СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ Советский патент 1999 года по МПК H01L21/66 

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце U_н и эталоне U_н, и соответствующих токов I и I₁, в условиях фоновой подсветки при температуре T_в из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I₂ при тех же условиях, устанавливают температуру T_и из области истощения основной примеси и проводят измерения ЭДС Холла U_н и тока I в образце и в одном из эталонов U_н1 и I₁ или и I₂, вычисляют концентрацию основной примеси N и степень компенсации К по формулам

где K₁, K₂ - значения степени компенсации в эталонах;
N₁, N₂ - концентрации основной легирующей примеси в эталонах;
d₁, d₂ - толщины эталонов;
d - толщина исследуемого образца,