Формирователь тока для доменной памяти Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля.

Цель изобретения - повышение надежности за счет синусоидальной формы тока.

На чертеже приведена схема формирователя тока для доменной памяти.

Формирователь тока содержит первый и второй источники тока, выполненные в виде транзисторов 1 и 2, первый и второй токозадающие элементы, выполненные в виде резисторов 3 и 4, источник 5 напряжения положительной полярности, источник 6 напряжения отрицательной полярности, первый и второй согласующие усилители- инверторы 7 и 8, первый 9 и второй 10 ключи и парафазный усилитель 11,

Кроме того, формирователь содержит катушки 12 поля вращения и шину 13 нулевого потенциала. Согласующие усилители- инверторы содержат транзисторы 14, диоды 15 и резисторы 16-18. Ключи содержат транзисторы 19 и резисторы 20-22. Парафазный усилитель включает в себя транзистор 23 и резисторы 24 и 25.

На схеме также показаны управляющий вход 26 и вход 27 синусоидального напряжения формирователя тока.

Формирователь тока работает следующим образом.

В исходном состоянии (режим Стоп) на управляющем входе 26 присутствует сигнал положительной полярности. При этом на прямом (эмиттерном) выходе парафазно- го усилителя 11 устанавливается положительное напряжение более высокое (на величину падения напряжения база-эмиттер открытого транзистора 23), чем уровень сигнала на входе 26. Величины эмиттерного 24 и коллекторного 25 резисторов равны между собой и поэтому выходное напряжение на инвертирующем выходе парафазно- го усилителя 11 симметрично относительно нулевого потенциала шины 13. В этом режиме положительное напряжение с прямого выхода парафазного усилителя 11 через резистор 21 открывает транзистор 19 ключа 9, а отрицательное напряжение с инвертирующего выхода открывает транзистор 19 ключа 10.

Сопротивления резисторов 21 выбраны такими, чтобы обеспечить насыщение транзисторов 19 при всех значениях входного напряжения соответствующей полярности. В результате положительная полуволна синусоидального напряжения) поступающая на.вход ключа 9 с входа 27 синусоидального

напряжения, шунтируется транзистором 19 на выходе ключа 9 до уровня напряжения насыщения на его коллекторе UHac , аналогично отрицательная полуволна синусоидальнего напряжения шунтируется на выходе ключа 10 до уровня напряжения насыщения на коллекторе транзистора 19 Унас . В силу того, что у типовых транзисторов малой и средней мощности напряжение

0 коллекторного насыщения существенно меньше порога отпирания транзисторов в схемах с заземленным эмиттером, транзисторы 14 согласующих усилителей-инверторов 7 и 8 закрыты, коллекторные токи

5 отсутствуют, в результате чего транзисторы 1 и 2 закрыты, их коллекторные токи, а следовательно, и ток в катушке 12 микросхемы доменной памяти равны нулю.

После установки сигнала низкого уров0 ня на входе 26 (переход в режим Старт) напряжения на прямом и инвертирующем выходах парафазного усилителя 11 снижаются до значений,недостаточных после их ослабления входными делителями на реЗи5 сторах 21 и 22 для отпирания транзисторов 19 ключей 9 и 10.

В результате запирания транзистора 19 положительная полуволна синусоидального напряжения на входе 27 ключа 9 проходит

0 почти без ослабления на ее выход и поступает на базу транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 7.

Резистором 18 согласующего усилителя-инвертора 7 осуществляется смещение

5 рабочей точки транзистора 14 до такого значения UCM+, чтобы при нулевом напряжении на сигнальном входе ключа 9 транзистор 1 находился на границе отпирания. При таком выборе рабочей точки транзистор 14 откры0 вается на время положительной полуволны синусоидального напряжения на сигнальном входе ключа 9 и закрывается на время отрицательной полуволны.

Положительная полуволна напряжения

5 на базе транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 7 создает в его коллекторе полуволну синусоидального тока, форма и амплитуда которого стабилизируется эмиттерным резистором 17 транзистора 14.

0 Коллекторный ток транзистора 14 на его коллекторном резисторе 16 формирует отрицательную полуволну синусоидального напряжения, которая поступает на базу транзистора 1 и открывает его. Включенный

5 в эмиттерную цепь транзистора 1 резистор. 3 обратной связи по току обеспечивает коллекторному току форму полуволны синусоиды и стабильность амплитуды в широких пределах изменения значения и характера коллекторной нагрузки транзистора.

Одновременно положительная волна входного напряжения на сигнальном входе ключа 10 проходит на базу транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 8, поддерживая его в запертом состоянии (диод 15 защищает транзистор 14 от пробоя). Отсутствие коллекторного тока транзистора 14 поддерживает в запертом состоянии транзистор 2, и поэтому коллекторный ток транзистора 1 в виде полуволны синусоиды полностью по- ступает в катушку 12 микросхемы доменной памяти в прямом направлении.

При закрытом транзисторе 19 ключа 10 отрицательная полуволна напряжения на ее сигнальном входе проходит на выход ключа 10 и поступает на базу транзистора 14 согласующего усилителя-инвертора 8. Отрицательная полуволна напряжения на базе транзистора 14 согласующего усилителя- инвертора 8 формирует на коллекторном резисторе 16 положительную полуволну синусоидального напряжения, которая поступает на базу транзистора 2 и создает в его коллекторной цепи полуволну синусоидального тока. В силу различных типов проводи- мости транзисторов 1 и 2 ток коллектора транзистора 2 протекает по катушке 12 микросхемы доменной памяти в обратном направлении по отношению к току, создаваемому в катушке транзистором 1. Таким образом, ток в катушке 12 микросхемы доменной памяти состоит из двух полуволн синусоидального тока различного направления, которые обеспечивают при равенстве их амплитуд ток синусоидальной формы.

Таким образом, за счет формирования синусоидального тока в катушке, использования источников тока на основе транзисторов 1 и 2 и резисторов 3 и 4 в цепях обратной связи по току удается повысить надежность доменной памяти при использовании предлагаемого формирователя тока.

Формула изобретения Формирователь тока для доменной памяти, содержащий источник напряжения положительной полярности и два источника тока, выполненные в виде транзисторов различного типа проводимости, причем коллекторы транзисторов объединены и являются выходом формирователя тока, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет синусоидальной формы тока, формирователь содержит два токоза- дающих элемента в виде резисторов, два согласующих усилителя-инвертора, два ключа, парафазный усилитель и источник напряжения отрицательной полярности, причем эмиттеры первого и второго транзисторов источников тока соединены соответственно с выходами источников напряжения положительной и отрицательной полярностей через первый и второй резисторы, первый вход парафазного усилителя является управляющим входом формирователя тока, а первые входы первого и второго ключей объединены и являются входом синусоидального напряжения формирователя тока, вторые входы первого и второго ключей соединены соответственно с первым и вторым выходами парафазного усилителя, второй и третий входы которого подключены соответственно к выходам источников напряжения положительной и отрицательной полярностей, выходы первого и второго ключей соединены с первыми входами соответственно первого и второго согласующих усилителей-инверторов, вторые входы которых связаны с выходами соответственно источников напряжения положительной и отрицательной полярности, выходы первого и второго согласующих усилителей-инверторов подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов источников тока.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах для формирования управляющих токов в катушках с целью создания вращающегося магнитного поля. Цель изобретения - повышение надежности за счет синусоидальной формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит первый и второй источники тока, выполненные в виде транзисторов 1, 2. первый и второй токозадающие элементы, выполненные в виде резисторов 3, 4, источник 5 напряжения положительной полярности, источник 6 напряжения отрицательной полярности, первый и второй согласующие усилители-инверторы 7, 8, первый и второй ключи 9, 10 и парафазный усилитель 11. За счет формирования синусоидального тока в катушке, использования источников тока на основе транзисторов 1, 2 и резисторов 3, 4 в цепях обратной связи по току удается повысить надежность доменной памяти при использовании предложенного формирователя тока. 1 ил. СО с о 00 со о V4