Формирователь управляющих токов для доменной памяти Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

4:

а

о

ГчЭ

Изобретение относится к вычислительной технике. Предлагается формирователь управляющих токов для доменной памяти, обеспечивающий продвижение цилиндрических магнитных доменов в микросхемах доменной памяти. Формирователь содержит мостовую схему из четырех мощных транзисторов, в диагональ которой включена катушка индуктивности. В этот формирователь с целью повышения надежности и устойчивости работы доменной памяти введены резистор, два диода и два коммутатора. При этом резистор обратной связи подключен одним выводом к объединенным эмиттерным выводам первого и второго мощных транзисторов, а другим - к шине питающего напряжения, а диоды включены последовательно в коллекторы третьего и четвертого мощных транзисторов. Предлагаемый формирователь обеспечивает формирование импульсов тока синусоидальной формы для управления продвижением цилиндрических магнитных доменов в микросборках доменной памяти. Применение предлагаемого формирователя в доменной памяти приводит к повышению надежности и устойчивости его работы. Предлагаемый формирователь может быть использован в импульсных устройствах вычислительных средств и устройствах автоматики. 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в цифровых устройствах вычислительных средств и устройствах автоматики специального назначения с повьшенными требованиями к надежности и области устойчивой работы.

Целью изобретения является повышение надежности и.устойчивости до- менной памяти.

На фиг.1 приведена структурная, схема формирователя управляющих токов для доменной памяти; на фиг.2 - временные диаграммы.

Транзисторы 1 - 4 фиг,1 образуют мостовую схему, в диагональ которой включен элемент (юрмирования токов - продвижения 1ЩЦ в виде катушки 5 индуктивности. Базы соответствующих транзисторов 1 - 4 мостовой схемы

подключены к выходам согласующих усилителей 6-9, Элемент обратной связи на резисторе 10 подключен одним выводом к объединенным эмиттерам транзисторов 3 и 2 Ограничительные элементы, например, на диодах 11 и 12 включены последовательно в соответствующие коллекторы транзисторов 3 и А. Два выхода генератора 13 противофазных синусоидапьных сигналов подключены к информационным входам соответствующих коммутаторов 1Д и 15. Второй вывод резистора 10 соединен с шиной 16 питающего напряжения,

Объединенные управляющие входы коммутаторов 14 и 15 подключены к шине 7 сигнала задания режима. Выходы коммутаторов 14 и 15 соединены с входами соответствующих согласующих усилителей 6 - 9.

Формирователь управляющих токов для доменной памяти работает следующим образом,

Б отсутствие-сигнала йа шине 17 синусоидальные сигналы с выходов генератора 13 не проходят через коммутаторы 14 и 15, на выходах которых устанавливается ьгулевой потенциал напряжения, который поддерживает транзисторы 3 и 4, а также транзисторы согласующих усилителей 6 и 7 в закрытом состоянии, в свою очередь, отсутствие коллекторного тока транзисторов согласующих усилителей 6 и 7 поддерживает в закрытом состоянии транзисторы 1 и 2, В этом состоянии ток в катушке 5 отсутствует,

С поступлением сигнала на шину 17 синусоидальные сигналы с выходов ге- нератора 13 проходят через коммутаторы 14 и- 15 и поступают на входы сог- ласукщих усилителей 6-9, Каждая г положительная полуволна (фиг,2) выходного сигнала коммутатора .14 усили вается согласующим усилителем и в виде напряжения отрицательной синусои- дапьной полуволны поступает на базу транзистора 1, Под воздействием этой полуволны напряжения транзистор I открывается, и в его коллекторе возникает ток. Одновременно с положи- тепьной полуволной выходного напряжения коммутатора 14 на выходе коммутатора 15 появляется отрицательная полуволна, которая поступает на входы согласующих усилителей 7 и 8 и удерживает транзистор 3 и транзис0

0

5

тор согласующего усилителя 7,а следовательно, и транзистор г в закрытом состоянии. Поэтому через резистор 10 протекает ток транзистора 1, Из теории транзисторных усилителей известно, что резистор, включенный в эмиттер транзистора, создает в усилителе, отрицательную обратную связь по току, в результате чего ток коллектора транзистора практически точно повторяет форму входного напряжения на его базе, т,е, такой усилитель можно рассматривать как генера5 тор тока. Следовательно, под воздействием напряжения отрицательной по- луволны на базе мощного транзистора 1 его коллекторный ток имеет форму синусоидальной полуволны, амплитуда. которой зависит как от-амплитуды полуволны входного напряжения,так и от величины сопротивления резистора 10,

Одновременно положительная полуволна выходного сигнала коммутатора 14 через согласующий усилитель 9 открывает транзистор 4, в результате чего коллекторный ток транзистора 1 проходит через катушку 5 в прямом направлении (от начала к концу), диод 12 и открытый транзистор 4,замыкаясь на общую щину.

Так как падение напряжения на открытом транзисторе 4 и диоде 12 во много раз меньше напряжения на катушке 5, при анализе напряжения на коллекторе транзистора 1 этим падением напряжения можно принебречь,При таком допущении напряжение на коллекторе транзистора 1 равно напряжению на катушке 5. Сопротивление катушки 5 имеет, в основном, индуктивньй ха- -рактер, а протекающий через нее ток имеет форму полупериода синусоиды,

5 напряжение на коллекторе транзистора 1 имеет форму полупериода косинусоиды, как производную от полупериода протекающего по катушке 5 синусоидального тока. Поэтому во время второй половины положительной полуволны выходного сигнала коммутатора 14 напряжение на коллекторе транзистора 1 отрицательное (фиг,2), Для то- го, чтобы избежать шунтирования, отри0

5

0

0

цательного напряжения на коллекторе транзистора I инверсно включенным, транзистором 3, а следовательно, и искажения тока через катушку 5 в его коллекторную цепь включен диод 11.

Во время отрицательных полуволн напряжения на выходе коммутатора 14 транзисторы ) и 4 закрываются, а присутствующая в это время на выходе коммутатора 15 положительная полуволна напряжения открывает транзисторы 2 и 3, формирует в коллекторе транзистора 2, а следовательно, и в катушке 5, но в обратном направлении полуволну синусоидального тока аналогично тому, как это производится транзистором 1, Таким образом, за время одного периода входного синусоидального напряжения в катзлпке 5 фор мируются две противоположно направленные полуволны синусоидального тока, что в совокупности составляет полный период синусоидального тока. С каждым последующим периодом входного синусоидального сигнала цикл работы формирователя повторяется до исчезновения сигнала на шине 17. При этом, если начало и окончание сигнала на ,рине 17 совмещать с нулевыми фазами -входного синусои- дального сигнала, то работа формирователя обеспечивается без переходных процессов, и ток в катушке 5 точно соответствует целому числу синусоидальных периодов.

Транзисторы Г - 4 и транзисторы согласующих усилителей 6-9 предварительно заперты по базам нулевым . смещением и открываются только в момент действия положительных полуволн синусоидального напряжения с выходов генератора противоположных сину сои- дальных сигналов 13 и, следовательно, отрицательные полуволны синусоидального напряжения с выходов генератора 13 могут отсутствовать, что в |ряде случаев может существенно упростить формирование и коммутацию управляющих сигналов, особенно, если это формирование осуществляется дискретно-аналоговыми методами.

Формула изобретения

Формирователь управляющих токов для доменной памяти, содержащий мостовую схему, выполненную на четырех транзисторах, в одну из диагоналей которой включен элемент формирования продвижения цилиндрических мар-нитных доменов в виде катушки индуктивности, и согласующие усилители, выходы которых соединены с соответствующими базами транзисторов мостовой схемы, о тли чающийся темр что, с целью повышения надежности и устойчивости доменной памяти, в него введены элемент обратной связи на резисторе, ограничительные элементы, генератор противофазных синусоидальных сигналов и два коммутатора, при этом один вывод резистора подключен к объединенным эмиттерам первого и второго транзисторов мостовой схемы, а другой к шине питания формирователя,одни выводы ограничительных элементов подключены к коллекторам соответствующих третьего и четвертого транзисторов мостовой схемы, а вторые - к соответствующим выводам катушки индуктивности, выходы генератора противофазных синусоидальных сигналов подключены к информационным входам соот- ветствугоцих коммутаторов,управляющие

входы которых объединены и являются входом задания режима формирователя, а выходы коммутаторов подключены к входам соответствующих усилителей.

Ф1Л.1

Фиг.г