослойного диэлектрического фильтра (ПМДФ).

ПМДФ содержит герметичный корпус 1, слои 2 диэлектрика, слои плазмы 3, патрубок 4, генератор 5 плазмы, тсасывающий насос 6, датчики 7 и 8 концентрации электронов плазмы и блок 9 управления.

ПМДФ работает следующим образом.

Поток бесстолкновительной плазмы 3, создаваемый генератором 5 плазмы, через патрубок 4 поступает в пространство между слоями 2 диэлектрика герметичного корпуса 1 и далее через патрубок 4 к отсасывающему насосу 6. Сигналы с выхода датчика 7 концентрации электронов плазмы, установленных в патрубке 4 (генератора 5 плазмы) и датчиков 8 концентрации электронов, установленных в слоях плазмы 3, срав ниваются в блоке 9 управления, где вырабатывается сигнал на включение отсасывающего насоса 6 в случае неравенства амплитуд сигналов.

Вследствие одинаковой скорости ввода плазмы 3 в слои и ее отсоса на выходе достигается однородное распределение плазмы в пространстве между сл.оями диэлектрика.

При падении ь-нешней электромагнитной волны перпендикулярно слоям ПМДФ (не показана) в каждом слое образуется пришедшая и преображенная волны. Толщины слоев, их количество и диэлектрические проницаемости подобран так, что в некотором требуемом интервале углов падения в результате интерференции всех волн достигается минимальный коэффициент отражения, образуя единственную узкую полосу прозрачности ПМДФ, и, как следствие, обеспечивается эффективное подавлени боковых лепестков антенных устройств

Требуемые пространственные избирательные свойства ПМДФ реализуются лишь при использовании в четных слоях однородной плазмы с описанными параметрами, т.е. когда отношение эффективной частоты соударений к плазменной частоте меньше ее относительной диэлектрической проницаемости, при этом общее число слоев ПМДФ может находиться в пределах 5 - 15. Формула изобретения

1. Пространственныи многослойный диэлектрический фильтр для подавле- ния боковых лепестков, содержащий нечетное число плоскопараллельных слоев диэлектрика, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности подавления путем формирования одной полосы прозрачности и ее сужения, четные слои диэлектрика, число которых равно по крайней мере двум, выполнены из однородной плазмы, у которой отношение

51580474-6

эффективной частоты соударений к плаз-стия, присоединенные посредством

менной частоте меньше ее относитель-патрубков соответственно к генератоj ной диэлектрической проницаемостиРУ плазмы и отсасывающему насосу, в

на рабочей частоте.каждом слое диэлектрика со стороны

2. Фильтр по н.1, отличаю- 5входного отверстия и в торце у вьгщ и и с я тем, что плоскопараллель-ходного отверстия установлены датчиные слои диэлектрика помещены в гер-ки концентрации электронов плазмы,

метичный корпус, в торцах которого,подключенные к входам блока управперпендикулярных слоям диэлектрика,ления, выход которого подключен к

выполнены входные и выходные отвер-управляющему входу насоса.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в антенных системах СВЧ-диапазона для улучшения их характеристик. Сущность: четные слои диэлектрика, число которых равно по крайней мере двум, выполнены из однородной плазмы, у которой отношение эффективной частоты соударений к плазменной частоте меньше ее отностительной диэлектрической проницаемости на ребочей частоте. Плоскопараллельные слои диэлектрика помещены в герметичный корпус, в торцах которого перпендикулярных слоям диэлектрика, выполнены входные и выходные отверстия, присоединенные посредством патрубков соответственно к генератору плазмы и отсасывающему насосу, в каждом слое диэлектрика со стороны входного отверстия и в торце у выходного отверстия установлены датчики концентрации электронов плазмы, подключенные к входам блока управления, выход которого подключен к управляющему входу насоса. 1 ил.