Управляемая гисетерезисная муфта Советский патент 1990 года по МПК H02K49/04 

Фиг.г

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано в составе электроприводов систем автоматического управления в качестве предохранительного или тормозного устройства, а также в приборостроении. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления и увеличение передаваемого момента. В муфте постоянный магнит 2 размещен внутри гистерезисного слоя 11 ведомой полумуфты 8 и выполнен цельным с торцовыми зубцами 3. Магнитопровод выполнен в виде магнитопроводящих стержней-полюсов 4, закрепленных на немагнитных втулках 5 и 6, размещенных между зубцами 3 магнита 2 и изолированных в магнитном отношении относительно упомянутых зубцов магнита. 2 ил.